LDO基礎(chǔ)知識

低壓差線性穩(wěn)壓器(以下簡稱LDO)是一種半導體器件，是在輸入與輸出的電壓差較小的狀態(tài)下也能工作的線性穩(wěn)壓器的統(tǒng)稱。LDO的特點是即使輸入與輸出電壓差很小仍能獲得穩(wěn)定的輸出，因此被廣泛應用于電池驅(qū)動的移動設(shè)備以及注重低功耗和小型化的應用場景中。具體而言，在直接由鋰離子電池驅(qū)動電路時采用LDO就是一個典型的案例。

本文我們將介紹LDO的工作原理與電路結(jié)構(gòu)、設(shè)計時應考慮的規(guī)范和特性等內(nèi)容，同時梳理在引入LDO時需要掌握的要點。

什么是LDO?(定義和基本原理)

LDO是一種即使在輸入電壓與輸出電壓之差(輸入輸出電壓差)較小的情況下，仍能維持一定輸出的線性穩(wěn)壓器。與普通的三端穩(wěn)壓器相比，其顯著特點在于所需輸入電壓的裕量更小。本節(jié)我們將簡要回顧LDO的定義和歷史背景，并介紹其被眾多設(shè)備廣泛采用的原因。

LDO的含義與由來(“Low Dropout”的詞源與定義)

LDO是“Low Dropout Regulator”的英文首字母縮寫，表示其具有低壓差。壓差是指“維持穩(wěn)定的穩(wěn)壓所需的最小輸入電壓與輸出電壓之差”。一般的傳統(tǒng)線性穩(wěn)壓器通常需要比輸出電壓高數(shù)V的輸入電壓，而LDO可將這一差值控制在數(shù)百mV，有些產(chǎn)品甚至可至數(shù)十mV。大多數(shù)LDO內(nèi)部包含通路元件(雙極晶體管或MOSFET)、誤差放大器及保護電路，能否滿足各項規(guī)格(輸入電壓范圍、輸出電流范圍等)是選型時的關(guān)鍵考量因素。

例如，在需要3.3V的輸出而輸入僅為4.0V左右的條件下，LDO仍有可能穩(wěn)定工作。這種“低壓差”有助于提高電源效率并減少熱損耗，因此在追求節(jié)能與小型化的設(shè)備中發(fā)揮著重要作用。

與傳統(tǒng)線性穩(wěn)壓器的區(qū)別

線性穩(wěn)壓器通過內(nèi)部的通路元件(晶體管等)將輸入電壓中多余的電壓以熱的形式耗散掉，從而實現(xiàn)穩(wěn)定輸出。傳統(tǒng)線性穩(wěn)壓器在輸入與輸出電壓差較大時較易于設(shè)計，但當輸入輸出電壓差變小時，則難以正常工作。

相比之下，LDO通過采用在線性(電阻)區(qū)域易于保持低導通電阻的晶體管等方式，使其即使在輸入輸出電壓差很小時也能工作。具體而言，通過將雙極晶體管或MOSFET以源極跟隨器或射極跟隨器等結(jié)構(gòu)工作，可以將壓差電壓控制在數(shù)百mV以下。

許多傳統(tǒng)線性穩(wěn)壓器要求輸入電壓比輸出電壓高2V以上，其設(shè)計是以(輸入電壓 ? 輸出電壓)較大的情況為前提的。而LDO即使在電池驅(qū)動等輸入電壓下降的應用中，仍易于保持額定輸出直至極限狀態(tài)，因而在節(jié)能與低發(fā)熱等方面具有優(yōu)勢。

LDO備受關(guān)注的理由(低壓差、低功耗、小型化等)

LDO受到關(guān)注的原因主要有以下幾點：

低功耗 ：壓差電壓越低，浪費的功耗就越少。

熱設(shè)計簡化 ：通過抑制輸入輸出電壓差，可減少產(chǎn)生的熱量，有時使用小型散熱片即可。

小型化與電池工作 ：在移動設(shè)備等應用中，即使電池的電壓下降，仍易于維持工作。

噪聲方面 ：與開關(guān)穩(wěn)壓器相比，不易產(chǎn)生高頻噪聲。

因此，LDO被廣泛應用于從電池驅(qū)動應用到通信設(shè)備以及工業(yè)設(shè)備等諸多領(lǐng)域。本節(jié)主要總結(jié)了概念性的理解，后續(xù)章節(jié)將進一步詳細介紹其電路結(jié)構(gòu)和工作原理。

