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SOA半導(dǎo)體光放大器的結(jié)構(gòu)參數(shù)

天津見合八方 ? 來源:天津見合八方 ? 2025-11-05 09:48 ? 次閱讀
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引言

為了更好的理解SOA的特性,見合八方近期將會(huì)發(fā)布【SOA仿真】系列文章。

【SOA仿真】系列文章請(qǐng)點(diǎn)擊:【SOA仿真】SOA增益飽和特性仿真1

SOA的仿真,通常離不開載流子速率方程、傳輸方程、以及增益方程這三大方程,在上一篇《SOA仿真】SOA增益飽和特性仿真1》中,我們根據(jù)增益方程分析了SOA的增益飽和特性,該仿真由實(shí)際測(cè)試的輸出飽和光功率Psat_out和峰值波長(zhǎng)的小信號(hào)增益G0仿真繪制了增益飽和特性曲線。本篇文章將進(jìn)一步根據(jù)SOA本身的結(jié)構(gòu)參數(shù)(如波導(dǎo)長(zhǎng)度、波導(dǎo)體積)、特性參數(shù)(增益系數(shù)、透明載流子濃度,耦合參數(shù)),注入?yún)?shù)(偏置電流、輸入光功率)等作為輸入,結(jié)合簡(jiǎn)化的載流子速率方程,仿真求解SOA的增益特性。

關(guān)鍵詞

半導(dǎo)體光放大器SOA、增益、小信號(hào)增益、增益飽和、仿真、載流子、速率方程

1.增益公式

半導(dǎo)體光放大器的增益介質(zhì)由材料增益系數(shù)g(單位:每單位長(zhǎng)度)來表征,該系數(shù)與載流子密度N相關(guān),如下面公式[3]:

5e419614-b626-11f0-8c8f-92fbcf53809c.png

其中N0為透明載流子密度,a為微分增益參數(shù)。對(duì)于SOA的小信號(hào)凈增益系數(shù)g0(又稱為未飽和增益系數(shù))則由下面公式給出

5e9a62e4-b626-11f0-8c8f-92fbcf53809c.png

其中Γ是限制因子,a是材料增益,αs是波導(dǎo)內(nèi)部散射損耗。進(jìn)一步的,由g0可以得到SOA中的小信號(hào)增益(或稱未飽和增益),由下面公式給出

5ef096dc-b626-11f0-8c8f-92fbcf53809c.png

其中L是波導(dǎo)長(zhǎng)度。

2.速率方程

當(dāng)光和電流注入半導(dǎo)體光放大器(SOA)時(shí),其有源區(qū)內(nèi)的載流子密度N會(huì)發(fā)生變化。這些變化可通過載流子速率方程進(jìn)行描述[3]:

5f493d5a-b626-11f0-8c8f-92fbcf53809c.png

該簡(jiǎn)化的速率方程描述了載流子的主要“產(chǎn)生”和“消耗”來源,右側(cè)第一項(xiàng)是電流注入帶來的載流子變化,其中Ibias是SOA的偏置電流,e是電子電荷,V是有源波導(dǎo)體積(V=L*W*H,L,W,H分別代表有源波導(dǎo)的長(zhǎng)度、寬度和厚度)。

速率方程中右側(cè)的第二項(xiàng)R(N)是載流子復(fù)合速率,它也與N相關(guān): 5fa3a312-b626-11f0-8c8f-92fbcf53809c.png

式中右側(cè)的三項(xiàng)分別是表面缺陷復(fù)合、輻射復(fù)合和俄歇復(fù)合,相應(yīng)的,其中A為表面缺陷復(fù)合系數(shù),B為輻射復(fù)合系數(shù),C為俄歇復(fù)合系數(shù)。

速率方程公的第三項(xiàng)為受激輻射,其中Pav是平均光功率。

5ffc2f46-b626-11f0-8c8f-92fbcf53809c.png

在穩(wěn)態(tài)時(shí),載流子達(dá)到平衡,此時(shí)dN/dt=0,我們得到:

60550bf2-b626-11f0-8c8f-92fbcf53809c.png

3.仿真

可以看出,公式7可采用二分迭代法求解,具體如下:

第一步:設(shè)置參數(shù)

設(shè)置載流子速率方程和增益方程所需參數(shù),本文選用了文獻(xiàn)[3]的參數(shù)。

各參數(shù)含義與物理意義:

