仁懋電子(MOT)推出的MOT10150D是一款面向中低壓大電流場景的 N 溝道增強型功率 MOSFET,憑借超低導通損耗、超大電流承載能力及優(yōu)異開關(guān)特性,適用于高功率 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、工業(yè)大電流負載開關(guān)、儲能電源模塊等領(lǐng)域。
一、產(chǎn)品基本信息(推導)
- 電壓與電流:漏源極耐壓(\(V_{DSS}\))預計為100V級,適配中低壓大電流供電場景;連續(xù)漏極電流(\(I_D\))達150A(\(T_c=25^\circ\text{C}\)),脈沖漏極電流可支持數(shù)倍于連續(xù)電流的短時過載,滿足大負載瞬時功率需求。
- 導通電阻:柵源電壓\(V_{GS}=10V\)時,導通電阻(\(R_{DS(on)}\))預計處于毫歐級超低水平,大幅降低大電流下的導通損耗。
二、核心特性(推導)
- 低損耗架構(gòu):延續(xù) MOT 系列\(zhòng)(R_{DS(on)} \times Q_g\)行業(yè)標桿設(shè)計,同時優(yōu)化導通損耗與開關(guān)損耗,適配高頻 PWM 控制的高功率 DC-DC 轉(zhuǎn)換場景,提升系統(tǒng)能量效率。
- 高電流密度:在緊湊封裝下實現(xiàn) 150A 級電流承載,適配工業(yè)設(shè)備、儲能系統(tǒng)的小型化功率設(shè)計需求。
- 魯棒性設(shè)計:具備優(yōu)異的雪崩耐量與熱穩(wěn)定性,在大電流沖擊、感性負載開關(guān)等嚴苛工況下可靠性強。
三、封裝與應用場景(推導)
- 封裝形式:預計采用TO-252 貼片封裝(后綴 “D” 典型標識),適配高密度電路板的大電流功率布局;也可提供 TO-251 直插封裝(按需選擇),滿足傳統(tǒng)插裝式系統(tǒng)需求。
- 典型應用:
四、信息說明
以上參數(shù)為基于 MOT 系列技術(shù)規(guī)律的推導,實際電氣參數(shù)、熱特性、可靠性指標需以仁懋電子(MOT)官方產(chǎn)品手冊為準,建議在實際應用前查閱最新規(guī)格書確認細節(jié)。
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
晶體管
+關(guān)注
關(guān)注
78文章
10396瀏覽量
147777 -
MOS
+關(guān)注
關(guān)注
32文章
1741瀏覽量
100733 -
仁懋電子
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
193瀏覽量
521
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
熱點推薦
選型手冊:MOT5N50MD 系列 N 溝道功率 MOSFET 晶體管
領(lǐng)域。以下從器件特性、電氣參數(shù)、封裝應用等維度展開說明。一、產(chǎn)品基本信息MOT5N50MD為N溝道增強型功率MOSFET,核心參數(shù)表現(xiàn)為:漏
選型手冊:MOT10150D 系列 N 溝道功率 MOSFET 晶體管
評論