LDO的電路結(jié)構(gòu)和工作原理

LDO在通過反饋控制來保持輸出電壓穩(wěn)定方面，與普通的線性穩(wěn)壓器相同。然而，為了將輸入輸出電壓差控制得較小，在其內(nèi)部結(jié)構(gòu)、所用晶體管類型及保護功能等方面均采取了特殊設(shè)計。本節(jié)將介紹LDO的主要電路模塊，并闡述其能夠?qū)崿F(xiàn)低壓差的原理。

主要模塊(通路元件、誤差放大器、保護功能)概述

LDO的結(jié)構(gòu)本身相對簡單。通過組合以下主要模塊來維持恒定的輸出電壓。

通路元件(Pass Element)

使用雙極晶體管或MOSFET來控制從輸入到輸出的電流。近年來，也有很多LDO通過內(nèi)置電荷泵或控制電路等特殊設(shè)計，使其即使在較低的柵源電壓下也能驅(qū)動。

誤差放大器(Error Amplifier)

監(jiān)測輸出并與參考電壓進行比較，從而控制通路元件。其增益特性與響應速度對精度和瞬態(tài)響應有很大影響。

保護功能

內(nèi)置過流保護、過熱保護及反向電流保護等功能，確保LDO自身的安全性和對負載端的保護。

壓差電壓的原理

LDO特點——壓差電壓的定義為：通路元件在提供電流的同時能保持正常控制的最小輸入輸出電壓差。例如，對于使用PNP晶體管的LDO，其發(fā)射極-集電極間電壓與基極-發(fā)射極間電壓在臨近飽和狀態(tài)工作時的總和會決定壓差電壓。其簡單的模型公式如下所示。

Vdropout≈VCE(sat)+Voverhead

VCE(sat：飽和區(qū)的集電極-發(fā)射極間的電壓

Voverhead (control margin)：誤差放大器為避免通路元件飽和而確保的裕量電壓(用于吸收溫度、工藝偏差以及環(huán)路增益下降的數(shù)十mV級別)

另一方面，基于MOSFET的LDO則通過在內(nèi)部巧妙地設(shè)計柵極控制電路，使其能夠在低壓差區(qū)域內(nèi)驅(qū)動P溝道或N溝道的MOSFET。例如，通過電荷泵等對柵極電壓進行補償，使得即使從外部看到的輸入—輸出電壓差在數(shù)百mV以下也能工作。當負載電流為Iout，MOSFET的導通電阻為RDS(on)時，可以表示如下(有時還需加上控制電路所需的最低電壓差。)：

Vdropout=Iout×RDS(on)

雙極型LDO時

從產(chǎn)品規(guī)格書或晶體管特性中讀取飽和電壓VCE(sat)。

加上偏置電壓VBE和控制電路的裕量電壓，估算壓差電壓。

MOSFET型LDO時

假定負載電流Iout。

確認RDS(on)，并通過Iout × RDS(on)計算出最小所需壓差。

同時考慮因柵極驅(qū)動電壓而產(chǎn)生的額外裕量，最終求出壓差電壓。

低噪聲設(shè)計和反向電流保護的要點

與開關(guān)穩(wěn)壓器相比，LDO具有高頻噪聲更少的優(yōu)點。但是，根據(jù)通路元件的選擇及內(nèi)部電路結(jié)構(gòu)的不同，雙極晶體管的基極電流路徑或參考電路的噪聲也可能成為問題。設(shè)計時需要考慮的要點如下：

旁路電容器

在參考電路或誤差放大器的電源引腳附近接入小容量電容器，以去除噪聲。

布局優(yōu)化

合理配置輸入輸出電容器，優(yōu)化GND布線，以抑制尖峰和紋波。

反向電流保護(Reverse Current Protection)

若電流從電池反向流入穩(wěn)壓器，會導致誤動作或損壞?？商砑颖Ｗo二極管或開關(guān)器件等進行防護。

LDO的種類和主要參數(shù)

LDO根據(jù)其內(nèi)部所用元件和設(shè)計思路，可分為多種類型。同時，在選型時也存在一些需要共同評估的參數(shù)。本節(jié)將對LDO的代表性種類以及評估其性能時不可或缺的主要參數(shù)進行梳理介紹。

按電壓范圍分類(高電壓和低電壓適用)

