Vishay Semiconductors LVE1560E/LVE2560E橋式整流器具有低正向電壓降、低噪聲和高浪涌電流耐受能力的特性。Vishay LVE1560E/LVE2560E整流器具有600V最大反向重復(fù)峰值電壓、-55°C至+150°C結(jié)溫,采用薄型單列直插式封裝。這些器件非常適合用于開(kāi)關(guān)電源、家用電器和白色家電應(yīng)用中的交流/直流橋式全波整流,特別是電信電源、高效臺(tái)式電腦和服務(wù)器SMPS。
數(shù)據(jù)手冊(cè):
*附件:LVE2560E數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf
*附件:LVE1560E數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf
特性
- UL認(rèn)證文件編號(hào)E312394
- 薄型單列直插式封裝
- 氧化物平面芯片結(jié)
- 低正向電壓降
- 較高的浪涌電流承受能力
- 低噪聲
- 高外殼介電強(qiáng)度:2500V
RMS,持續(xù)1分鐘 - 焊料浸液為+275°C最大值,按照J(rèn)ESD 22-B106標(biāo)準(zhǔn)持續(xù)10秒
封裝類型

LVE1560E橋式整流器技術(shù)解析與應(yīng)用指南
一、產(chǎn)品概述與技術(shù)亮點(diǎn)
LVE1560E是Vishay General Semiconductor推出的一款?低壓降單相單列直插式橋式整流器?,采用GSIB-5S封裝設(shè)計(jì)。該器件在600 V反向電壓和15 A平均電流的嚴(yán)苛條件下,實(shí)現(xiàn)了?0.71 V的超低正向壓降?(在IF=7.5A,TA=125°C時(shí)),顯著提升了能效表現(xiàn)。
?核心特性優(yōu)勢(shì)?:
- 薄型單列直插封裝,節(jié)省空間
- 平面氧化芯片結(jié)技術(shù)
- 高浪涌電流承受能力(250 A)
- 優(yōu)良的介電強(qiáng)度(2500 VRMS,1分鐘)
- 符合UL認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn)(文件號(hào)E312394)
二、關(guān)鍵電氣參數(shù)深度分析
2.1 極限工作參數(shù)
- ?最大重復(fù)峰值反向電壓?:600 V
- ?最大RMS電壓?:420 V
- ?最大平均正向整流電流?:
- 帶散熱片(TC=120°C):15 A
- 無(wú)散熱片自由空氣環(huán)境:3.8 A
- ?非重復(fù)峰值浪涌電流?:250 A(8.3ms單正弦波)
- ?工作結(jié)溫范圍?:-55°C 至 +150°C
2.2 電氣特性表現(xiàn)
在25°C結(jié)溫條件下測(cè)試:
- ?正向電壓?:7.5A電流時(shí)為0.85V(典型值)
- ?反向電流?:600V反向電壓下僅0.03μA
- ?典型反向恢復(fù)時(shí)間?:278 ns
- ?結(jié)電容?:175 pF(在4V,1MHz時(shí))
三、熱管理與散熱設(shè)計(jì)
?熱阻參數(shù)?:
- 帶散熱片結(jié)到外殼熱阻:1°C/W
- 無(wú)散熱片結(jié)到環(huán)境熱阻:24°C/W
?熱設(shè)計(jì)指導(dǎo)?:
根據(jù)降額曲線顯示,在125°C環(huán)境溫度下:
- 帶散熱片:電流維持約12A
- 無(wú)散熱片:電流降至約1.5A
設(shè)計(jì)時(shí)必須考慮?10 cm-kg最大安裝扭矩?,推薦使用?5.7 cm-kg扭矩?以確保可靠接觸和散熱效果。
四、典型應(yīng)用場(chǎng)景
4.1 核心應(yīng)用領(lǐng)域
4.2 性能優(yōu)化建議
?高效率設(shè)計(jì)?:利用0.71V的低VF特性,在高溫大電流應(yīng)用中顯著降低功率損耗。
?可靠性設(shè)計(jì)?:材料符合UL 94 V-0阻燃等級(jí),M3后綴型號(hào)通過(guò)JESD 201 class 1A晶須測(cè)試,確保長(zhǎng)期穩(wěn)定性。
五、封裝與機(jī)械特性
?GSIB-5S封裝規(guī)格?:
- 環(huán)氧樹(shù)脂材料,符合無(wú)鹵素、RoHS要求
- 引腳采用亞光錫鍍層,滿足J-STD-002和JESD 22-B102可焊性標(biāo)準(zhǔn)
- 主體明確標(biāo)記極性方向
- 標(biāo)準(zhǔn)重量:6.7克
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