11月14日，兆易創(chuàng)新（GigaDevice）新一代GD5F1GM9 SPI NAND Flash產(chǎn)品在2025年“中國(guó)芯”集成電路產(chǎn)業(yè)促進(jìn)大會(huì)暨第二十屆“中國(guó)芯”優(yōu)秀產(chǎn)品征集活動(dòng)發(fā)布儀式上，榮獲“優(yōu)秀技術(shù)創(chuàng)新產(chǎn)品”獎(jiǎng)。這一獎(jiǎng)項(xiàng)充分肯定了兆易創(chuàng)新在存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域的技術(shù)實(shí)力與創(chuàng)新能力。

本屆“中國(guó)芯”大會(huì)以“芯生萬(wàn)物，智算無(wú)界”為主題，在珠海橫琴天沐琴臺(tái)會(huì)議中心舉行。作為國(guó)內(nèi)集成電路領(lǐng)域最具影響力的行業(yè)評(píng)選之一，“中國(guó)芯”優(yōu)秀產(chǎn)品評(píng)選活動(dòng)自2006年啟動(dòng)以來(lái)，始終致力于推動(dòng)中國(guó)芯片技術(shù)與應(yīng)用的結(jié)合，已成為產(chǎn)業(yè)發(fā)展的“風(fēng)向標(biāo)”。本屆評(píng)選共收到來(lái)自303家企業(yè)的410款產(chǎn)品報(bào)名，參選數(shù)量再創(chuàng)新高，產(chǎn)品覆蓋領(lǐng)域廣泛，競(jìng)爭(zhēng)尤為激烈。

兆易創(chuàng)新此次獲獎(jiǎng)的GD5F1GM9產(chǎn)品是一款基于24nm工藝打造的高性能QSPI NAND Flash。該系列支持3V與1.8V工作電壓，以及Continuous read、Cache Read、Auto Load Next Page等多種高速讀取模式，為用戶提供了靈活的組合設(shè)計(jì)方案。

與傳統(tǒng)的SPI NAND Flash相比，GD5F1GM9系列在關(guān)鍵指標(biāo)上實(shí)現(xiàn)質(zhì)的飛躍。其采用復(fù)雜ECC算法的并行計(jì)算方式，解決了傳統(tǒng)串行計(jì)算方式帶來(lái)的延遲問(wèn)題，大幅提升糾錯(cuò)效率。在性能表現(xiàn)上，同等工作頻率讀取速度達(dá)到主流SPI NAND產(chǎn)品的2～3倍，能夠?yàn)橛脩魩?lái)極致的性能體驗(yàn)。其新增的壞塊管理（BBM）功能?？纱_保前256個(gè)Block均為出廠好塊，并可有效應(yīng)對(duì)使用過(guò)程中產(chǎn)生的新增壞塊問(wèn)題，極大減小了標(biāo)準(zhǔn)SPI NAND Flash在可靠性方面的風(fēng)險(xiǎn)。多重優(yōu)勢(shì)使得該系列成為安防監(jiān)控、工業(yè)控制、IoT設(shè)備等快啟應(yīng)用的理想選擇。

GD5F1GM9系列SPI NAND Flash的推出是兆易創(chuàng)新不斷突破技術(shù)邊界、以創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)發(fā)展的又一例證。未來(lái)，兆易創(chuàng)新將繼續(xù)錨定全球存儲(chǔ)技術(shù)前沿，緊密圍繞客戶需求，打造更多具有競(jìng)爭(zhēng)力的存儲(chǔ)解決方案，賦能千行百業(yè)的數(shù)字化變革。