LDO的特點是低壓差，但其輸入電壓范圍的跨度較大。例如，既有適用于5V以下工作的電池驅(qū)動的低電壓LDO，也有適用于超過30V或40V高輸入電壓的車載及工業(yè)設(shè)備的LDO。支持高電壓的LDO，其功率晶體管通常具有更高的耐壓和更強的保護功能。而對于生成1V左右等超低電壓領(lǐng)域的LDO，其在MOSFET的基礎(chǔ)上對柵極驅(qū)動進行優(yōu)化，從而將壓差降至極限。

低噪聲、低靜態(tài)電流、PSRR、線性調(diào)整率和負載調(diào)整率

低噪聲和低靜態(tài)電流

低噪聲型

適用于為模擬電路或無線電路供電等時，噪聲對信號質(zhì)量影響較大的應用場景。其設(shè)計降低了參考電路和誤差放大器的噪聲，并盡量抑制了通路元件的開關(guān)噪聲。

低靜態(tài)電流(Iq)型

目的是通過將待機時的消耗電流控制到很小來延長電池的驅(qū)動時間。有些產(chǎn)品通過小容量電容器和簡化的內(nèi)部電路結(jié)構(gòu)，將靜態(tài)電流控制在數(shù)μA以下。

PSRR(Power Supply Ripple Rejection)

PSRR是衡量輸入側(cè)的紋波或噪聲有多大程度傳遞至輸出側(cè)的指標。通常以頻率特性表示，尤其在數(shù)十kHz以上的高頻區(qū)間的PSRR備受重視。例如，在音頻電路或高精度模擬電路中，選擇PSRR高的LDO可減少電源噪聲的影響，有助于提高精度。其定義如下：

PSRR(f)=20log10(Vripple,in(f)Vripple,out(f))

數(shù)值越大，表示對輸入紋波的抑制能力越強。其中，Vripple,in(f)為輸入側(cè)的紋波電壓，Vripple,out(f)為輸出側(cè)殘留的紋波電壓。

過程計算示例(PSRR求解思路)

在輸入端施加已知振幅的紋波電壓(例如：10mV峰值)。

測量輸出端出現(xiàn)的紋波幅度(例如：1mV峰值)。

分別以振幅或RMS進行比較，并按如下方式計算：

PSRR(f)=20log10(10mV1mV)=20log10(10)=20dB

線性調(diào)整率和負載調(diào)整率

線性調(diào)整率

表示輸入電壓變化時輸出電壓的波動程度。通常表示如下(常用mV/V或%/V表示)：

Line regulation=ΔVoutΔVin

負載調(diào)整率

表示負載電流變化時輸出電壓的波動程度。表示如下(常用mV/mA或%/mA表示)：

Load regulation=ΔVoutΔIout

二者都是量化LDO電壓控制性的指標。產(chǎn)品規(guī)格書中會標明Max值和typ值?？紤]工作溫度范圍內(nèi)的波動情況，并確認所實現(xiàn)的電路是否滿足必要的要求非常重要。

效率和熱設(shè)計(功耗、發(fā)熱、封裝)

作為線性穩(wěn)壓器的LDO，其基本功耗可用以下公式進行估算：

Pdiss=(Vin?Vout)×Iout

這是輸入電源提供的功率與輸出端所用功率之差。

這部分損耗幾乎全部以熱的形式散發(fā)，因此當輸入輸出電壓差較大或處理大電流時，發(fā)熱會增加，需要考慮散熱器或電路板布線時的散熱設(shè)計。

與開關(guān)穩(wěn)壓器不同，LDO在提升效率方面存在一定局限，但通過盡可能降低壓差電壓，可以抑制輸入與輸出間的電壓差，從而減少損耗。此外，由于不同封裝的熱阻不同，所以選擇PowerPAD或倒裝芯片等散熱特性優(yōu)良的封裝也至關(guān)重要。

負載響應、瞬態(tài)響應和啟動特性

當電源負載發(fā)生瞬時增減時或LDO啟動時，輸出電壓的穩(wěn)定程度是設(shè)計階段需要重點關(guān)注的內(nèi)容。

負載響應

負載電流驟變時輸出電壓波動的大小及恢復所需的時間。受誤差放大器的速度、輸出電容器的容量和內(nèi)部電阻等因素影響。

瞬態(tài)響應

電壓暫時出現(xiàn)過沖或下沖的現(xiàn)象。在需要高速響應的應用場景(如高速數(shù)字電路)中，可能成為大問題。

啟動特性

LDO在通電時輸出電壓上升過程中的動作。為避免急劇上升對負載造成不良影響，部分產(chǎn)品具有軟啟動功能。

近年來，還出現(xiàn)了將控制IC與周邊電路集成于一體的LDO模塊，這種減少電路板安裝工序和外置元件選型工作量的方法備受關(guān)注。此類模塊型產(chǎn)品的工作范圍和散熱設(shè)計明確，適合重視開發(fā)速度的應用場景。

