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ADS114S08B 技術(shù)文檔核心內(nèi)容總結(jié)

科技綠洲 ? 2025-11-07 09:39 ? 次閱讀
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ADS114S06B和ADS114S08B是精密的 16 位 Δ-Σ 模數(shù)轉(zhuǎn)換器ADC),具有低功耗和許多集成功能,可降低測量小信號傳感器應(yīng)用中的系統(tǒng)成本和元件數(shù)量。

這些ADC具有數(shù)字濾波器,可提供低延遲轉(zhuǎn)換結(jié)果和50Hz或60Hz抑制,適用于嘈雜的工業(yè)環(huán)境。低噪聲、可編程增益放大器 (PGA) 提供 1 至 128 的增益范圍,以放大電阻橋或熱電偶應(yīng)用的低電平信號。此外,這些器件還集成了低漂移的 2.5V 基準(zhǔn)電壓源,可減少印刷電路板 (PCB) 面積。最后,兩個(gè)可編程激勵(lì)電流源 (IDAC) 可實(shí)現(xiàn)簡單、準(zhǔn)確的 RTD 偏置。
*附件:ads114s08b.pdf

輸入多路復(fù)用器支持12個(gè)ADS114S08B輸入和6個(gè)ADS114S06B輸入,可任意組合連接到ADC,以實(shí)現(xiàn)設(shè)計(jì)靈活性。此外,這些器件還包括傳感器燒毀檢測、熱電偶電壓偏置、系統(tǒng)監(jiān)控和四個(gè)通用 I/O (GPIO) 等功能。

這些器件采用無引腳VQFN-32或TQFP-32封裝。

特性

  • 低功耗:低至 280 μA
  • 可編程增益:1 至 128
  • 可編程數(shù)據(jù)速率:2.5 SPS至4 kSPS
  • 在 20 SPS ≤下
    同時(shí)實(shí)現(xiàn) 50 Hz 和 60 Hz 抑制,采用低延遲數(shù)字濾波器
  • 具有 12 (ADS114S08B) 或 6 (ADS114S06B) 個(gè)獨(dú)立可選輸入的模擬多路復(fù)用器
  • 用于傳感器激勵(lì)的雙匹配可編程電流源:10 μA 至 2000 μA
  • 內(nèi)部基準(zhǔn)電壓源:2.5 V,8 ppm/°C(典型值)漂移
  • 內(nèi)部振蕩器:4.096 MHz,2% 精度
  • 內(nèi)部溫度傳感器
  • 自偏置和系統(tǒng)校準(zhǔn)
  • 四個(gè)通用 I/O
  • SPI 兼容接口
  • 模擬電源:單極性(2.7 V 至 5.25 V)或雙極性(±2.5 V)
  • 數(shù)字電源:2.7 V 至 3.6 V
  • 工作溫度:–40°C 至 +125°C
  • ADS114S0x引腳兼容

參數(shù)

image.png

方框圖

image.png
ADS114S08B 是德州儀器推出的低功耗、高集成度 16 位 ΔΣ 模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC),與 ADS114S06B 為同系列產(chǎn)品,核心差異在于輸入通道數(shù)量,專為小信號傳感器測量設(shè)計(jì),集成多種功能以降低系統(tǒng)成本與復(fù)雜度。

一、產(chǎn)品基礎(chǔ)信息

  • 文檔與版本 :文檔版本為 SBAS852A,首次發(fā)布于 2017 年 8 月,2020 年 2 月修訂,包含完整的技術(shù)參數(shù)、功能說明、應(yīng)用方案及封裝信息。
  • 核心定位 :面向工業(yè)傳感、過程控制等場景,適用于溫度、壓力、應(yīng)變、流量等傳感器信號采集,兼具低噪聲、低漂移特性與高集成度。
  • 系列差異 :與 ADS114S06B 相比,ADS114S08B 提供 12 路模擬輸入(ADS114S06B 為 6 路),其余核心性能與功能完全一致。

二、核心特性與參數(shù)

(一)基礎(chǔ)性能

  • 精度與分辨率 :16 位無失碼分辨率,積分非線性(INL)典型值 2 ppm FSR,輸入失調(diào)電壓低至 2 μV(增益 16-128 時(shí)),增益誤差典型值 0.025%。
  • 增益與輸入 :可編程增益 1-128 倍,支持單端、偽差分和全差分輸入,12 路模擬輸入可靈活配置為 PGA 正 / 負(fù)輸入。
  • 數(shù)據(jù)速率與濾波 :數(shù)據(jù)速率范圍 2.5 SPS-4 kSPS,≤20 SPS 時(shí)可同時(shí)抑制 50 Hz/60 Hz 工頻噪聲,數(shù)字濾波器為低延遲設(shè)計(jì),單周期穩(wěn)定。

(二)供電與功耗

  • 模擬供電支持單極性(2.7 V-5.25 V)或雙極性(±2.5 V),數(shù)字核心供電(DVDD)2.7 V-3.6 V,數(shù)字 I/O 供電(IOVDD)2.7 V-5.25 V。
  • 典型工作電流低至 280 μA,掉電模式電流僅 0.1 μA,功耗表現(xiàn)優(yōu)異,適配低功耗場景。

