2025中國(guó)電力電子與能量轉(zhuǎn)換大會(huì)暨展覽會(huì)（CPEEC&CPSSC）精彩回顧

在2025年11月7日至10日，第四屆中國(guó)電力電子與能量轉(zhuǎn)換大會(huì)暨展覽會(huì)與中國(guó)電源學(xué)會(huì)第二十八屆學(xué)術(shù)年會(huì)（CPEEC&CPSSC 2025）在深圳國(guó)際會(huì)展中心成功召開。本屆盛會(huì)匯聚了來(lái)自全球電力電子與電源領(lǐng)域的專家學(xué)者、企業(yè)代表、科研機(jī)構(gòu)及高校師生等5000余人，共探行業(yè)前沿技術(shù)，共繪能源轉(zhuǎn)換新藍(lán)圖，現(xiàn)場(chǎng)氣氛熱烈，交流成果豐碩。

干貨分享·共話趨勢(shì)

在大會(huì)專題論壇中，揚(yáng)杰科技IGBT事業(yè)部研發(fā)總監(jiān)龍博為現(xiàn)場(chǎng)觀眾帶來(lái)題為《面向下一代IGBT微溝槽的發(fā)展趨勢(shì)和極窄結(jié)構(gòu)的優(yōu)化研究》的精彩報(bào)告。

精彩提煉

隨著功率半導(dǎo)體器件對(duì)導(dǎo)通損耗、開關(guān)速度和芯片面積提出更高要求，窄 Mesa結(jié)構(gòu) IGBT 逐漸成為提升單位面積性能的重要方向之一。

本報(bào)告圍繞窄 Mesa 溝槽型 IGBT 的縮放極限開展系統(tǒng)研究，分析了 Mesa 寬度縮小過(guò)程中對(duì)導(dǎo)通壓降、集電極勢(shì)壘效應(yīng)（CIBL）、電流均勻性及短路能力的影響機(jī)制。研究發(fā)現(xiàn)，當(dāng) Mesa 寬度縮小至亞微米級(jí)別時(shí)，器件 Vce(sat) 顯著降低，但同時(shí)出現(xiàn)輸出特性飽和性退化、電流細(xì)絲形成等現(xiàn)象，嚴(yán)重限制了其短路耐受性能。

為兼顧導(dǎo)通性能與可靠性，本報(bào)告提出了一種局部納米窄 Mesa 的新型結(jié)構(gòu)。仿真結(jié)果表明，在不顯著犧牲擊穿電壓和關(guān)斷損耗的前提下，該結(jié)構(gòu)可實(shí)現(xiàn) Vce(sat) 降低的同時(shí)短路承受時(shí)間提升至10 μs。本研究為超高密度、低損耗 IGBT 的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)提供了理論支撐與仿真依據(jù)，并為未來(lái)先進(jìn) IGBT 芯片的小型化、模塊化與高可靠性發(fā)展奠定基礎(chǔ)。

盛會(huì)雖已圓滿落幕，但揚(yáng)杰科技的創(chuàng)新腳步從未停歇。我們始終堅(jiān)持以技術(shù)為驅(qū)動(dòng)、以市場(chǎng)為導(dǎo)向，在持續(xù)優(yōu)化現(xiàn)有產(chǎn)品性能的同時(shí)，密切關(guān)注行業(yè)發(fā)展趨勢(shì)，不斷探索功率半導(dǎo)體技術(shù)的更多可能性。秉承“成為世界信賴的功率半導(dǎo)體伙伴”這一使命，我們將持續(xù)深化產(chǎn)品結(jié)構(gòu)優(yōu)化，緊密貼合客戶需求，致力于為全球市場(chǎng)提供更高效、更節(jié)能、更可靠的半導(dǎo)體產(chǎn)品和解決方案。展望未來(lái)，揚(yáng)杰科技愿與各界伙伴攜手并進(jìn)，在技術(shù)創(chuàng)新與產(chǎn)業(yè)升級(jí)的道路上并肩前行，共同推動(dòng)綠色能源變革，書寫電力電子行業(yè)高質(zhì)量發(fā)展的新篇章——期待在下一段旅程中，與您再次相遇，共創(chuàng)價(jià)值！

關(guān)于揚(yáng)杰

揚(yáng)州揚(yáng)杰電子科技股份有限公司是國(guó)內(nèi)少數(shù)集半導(dǎo)體分立器件芯片設(shè)計(jì)制造、器件封裝測(cè)試、終端銷售與服務(wù)等產(chǎn)業(yè)鏈垂直一體化（IDM）的杰出廠商。產(chǎn)品線含蓋分立器件芯片、MOSFET、IGBT&功率模塊、SiC、整流器件、保護(hù)器件、小信號(hào)等，為客戶提供一攬子產(chǎn)品解決方案。公司產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于汽車電子、人工智能、清潔能源、5G通訊、智能安防、工業(yè)、消費(fèi)類電子等諸多領(lǐng)域。

公司于2014年1月23日在深交所上市，證券代碼300373，相信在您的關(guān)懷支持下，我們一定能夠成為世界信賴的功率半導(dǎo)體伙伴。