LDO與其他方式的比較及選型方法

除了LDO之外，還有多種電壓調(diào)節(jié)方式，每種方式各有其優(yōu)缺點。本節(jié)將通過與經(jīng)常被比較的開關(guān)穩(wěn)壓器和傳統(tǒng)線性穩(wěn)壓器進行對比，重新確認LDO的特點，并梳理出不同應用場景的選型要點。

開關(guān)穩(wěn)壓器 vs LDO(功耗和效率比較)

開關(guān)穩(wěn)壓器通過脈寬調(diào)制(PWM)和脈沖頻率調(diào)制(PFM)等方式使開關(guān)器件高速導通和關(guān)斷，經(jīng)由電感和電容器形成輸出電壓。代表性方式有降壓(Buck)、升壓(Boost)與升降壓兩用(Buck-Boost)等。在晶體管與二極管(或同步整流MOSFET)損耗更小時流通電流，從而實現(xiàn)高效率，效率超過80?90%也并不罕見。

另一方面，開關(guān)穩(wěn)壓器通常需要電感和大容量電容器等外置元件，占用安裝空間且電路設(shè)計復雜。此外，高速開關(guān)容易引發(fā)噪聲(EMI)與紋波，因此需考慮通過屏蔽或優(yōu)化布局予以抑制。

LDO以線性方式控制從輸入電壓至輸出電壓的電力，因此會產(chǎn)生(Vin – Vout)×Iout所示的損耗，這部分損耗作為熱量被耗散掉。從效率角度比較，開關(guān)穩(wěn)壓器根據(jù)負載電流和設(shè)計的不同，可實現(xiàn)80%至90%以上的效率，而LDO的效率近似如下：

η≈VoutVin×100%

輸入輸出電壓差越大，效率就越低;但當壓差電壓非常小時，由于(Vin – Vout)本身可以抑制得很小，因此在實際應用中有時仍可維持一定的效率。此外，LDO具有不易產(chǎn)生高頻噪聲的優(yōu)點，同時其外置元件只需輸入輸出電容器，這使得它安裝簡單且輸出紋波較小。

總而言之，若存在較大的壓降或更加注重高效率時，更適合選用開關(guān)穩(wěn)壓器;而在電壓差較小的環(huán)境或?qū)υ肼暶舾械哪M電路等應用中，LDO更為有效。

傳統(tǒng)線性穩(wěn)壓器 vs LDO(與三端穩(wěn)壓器等的區(qū)別)

傳統(tǒng)線性穩(wěn)壓器設(shè)計時，通常要求輸入電壓留有約2～3V的裕量，并以通路元件在遠離飽和區(qū)的狀態(tài)下進行控制為前提。而LDO則通過將通路元件的工作點推至接近飽和的狀態(tài)，從而成功地將壓差控制到數(shù)百mV以下。

通路元件的選擇與結(jié)構(gòu)

傳統(tǒng)線性穩(wěn)壓器為實現(xiàn)控制，通常在基極–發(fā)射極電壓或集電極–發(fā)射極電壓上留出一定裕量;而LDO通過采用MOSFET使其在柵源電壓較小時也能工作，或通過電路設(shè)計使雙極晶體管也允許在接近飽和狀態(tài)下進行控制等，以此降低壓差電壓。

反饋電路的優(yōu)化

傳統(tǒng)線性穩(wěn)壓器的控制特性相對寬松，而LDO則通常通過優(yōu)化誤差放大器的偏置電壓和內(nèi)部參考源設(shè)計，確保在較低電壓差下仍能實現(xiàn)穩(wěn)定控制。

應用領(lǐng)域的差異

傳統(tǒng)線性穩(wěn)壓器多用于將AC適配器等較高的輸入電壓降壓并輕松實現(xiàn)穩(wěn)壓的應用場景，而LDO則在電池驅(qū)動或使用1～2V低電壓的數(shù)字IC等要求低電壓和低功耗的環(huán)境中更具發(fā)揮優(yōu)勢。

