91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

2018年時(shí)間已過半,世界存儲(chǔ)器市場(chǎng)發(fā)展如何呢?

集成電路園地 ? 來源:未知 ? 作者:李倩 ? 2018-08-21 17:09 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

據(jù)集邦科技旗下DRAM xchange發(fā)布:2018年上半年度世界NAND閃存市場(chǎng)為320.36億美元。其中:2018年第二季度市場(chǎng)銷售額為162.95億美元,較2018年第一季度市場(chǎng)銷售額157.41億美元,環(huán)比小幅增長(zhǎng)3.5%。

據(jù)集邦科技DRAM xchange稱,2018年第二季度NAND閃存均價(jià)一直在下跌,二季度中已下跌幅度達(dá)15-20%,雖在第三季度是傳統(tǒng)的銷售旺季,但由于消費(fèi)電子、智能手機(jī)市場(chǎng)增速不明,出貨量不會(huì)明顯增加,再是整機(jī)廠商庫(kù)存較高,在第三季度旺季將要出清庫(kù)存。為此,NAND閃存在第三季度平均價(jià)還要繼續(xù)下跌10%左右。

據(jù)報(bào)道:在二季度里,移動(dòng)設(shè)備廠商已提高了產(chǎn)品容量規(guī)格,128GB以上的智能手機(jī)的滲透率已達(dá)到10%,預(yù)期下半年OPPO、ViVO及小米等品牌手機(jī)將積極采用eMCP封裝的NAND Flash。2019年上半年中高端智能手機(jī)的容量將達(dá)到256GB/512GB。在SSD市場(chǎng),NAND Flash降價(jià)也推動(dòng)了8TB、16TB大容量硬盤出貨量的增長(zhǎng),筆記本電腦中使用256/512GB容量的份額也會(huì)比目前的采用128/256GB的產(chǎn)品份額占比更高。

在2018年第二季度:

三星以59.28億美元居同業(yè)首位,雖然均價(jià)下降10%,但出貨量卻提高了15%,使其環(huán)比增長(zhǎng)1.8%,占到二季度同業(yè)總值的36.4%,較2018年一季度占比率下滑0.6個(gè)百分點(diǎn)。

東芝公司當(dāng)季營(yíng)收31.43億美元,雖NAND Flash均價(jià)下跌5.0%,但出貨量增長(zhǎng)10%,故當(dāng)季營(yíng)收額增長(zhǎng)3.3%,市場(chǎng)占率份額為19.3%。

西數(shù)收購(gòu)閃迪后,業(yè)務(wù)額上升到第三位,2018年第二季度營(yíng)收額為23.67億美元,環(huán)比增長(zhǎng)0.3%,市占率為14.50%,均價(jià)下跌4%,出貨量增長(zhǎng)5%。

美光當(dāng)季營(yíng)收19.43億美元,環(huán)比增長(zhǎng)7.6%,市占率為11.9%,環(huán)比提升0.4個(gè)百分點(diǎn)。

SK海力士在二季度業(yè)績(jī)較為搶眼,營(yíng)收額為17.29億美元,環(huán)比增長(zhǎng)11.8%(居首位),雖均價(jià)下跌9%,但出貨量大增19%,當(dāng)季市占率為10.6%%,環(huán)比上升0.8個(gè)百分點(diǎn)。

在NAND技術(shù)發(fā)展上

三星、美光、西數(shù)、東芝以64/72層為主流產(chǎn)品。2019年可達(dá)到96層。其中,三星在2020年攀上120層。SK海力士現(xiàn)為72層為主流產(chǎn)品,2019年可達(dá)到96層。

三星已宣布產(chǎn)出96層第五代V-NAND Flash芯片,支持DDR4.0 NAND接口,提高傳輸速度;三星已啟動(dòng)1Ynm制程,并已在3nm進(jìn)行研發(fā)。

東芝不甘落后,宣布在2018年四季度推出新的XG6系列SSD,采用BiCS4 96層3D TLC,容量將從256GB起跳達(dá)到1TB。

美光推出QLC四比特單元存儲(chǔ)的固態(tài)硬盤,采用64層3D QLC NAND 與QLC架構(gòu),容量更大。

西數(shù)加快開發(fā)QLC 3D NAND。

長(zhǎng)江存儲(chǔ)在2017年11月開發(fā)出32層3D NAND 芯片。預(yù)計(jì)在2018年可小批量生產(chǎn),2019年可進(jìn)入64層 128Gb 3D NAND Flash。

2018年上半年存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)情況

2018年上半年,世界存儲(chǔ)器市場(chǎng)營(yíng)銷額為808.03億美元,其中:DRAM營(yíng)收額為487.67億美元,占到存儲(chǔ)器市場(chǎng)總值的60.4%;NAND Flash營(yíng)收額320.36億美元,占存儲(chǔ)器市場(chǎng)總值的39.6%的份額。

2018年時(shí)間已過半,世界存儲(chǔ)器市場(chǎng)發(fā)展如何呢?