(三)集成功能

  • 內(nèi)置 2.5 V 電壓基準(zhǔn),溫度漂移典型值 8 ppm/°C;集成內(nèi)部溫度傳感器,溫度系數(shù) 403 μV/°C。
  • 配備 2 個(gè)匹配可編程激勵(lì)電流源(IDAC),電流范圍 10 μA-2000 μA,支持 RTD 等電阻式傳感器激勵(lì);4 個(gè) GPIO 引腳(復(fù)用 AIN8-AIN11),可配置為輸入 / 輸出或模擬輸入。
  • 采用 SPI 兼容接口(支持模式 1:CPOL=0,CPHA=1),支持多設(shè)備級聯(lián),通信穩(wěn)定,可簡化為 3 線接口(CS 常低)。

三、封裝與工作環(huán)境

  • 封裝類型 :提供 32 引腳 TQFP(5.0 mm×5.0 mm)和 32 引腳 VQFN(5.0 mm×5.0 mm)兩種封裝,均為無鉛設(shè)計(jì),符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),引腳鍍層為 NIPDAU。
  • 工作條件 :工作溫度范圍 -40°C 至 +125°C,滿足工業(yè)級嚴(yán)苛環(huán)境;存儲溫度范圍 -60°C 至 150°C,抗靜電能力達(dá) HBM ±2500 V、CDM ±1000 V。

四、關(guān)鍵功能模塊

(一)輸入多路選擇器(MUX)

  • 支持 12 路模擬輸入靈活切換,可路由 IDAC 電流至任意輸入引腳,實(shí)現(xiàn)傳感器激勵(lì);集成系統(tǒng)監(jiān)測功能,可測量電源電壓、內(nèi)部溫度,支持傳感器燒斷檢測(BOCS)。
  • 采用 “先斷后合” 設(shè)計(jì),切換通道時(shí)避免輸入短路,輸入端配有 ESD 保護(hù)二極管,防止靜電損壞。

(二)可編程增益放大器(PGA)

  • 低噪聲、低漂移設(shè)計(jì),增益 1-4 倍可旁路 PGA 以降低功耗,8-128 倍由 PGA 與開關(guān)電容電路協(xié)同實(shí)現(xiàn),增益 64/128 倍包含數(shù)字縮放環(huán)節(jié)。
  • 輸入電壓需符合范圍要求,增益≤16 時(shí)為 AVSS+0.15 V 至 AVDD-0.15 V,增益>16 時(shí)需結(jié)合最大差分輸入電壓調(diào)整;旁路模式下輸入范圍擴(kuò)展至 AVSS-0.05 V 至 AVDD+0.05 V,支持單端接地信號測量。

(三)工作與轉(zhuǎn)換模式

  • 工作模式 :包含掉電模式(最低功耗)、待機(jī)模式(無轉(zhuǎn)換時(shí)自動進(jìn)入)、轉(zhuǎn)換模式(執(zhí)行信號采樣與轉(zhuǎn)換)。
  • 轉(zhuǎn)換模式 :連續(xù)轉(zhuǎn)換(持續(xù)采樣直至停止)和單次轉(zhuǎn)換(單次采樣后返回待機(jī)模式),可通過 START/SYNC 引腳或命令控制。

(四)校準(zhǔn)與系統(tǒng)監(jiān)測

  • 支持自偏移校準(zhǔn)(SFOCAL)、系統(tǒng)偏移校準(zhǔn)(SYOCAL)和系統(tǒng)增益校準(zhǔn)(SYGCAL),校準(zhǔn)樣本數(shù)可配置(1/4/8/16 個(gè)樣本),提升測量精度。
  • 系統(tǒng)監(jiān)測功能可測量模擬電源((AVDD-AVSS)/4)、數(shù)字電源(DVDD/4),支持 0.2 μA/1 μA/10 μA 燒斷電流源,檢測傳感器故障。

五、典型應(yīng)用與設(shè)計(jì)要點(diǎn)

(一)典型應(yīng)用場景

  • 工業(yè)傳感:現(xiàn)場變送器(溫度、壓力、應(yīng)變、流量)、PLC/DCS 模擬輸入模塊、溫度控制器、氣候箱、工業(yè)烤箱。
  • 精密測量:3 線 / 4 線 RTD 溫度測量、熱電偶信號采集、電阻橋(稱重傳感器、應(yīng)變片)信號采集。

(二)設(shè)計(jì)關(guān)鍵要點(diǎn)

  • 電源與去耦 :AVDD 需并聯(lián) 330 nF 去耦電容至 AVSS,DVDD/IOVDD 并聯(lián) 0.1 μF 電容至 DGND,電容貼近引腳放置;模擬地與數(shù)字地單點(diǎn)連接,降低干擾。
  • 輸入濾波 :建議在模擬輸入端添加一階 RC 低通濾波器(截止頻率為數(shù)據(jù)率或其 10 倍),抑制混疊和 EMI 干擾,電阻值推薦 100 Ω-10 kΩ。
  • 校準(zhǔn)與配置 :上電后需等待 2.2 ms 完成上電復(fù)位,測量前建議進(jìn)行偏移與增益校準(zhǔn);通過 18 個(gè)配置寄存器設(shè)置輸入通道、增益、數(shù)據(jù)率等參數(shù),寄存器默認(rèn)值可通過復(fù)位恢復(fù)。
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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