不同應用場景中考慮的LDO選型要點

LDO的主要選型要點如下：

所需的輸入輸出電壓差

當電池的終止電壓(最低電壓)接近輸出電壓時，必須選擇壓差電壓小的LDO。

可容許的發(fā)熱量

由于LDO的(Vin – Vout)× Iout會轉(zhuǎn)化為熱，因此散熱設(shè)計和封裝的選擇很重要。

噪聲敏感度

在模擬電路或高頻電路中，PSRR和低噪聲特性尤為重要。

消耗電流

對于希望盡量降低待機電流的應用場景，優(yōu)先選擇低Iq型。

負載波動和響應速度

對于有急劇負載波動的電路，建議選用瞬態(tài)響應性能優(yōu)異的LDO。

LDO設(shè)計和安裝中需掌握的關(guān)鍵要點

在實際將LDO嵌入電路時，應參考產(chǎn)品規(guī)格書中推薦的元件和布局指南，進行滿足各項特性的設(shè)計。本節(jié)將逐步介紹典型的設(shè)計流程和注意事項。

電路示例和設(shè)計流程(基礎(chǔ)設(shè)計～元件選型)

LDO的設(shè)計流程大致遵循以下步驟：

確認輸入輸出電壓范圍

根據(jù)是電池驅(qū)動還是AC適配器等，掌握預期電源的最小和最大電壓。

確認所需的輸出電流和負載特性

掌握最大負載電流將達到多少A，并了解瞬時負載波動幅度。

確認LDO候選產(chǎn)品

參考產(chǎn)品規(guī)格書，尋找滿足壓差電壓、PSRR、消耗電流、保護功能等要求的產(chǎn)品。

選擇外圍元件

由于輸出電容器的容量和ESR范圍直接關(guān)系到LDO工作的穩(wěn)定性，務必確認制造商的推薦值。

熱設(shè)計

結(jié)合封裝和安裝條件，計算(Vin – Vout)× Iout是否在容許范圍內(nèi)。必要時考慮擴大銅箔面積等散熱措施。

外圍元件選型(輸入與輸出電容器、防反向電流二極管等)

LDO的輸出電容器對于確保相位補償與誤差放大器的穩(wěn)定工作至關(guān)重要。產(chǎn)品規(guī)格書中通常會寫明推薦容量和ESR范圍，若偏離這些范圍，可能導致振蕩或瞬態(tài)響應惡化。

輸入電容器用于輔助瞬時電流供應以及抑制輸入電源的紋波。通常采用數(shù)μF的陶瓷電容器，但若預計存在較大的負載波動，有時可追加更大容量的電容器。

防反向電流二極管在存在電池等備份電源時需要考慮使用。在多電源切換的設(shè)計中，通常會加入二極管以防止電流通過LDO的通路元件發(fā)生反向流動。

布局和布線的注意事項(噪聲對策和GND布線等)

雖說LDO基本上噪聲較少，但仍建議在布局時注意以下事項：

確保最短路徑

將輸入電容器和輸出電容器安裝在LDO引腳附近，以減少不必要的布線電感和寄生電阻。

統(tǒng)一管理GND布線

根據(jù)需要將電源GND和信號GND分離，防止噪聲混入測量系統(tǒng)。

確保熱擴散

若有散熱焊盤，應在電路板內(nèi)層或背面設(shè)置過孔，以促進散熱。

保護功能的運用和電源時序(按需簡要使用)

LDO通常配備過流保護、過熱保護等安全功能，但重要的是不要過度依賴這些功能，而應評估實際環(huán)境中可能出現(xiàn)的過載程度后進行選型。

另外，對于多電壓的CPU和FPGA等需要多路電源線按順序啟動時，有時會使用LDO的使能引腳進行時序控制。結(jié)合延時電路或微控制器控制，使所需電源適當啟動，從而提升系統(tǒng)運行的可靠性。

LDO的最新技術(shù)動向

近年來，在LDO領(lǐng)域，針對更嚴苛的低功耗要求與縮減安裝空間的需求日益增多，以下新的技術(shù)方案備受關(guān)注。這些技術(shù)通過實現(xiàn)“超小容量輸出電容器的適用”和“高速負載響應性能的提升”，正在逐步克服傳統(tǒng)LDO難以應對的難題。

使用很小容量的電容器也能穩(wěn)定工作的技術(shù)

