英尚微電子所代理的Everspin xSPI串行接口MRAM存儲(chǔ)芯片，基于最新的JEDEC xSPI標(biāo)準(zhǔn)與獨(dú)有的STT-MRAM技術(shù)構(gòu)建，這款串行接口MRAM存儲(chǔ)芯片可全面替代傳統(tǒng)SRAM、BBSRAM、NVSRAM及NOR存儲(chǔ)器件，專為應(yīng)對(duì)工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)、嵌入式系統(tǒng)及高性能存儲(chǔ)應(yīng)用的嚴(yán)苛需求而設(shè)計(jì)。旨在通過(guò)其高性能、高可靠性及廣泛的適用性，為下一代存儲(chǔ)架構(gòu)提供支撐。

高速接口與卓越性能
①該系列MRAM存儲(chǔ)芯片支持多路I/O及全SPI兼容性，時(shí)鐘頻率最高達(dá)200 MHz。
②MRAM存儲(chǔ)芯片通過(guò)8個(gè)I/O信號(hào)實(shí)現(xiàn)高達(dá)400MB/s的讀寫速度，具備真正的字節(jié)尋址能力與極低延遲。
③采用1.8V單電源供電，在保持低引腳數(shù)的基礎(chǔ)上實(shí)現(xiàn)高帶寬數(shù)據(jù)傳輸。

工業(yè)級(jí)耐用性與系統(tǒng)可靠性
①M(fèi)RAM存儲(chǔ)芯片在不依賴超級(jí)電容或電池的情況下，提供瞬時(shí)斷電數(shù)據(jù)保護(hù)，大幅提升系統(tǒng)在數(shù)據(jù)持久性要求極高場(chǎng)景中的可靠性。
②MRAM存儲(chǔ)芯片具備極高耐用性，可應(yīng)對(duì)頻繁寫入與高負(fù)載存儲(chǔ)任務(wù)，簡(jiǎn)化系統(tǒng)設(shè)計(jì)復(fù)雜度，延長(zhǎng)設(shè)備使用壽命。

廣泛適用性與替代優(yōu)勢(shì)
①工業(yè)自動(dòng)化與過(guò)程控制
②汽車與交通電子系統(tǒng)
③模擬仿真與交互游戲
④各類工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)（IIoT）設(shè)備及嵌入式系統(tǒng)

Everspin xSPI MRAM存儲(chǔ)芯片不僅延續(xù)了MRAM技術(shù)的非易失、低延遲和高耐用特性，更借助標(biāo)準(zhǔn)化串行接口，打開了向工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)和嵌入式系統(tǒng)的應(yīng)用。如需了解更多，請(qǐng)搜索英尚微。

審核編輯 黃宇