為此達(dá)到目標(biāo)值,2018年存儲(chǔ)器市場(chǎng)營(yíng)收入將占到全球半導(dǎo)體銷售額4634億美元的33.8%以上的份額,謂“風(fēng)向標(biāo)”、“壓艙石”之稱。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 智能手機(jī)
    +關(guān)注

    關(guān)注

    66

    文章

    18690

    瀏覽量

    186045
  • NAND
    +關(guān)注

    關(guān)注

    16

    文章

    1755

    瀏覽量

    141039
  • 存儲(chǔ)器
    +關(guān)注

    關(guān)注

    39

    文章

    7738

    瀏覽量

    171652

原文標(biāo)題:2018年上半年度世界NAND銷售情況

文章出處:【微信號(hào):cjssia,微信公眾號(hào):集成電路園地】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    【案例5.1】存儲(chǔ)器選型的考慮要點(diǎn)

    【案例5.1】存儲(chǔ)器選型的考慮要點(diǎn)某設(shè)計(jì),用戶接口數(shù)據(jù)傳輸速率為10Gbps,每8個(gè)字節(jié)的數(shù)據(jù)對(duì)應(yīng)一次查表需求,數(shù)據(jù)表存儲(chǔ)在由DDR4SDRAM組成的存儲(chǔ)器中。工程師需綜合考慮各方面要求,進(jìn)行
    的頭像 發(fā)表于 03-04 17:20 ?174次閱讀
    【案例5.1】<b class='flag-5'>存儲(chǔ)器</b>選型的考慮要點(diǎn)

    FIFO存儲(chǔ)器的種類、IP配置及應(yīng)用

    FIRST IN FIRST OUT (先入先出)。顧名思義,F(xiàn)IFO是一個(gè)數(shù)據(jù)具有先進(jìn)先出的存儲(chǔ)器。
    的頭像 發(fā)表于 01-13 15:15 ?370次閱讀
    FIFO<b class='flag-5'>存儲(chǔ)器</b>的種類、IP配置及應(yīng)用

    瑞薩RA系列FSP庫(kù)開發(fā)實(shí)戰(zhàn)指南之常用存儲(chǔ)器介紹

    存儲(chǔ)器是計(jì)算機(jī)結(jié)構(gòu)的重要組成部分。存儲(chǔ)器是用來存儲(chǔ)程序代碼和數(shù)據(jù)的部件,有了存儲(chǔ)器計(jì)算機(jī)才具有記憶功能?;镜?b class='flag-5'>存儲(chǔ)器種類見圖21_1。
    的頭像 發(fā)表于 01-12 06:21 ?7195次閱讀
    瑞薩RA系列FSP庫(kù)開發(fā)實(shí)戰(zhàn)指南之常用<b class='flag-5'>存儲(chǔ)器</b>介紹

    請(qǐng)問單片機(jī)程序存儲(chǔ)器64KB是外擴(kuò)的還是外擴(kuò)加內(nèi)部的?

    單片機(jī)程序存儲(chǔ)器64KB是外擴(kuò)的還是外擴(kuò)加內(nèi)部的?
    發(fā)表于 01-06 08:24

    DDR SDRAM是什么存儲(chǔ)器(雙數(shù)據(jù)速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器介紹)

    在計(jì)算機(jī)和電子設(shè)備中,存儲(chǔ)器扮演著數(shù)據(jù)臨時(shí)存放與快速交換的關(guān)鍵角色。其中,DDR SDRAM(雙數(shù)據(jù)速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)已成為現(xiàn)代內(nèi)存的主流技術(shù)之一。它不僅在速度上顯著超越前代產(chǎn)品,更憑借其高效傳輸機(jī)制,廣泛應(yīng)用于電腦、服務(wù)
    的頭像 發(fā)表于 12-08 15:20 ?1248次閱讀

    雙口SRAM靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器存儲(chǔ)原理

    在各類存儲(chǔ)設(shè)備中,SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器)因其高速、低功耗和高可靠性,被廣泛應(yīng)用于高性能計(jì)算、通信和嵌入式系統(tǒng)中。其中,雙口SRAM靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器憑借其獨(dú)特的雙端口設(shè)計(jì),在高帶寬和多任務(wù)場(chǎng)景中表現(xiàn)尤為出色,成為提升系統(tǒng)效率的重
    的頭像 發(fā)表于 11-25 14:28 ?548次閱讀