技術(shù)概要

傳統(tǒng)LDO為確保穩(wěn)定工作，通常需要1μF左右的輸出電容器。最近，通過對模擬電路寄生分量的徹底優(yōu)化，改進誤差放大器和布線，出現(xiàn)了使用nF量級的電容器也不會發(fā)生振蕩的控制技術(shù)。

主要優(yōu)勢

減少元件數(shù)量和安裝空間 ：可大幅減少輸出電容器的容量與數(shù)量

降低成本 ：通過電容器小型化或數(shù)量削減，有望降低成本

提升可靠性 ：通過減少汽車與工業(yè)等領(lǐng)域中常用的電容器安裝數(shù)量，降低元件故障風險和安裝不良風險

實現(xiàn)高速負載響應的技術(shù)

技術(shù)概要

為了在負載電流急劇變化時將輸出電壓的波動幅度控制在更小范圍，已開發(fā)出提升LDO內(nèi)部反饋電路與誤差放大電路速度的技術(shù)。代表性的方法是通過將控制系統(tǒng)和補償系統(tǒng)分離或組合多級專用放大器，從而在避免發(fā)生不穩(wěn)定振蕩的前提下，將響應速度提升至極限。

主要優(yōu)勢

提升電源品質(zhì) ：可迅速響應數(shù)字IC急劇的消耗電流變化和高精度模擬電路的瞬時負載波動

優(yōu)化電容器容量 ：即使不采用大容量電容器，也能獲得足夠的響應性能，從而提升設(shè)計靈活性

持續(xù)演進與未來展望

新技術(shù)的結(jié)合

通過將“適用很小容量的電容器”和“高速負載響應技術(shù)”相結(jié)合，正逐步實現(xiàn)例如采用nF級電容器時，仍可在急劇的負載波動下保持穩(wěn)定輸出的LDO。

應用領(lǐng)域的擴展

物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備和可穿戴設(shè)備等需要兼顧低功耗和小型化的應用需求預計將持續(xù)增長。此外，在汽車和工業(yè)設(shè)備領(lǐng)域，不僅要求縮小安裝空間，還需實現(xiàn)更高可靠性(滿足溫度特性和耐壓等安全標準)，這使得配備上述先進技術(shù)的LDO受到越來越多的關(guān)注。

各半導體制造商正不斷擴充集成了多個電源線的模塊化LDO以及實現(xiàn)系統(tǒng)整體節(jié)能的解決方案，其應用領(lǐng)域正在不斷擴大。

總結(jié)

LDO能夠在保持輸入輸出電壓差較小的狀態(tài)下工作，因體積小、低噪聲、節(jié)能而被應用于各類設(shè)備。適用于移動設(shè)備、車載設(shè)備和工業(yè)設(shè)備等各種領(lǐng)域中需要低功耗和散熱對策的電路。

LDO基礎(chǔ)要點回顧

定義 ：Low Dropout Regulator是即使輸入輸出電壓差很小也能工作的線性穩(wěn)壓器

電路結(jié)構(gòu) ：通過通路元件、誤差放大器和保護功能來穩(wěn)定輸出電壓，其特點是采用低壓差電壓設(shè)計

主要參數(shù) ：壓差電壓、PSRR、線性調(diào)整率和負載調(diào)整率、發(fā)熱和效率、負載響應等是選型時的重要參數(shù)

比較 ：與開關(guān)穩(wěn)壓器相比噪聲更少，與傳統(tǒng)線性穩(wěn)壓器相比可在更低壓差下工作

設(shè)計和安裝 ：外圍元件選型和布局直接關(guān)系到工作的穩(wěn)定性，同時需要考慮熱設(shè)計和保護功能

未來趨勢

近年來，物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備和可穿戴設(shè)備等電池容量有限卻要求長續(xù)航的領(lǐng)域不斷增加。在這些領(lǐng)域，超低壓差、超低靜態(tài)電流規(guī)格的LDO需求日益增長，各制造商正致力于提升其特性。此外，面向車載系統(tǒng)也開發(fā)了很多高耐壓LDO，LDO在工業(yè)與汽車領(lǐng)域也得到了廣泛應用。

另外，在需要復雜電源結(jié)構(gòu)的系統(tǒng)中，通常會使用開關(guān)穩(wěn)壓器進行初步降壓，然后在最后階段使用LDO來降低噪聲。由此可見，LDO在電源設(shè)計中占據(jù)重要地位，未來在高性能和超低噪聲等方面的技術(shù)演進也備受期待。