Vishay/Siliconix SiJK5100E N溝道MOSFET是一款TrenchFET^?^ 第五代功率MOSFET，具有100V漏源電壓。該MOSFET具有536W最大功耗（+25°C時(shí)）、487A連續(xù)源極-漏極二極管電流（+25°C時(shí)）以及單一配置。SiJK5100E通過(guò)UIS測(cè)試，無(wú)鉛和無(wú)鹵。Vishay/Siliconix SiJK5100E N溝道MOSFET的工作溫度范圍為-55°C至+175°C。典型應(yīng)用包括同步整流、自動(dòng)化、電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制和電池管理。

數(shù)據(jù)手冊(cè)；*附件：Vishay ，Siliconix SiJK5100E N 通道 MOSFET數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf

特性

• TrenchFET第五代功率MOSFET
• 領(lǐng)先的RDS(on) 可最大限度地降低導(dǎo)通時(shí)的功耗
• 增強(qiáng)功率耗散和更低RthJC
• 100%通過(guò)Rg和UIS測(cè)試
• 標(biāo)準(zhǔn)級(jí)FET
• 單配置
• 采用PowerPAK^?^ 10x12封裝
• 無(wú)鉛、無(wú)鹵

輸出特性

基于Vishay SiJK5100E N溝道MOSFET數(shù)據(jù)手冊(cè)的技術(shù)解析?

?一、產(chǎn)品核心特性概覽?

Vishay Siliconix推出的?SiJK5100E?是一款N溝道100V功率MOSFET，采用先進(jìn)的?TrenchFET? Gen V?技術(shù)，搭載?PowerPAK? 10×12?封裝。其核心電氣參數(shù)如下：

• ?擊穿電壓?：100V
• ?導(dǎo)通電阻?：
  • 0.0014Ω（VGS=10V）
  • 0.0016Ω（VGS=7.5V）
• ?柵極電荷?：131nC（典型值）
• ?連續(xù)漏極電流?：417A（TC=25℃）

?二、關(guān)鍵技術(shù)深度分析?

?1. 導(dǎo)通電阻與能效優(yōu)化?

• ? 超低RDS(on) ?：0.0014Ω的導(dǎo)通電阻顯著降低導(dǎo)通損耗，適用于高功率密度場(chǎng)景。
• ?溫度特性?：RDS(on)隨溫度上升呈正溫度系數(shù)，在175℃時(shí)電阻值增至室溫的1.5倍，需通過(guò)散熱設(shè)計(jì)控制溫升。

?2. 動(dòng)態(tài)性能與開(kāi)關(guān)特性?

• ?柵極電荷?：131nC（典型值）配合低柵極電阻（0.2Ω~1.6Ω），實(shí)現(xiàn)快速開(kāi)關(guān)（典型tr/tf≤35ns）。
• ?電容參數(shù)?：
  • 輸入電容（Ciss）：11 480pF
  • 輸出電容（Coss）：3 210pF
  • 反向傳輸電容（Crss）：17pF

?3. 熱管理能力?

• ?結(jié)到外殼熱阻?：0.21℃/W（典型值）
• ?最大功耗?：268W（TC=25℃），需依賴外部散熱器維持高性能。

?三、典型應(yīng)用場(chǎng)景?

?1. 同步整流電路?

憑借低導(dǎo)通電阻與快速恢復(fù)特性，適用于開(kāi)關(guān)電源二次側(cè)整流，提升轉(zhuǎn)換效率至95%+。

?2. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)與控制?

支持峰值電流700A（脈沖），可直接驅(qū)動(dòng)大功率直流電機(jī)，適用于工業(yè)自動(dòng)化與電動(dòng)車輛。

?3. 電池管理與電源切換?

• ?OR-ing開(kāi)關(guān)?：通過(guò)低反向恢復(fù)電荷（Qrr≤720nC）減少切換損耗。
• ?熱插拔保護(hù)?：100%經(jīng)過(guò)UIS（雪崩能量）測(cè)試，確保系統(tǒng)可靠性。

?四、設(shè)計(jì)要點(diǎn)與注意事項(xiàng)?

1. ?柵極驅(qū)動(dòng)要求?
   • 推薦驅(qū)動(dòng)電壓10V（最佳RDS(on)），最低需7.5V保障全電流運(yùn)行。
2. ?散熱設(shè)計(jì)建議?
   • 在FR4基板上安裝時(shí)，需通過(guò)銅箔增強(qiáng)散熱。
   • 瞬態(tài)熱阻曲線顯示，脈沖寬度＜1ms時(shí)可承受2倍額定功率。
3. ?封裝工藝提示?
   • PowerPAK? 10×12為無(wú)引腳封裝，焊接時(shí)需確保底部焊盤充分連接。

?五、技術(shù)趨勢(shì)關(guān)聯(lián)?

• ?高頻化需求?：低Qg與Crss特性適配GaN驅(qū)動(dòng)器的同步開(kāi)關(guān)需求。
• ?集成化趨勢(shì)?：模塊化設(shè)計(jì)可與智能驅(qū)動(dòng)IC結(jié)合，實(shí)現(xiàn)數(shù)字電源閉環(huán)控制。