1、在STM32內(nèi)部，F(xiàn)SMC的一端通過內(nèi)部高速總線AHB連接到內(nèi)核Cortex－M3，另一端則是面向擴(kuò)展存儲器的外部總線。

內(nèi)核對外部存儲器的訪問信號發(fā)送到AHB總線后，經(jīng)過FSMC轉(zhuǎn)換為符合外部存儲器通信規(guī)約的信號，送到外部存儲器的相應(yīng)引腳，實(shí)現(xiàn)內(nèi)核與外部存儲器之間的數(shù)據(jù)交互。

2、FSMC中的DATASET和ADDSET的設(shè)置需要參看外部存儲器的時(shí)序圖來確定。

一般而言，DATASET指的是數(shù)據(jù)建立時(shí)間，也就是讀/寫信號開始到讀/寫信號停止（上升沿存儲數(shù)據(jù)）的持續(xù)時(shí)間。（一般來說寫比讀快?。?/p>

而ADDSET指的是地址建立時(shí)間，指的是片選之后到讀/寫操作之前的時(shí)間，這是針對SRAM來說的，如果操縱的是TFT，不存在地址線，所以此時(shí)的ADDSET就是讀/寫信號結(jié)束到RS電平的轉(zhuǎn)換時(shí)間。

3、

4、

5、FSMC的三個(gè)配置寄存器：FSMC_BCRx(片選控制配置)、FSMC_BTRx(片選時(shí)序)、FSMC_BWTRx(片選寫時(shí)序)。

6、RTC時(shí)鐘配置必須要用到BKP寄存器，BKP寄存器在單片機(jī)復(fù)位、電源復(fù)位、待機(jī)喚醒模式下是不會更改值的，他的供電由VDD供電，VDD被切斷后自動切換至外部的VBAT供電。

7、要修改BKP寄存器的值，必須取消其寫保護(hù)的標(biāo)志。BKP寄存器在上電時(shí)自動寫保護(hù)。

8、Stm32有三種省電模式：

三種省電模式中，耗電量從上到下依次降低，待機(jī)模式的電流僅為2uA。

9、從待機(jī)模式中喚醒單片機(jī)等效于讓單片機(jī)復(fù)位，但是電源寄存器的值會有一個(gè)標(biāo)志位指示單片機(jī)是被喚醒的，不是被復(fù)位的。

10、ADC的時(shí)鐘不要超過14MHz，否則轉(zhuǎn)換精度會下降。最大轉(zhuǎn)換速率為1MHz，即轉(zhuǎn)換周期為1us(14MHz,采樣周期為1.5個(gè)ADC時(shí)鐘)

11、Tcovn=采樣時(shí)間+12.5個(gè)周期。采樣時(shí)間盡量選長一點(diǎn)，這樣精度高一些，但是轉(zhuǎn)換速率下降，這也是有利必有弊。

12、

13、拿ARM7TDMI來說，T代表Thumb指令集，D是說支持JTAG調(diào)試(Debugging)，M意指快速乘法器，I則對應(yīng)一個(gè)嵌入式ICE模塊。

14、MMU作為嵌入式處理器與應(yīng)用處理器的分水嶺標(biāo)志à具有內(nèi)存管理單元的嵌入式處理器可以定位為應(yīng)用處理器。

這么說M系列和A系列的處理器的區(qū)別在于A系列的處理器具有MMU單元可以進(jìn)行內(nèi)存模塊的管理。

15、ARM處理器有兩種狀態(tài)：ARM狀態(tài)和Thumb狀態(tài)。

16、這張圖說明了一切：Thumb2指令集做了一件很偉大的事情：將16位和32位的指令集融為一體，兼容性非常強(qiáng)?。ㄟ@么說CM3不支持某些32位ARM指令集？？）

17、

18、MSP是系統(tǒng)復(fù)位后使用的堆棧指針，PSP由用戶的代碼使用。兩個(gè)堆棧指針為4字節(jié)對齊！！

19、在ARM編程領(lǐng)域中，凡是打斷程序運(yùn)行的事件，統(tǒng)稱為異常(exception)。

20、因?yàn)榇嬖贚R（鏈接寄存器），所以可支持1級的子程序調(diào)用而不用壓棧到內(nèi)存，大大提高了運(yùn)行速度。---à這就是說，我們在編程的時(shí)候，一級調(diào)用是不會耗費(fèi)太多時(shí)間的，除非是二級調(diào)用！