60ae96a4-b626-11f0-8c8f-92fbcf53809c.png



第二步:迭代求解增益方程

6108d1c8-b626-11f0-8c8f-92fbcf53809c.png

首先我們將波導(dǎo)切割為n段,本文中切割了10段(k=0,1,…9),逐段依次計(jì)算,我們?cè)O(shè)每端的輸入和輸出光功率分別為Pin[k],Pout[k],計(jì)算步驟如下:

1.設(shè)置初始值:注入電流I_bias取值0~300mA,外部輸入光功率-30dBm做為第一段的輸入光功率,從第一段開始計(jì)算k=0,并設(shè)置Pin[0]=-30dBm;

2.使用二分迭代方法(詳見附錄),計(jì)算該段的載流子濃度N[k];

3.通過公式1,2,3,計(jì)算G[k];

4.通過獲得的G[k],得到該段的輸出光功率Pout[k]=Pin[k]*G[k],并將該值做為下一段的輸入光功率Pin[k+1]=Pout[k],重復(fù)上面步驟,直到段尾。

第三步:繪制仿真增益曲線

將上面計(jì)算結(jié)果轉(zhuǎn)為我們習(xí)慣的對(duì)數(shù)坐標(biāo)后,繪制曲線如下:

6161b5a4-b626-11f0-8c8f-92fbcf53809c.png

4.結(jié)論和后續(xù)

本文利用簡(jiǎn)化的載流子速率方程,以及二分法迭代,仿真得到了外部注入(電流及輸入光功率)與增益的關(guān)系。

后續(xù)我們還將仿真增益與波長(zhǎng)的關(guān)系(增益譜曲線),以及增益的動(dòng)態(tài)特性。

附錄二分法

二分法(Bisection Method)是一種簡(jiǎn)易的數(shù)值計(jì)算方法,用于在連續(xù)函數(shù)的閉區(qū)間內(nèi)尋找方程的根(即函數(shù)值為0的點(diǎn))。其核心思想是通過不斷將區(qū)間二等分,縮小根所在的范圍,直至達(dá)到所需的精度。

基本原理

二分法的應(yīng)用需滿足前提條件:函數(shù)f(x)在閉區(qū)間[a, b]上連續(xù);并滿足f(a)*f(b)< 0(根據(jù)介值定理,此時(shí)區(qū)間內(nèi)必存在至少一個(gè)根)。

步驟如下:

1.計(jì)算區(qū)間中點(diǎn)c =(a+b)/2;

2.計(jì)算中點(diǎn)的函數(shù)值f(c):

若f(c) = 0,則c即為方程的精確解,結(jié)束計(jì)算;

若(f(a)*f(c)<0,說明根在區(qū)間[a,c]內(nèi),令新區(qū)間為[a, c];

若f(c)*f(b)<0,說明根在區(qū)間[c, b]內(nèi),令新區(qū)間為[c, b];

3.重復(fù)步驟1和2,直至區(qū)間長(zhǎng)度|b-a|達(dá)到期望精度(如10^-6)),此時(shí)區(qū)間中點(diǎn)可作為根的近似值。

參考文獻(xiàn)

[1] Niloy K. Dutta and Qiang Wang, “Semiconductor Optical Amplifiers,”2nd edition,World Scientific Publishing Company, 2013.

[2]王光全,沈世奎,王偉,曾志超等,“半導(dǎo)體光放大器SOA技術(shù)與應(yīng)用白皮書”,2024版

[3] Aziz, Ahmed & Ng, Wai & Aly, Moustafa & Chiang, Ming. (2008).“Optimisation of the key SOA parameters for amplification and switching”.

天津見合八方光電科技有限公司(http://tj.jhbf.cc),是一家專注國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體光放大器SOA研發(fā)和生產(chǎn)的高科技企業(yè),目前已推出多款半導(dǎo)體光放大器SOA產(chǎn)品(850nm,1060nm,1270nm,1310nm, 1550nm,1625nm)以及增益芯片RSOA產(chǎn)品(850nm,1310nm,1550nm),公司已建立了萬級(jí)超凈間實(shí)驗(yàn)室,擁有較為全面的光芯片的生產(chǎn)加工、測(cè)試和封裝設(shè)備,并具有光芯片的混合集成微封裝能力。目前公司正在進(jìn)行NLL/ECL+SOA的混合集成器件、大功率SOA器件的研發(fā)工作,并可對(duì)外承接各種光電器件測(cè)試、封裝和加工服務(wù)。

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原文標(biāo)題:【SOA仿真】SOA增益飽和特性仿真2

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