    芯源的片上存儲(chǔ)器介紹

    片上FLASH 閃存由兩部分物理區(qū)域組成:主FLASH 存儲(chǔ)器和啟動(dòng)程序存儲(chǔ)器。 ●● 主 FLASH 存儲(chǔ)器,共 64KB,地址空間為 0x0000 0000 - 0x0000 FFFF。該區(qū)
    發(fā)表于 11-12 07:34

    2025中國(guó)存儲(chǔ)芯片行業(yè)市場(chǎng)前景預(yù)測(cè)研究報(bào)告

    2025中國(guó)存儲(chǔ)芯片行業(yè)市場(chǎng)前景預(yù)測(cè)研究報(bào)告 存儲(chǔ)芯片作為半導(dǎo)體行業(yè)的重要組成部分,涵蓋動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM)和NAND閃存兩大核心領(lǐng)
    的頭像 發(fā)表于 10-27 08:54 ?6022次閱讀

    Everspin存儲(chǔ)器8位并行總線MRAM概述

    在需要高速數(shù)據(jù)寫入與極致可靠性的工業(yè)與數(shù)據(jù)中心應(yīng)用中,Everspin推出的8位位并行接口MRAM樹立了性能與耐用性的新標(biāo)桿。這款Everspin存儲(chǔ)器MRAM與SRAM引腳兼容的存儲(chǔ)器,以高達(dá)35
    的頭像 發(fā)表于 10-24 16:36 ?651次閱讀

    簡(jiǎn)單認(rèn)識(shí)高帶寬存儲(chǔ)器

    HBM(High Bandwidth Memory)即高帶寬存儲(chǔ)器,是一種基于 3D 堆疊技術(shù)的高性能 DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)。其核心設(shè)計(jì)是通過硅通孔(TSV)和微凸塊(Microbump
    的頭像 發(fā)表于 07-18 14:30 ?4292次閱讀

    深圳市存儲(chǔ)器行業(yè)協(xié)會(huì)走訪SGS深圳分公司

    近日,深圳市存儲(chǔ)器行業(yè)協(xié)會(huì)秘書長(zhǎng)劉琳走訪SGS深圳分公司,深入?yún)⒂^了SGS微電子實(shí)驗(yàn)室,并與SGS技術(shù)專家展開深度交流,分享了行業(yè)發(fā)展的最新動(dòng)態(tài)與趨勢(shì),雙方共同探討了在存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展
    的頭像 發(fā)表于 05-29 17:25 ?899次閱讀

    存儲(chǔ)器IC的應(yīng)用技巧 【日 桑野雅彥】

    UV-EPROM的結(jié)構(gòu)與使用方法,閃速存儲(chǔ)器的結(jié)構(gòu)與使用方法,EEPROM的結(jié)構(gòu)與使用方法, SRAM的結(jié)構(gòu)與使用方法, 特殊的SRAM的結(jié)構(gòu)與使用方法 ,DRAM的結(jié)構(gòu)與使用方法,
    發(fā)表于 04-16 16:04

    瑞薩RA系列MCU FSP庫(kù)開發(fā)實(shí)戰(zhàn)指南(09)存儲(chǔ)器映射

    3.3 存儲(chǔ)器映射 前文所述,寄存與RAM、FLASH一樣都是芯片內(nèi)部的一種存儲(chǔ)設(shè)備。那么,當(dāng)我們需要訪問它們的時(shí)候,我們需要知道它們的存儲(chǔ)地址。 3.3.1
    的頭像 發(fā)表于 04-16 15:52 ?1594次閱讀
    瑞薩RA系列MCU FSP庫(kù)開發(fā)實(shí)戰(zhàn)指南(09)<b class='flag-5'>存儲(chǔ)器</b>映射

    SK海力士?jī)H選擇存儲(chǔ)器(SOM)的研發(fā)歷程

    人工智能與高性能計(jì)算(HPC)正以空前的速度發(fā)展,將動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)和NAND閃存等傳統(tǒng)存儲(chǔ)技術(shù)發(fā)揮到極致。為了滿足人工智能時(shí)代日益增長(zhǎng)的需求,業(yè)界正在探索超越傳統(tǒng)存儲(chǔ)
    的頭像 發(fā)表于 04-03 09:40 ?2015次閱讀

    存儲(chǔ)器IC的應(yīng)用技巧 [日 桑野雅彥]

    本書主要介紹了UV-EPROM的結(jié)構(gòu)和使用方法,閃速存儲(chǔ)器的結(jié)構(gòu)和使用方法,EEPROM的結(jié)構(gòu)和使用方法, SRAM的結(jié)構(gòu)與使用方法,特殊的SRAM的結(jié)構(gòu)與使用方法,DRAM的結(jié)構(gòu)與使用方法,
    發(fā)表于 03-07 10:52