ADS58B18/B19屬于超低功耗ADS4xxx模數(shù)轉(zhuǎn)換器（ADC）系列，該系列集成模擬緩沖器和SNRBoost技術(shù)。ADS58B18和ADS58B19分別是11位和9位ADC，采樣率分別高達(dá)200MSPS和250MSPS。采用創(chuàng)新設(shè)計(jì)技術(shù)，在極低功耗的同時(shí)實(shí)現(xiàn)高動(dòng)態(tài)性能。模擬輸入引腳具有穩(wěn)定性能和輸入阻抗的緩沖器，覆蓋寬頻范圍。該架構(gòu)使這些部件非常適合多載波寬帶寬通信應(yīng)用，如PA線性化。
*附件：ads58b19.pdf

該 ADS58B18 采用 TI 專有的 SNRBoost 技術(shù)，可用于克服因量化噪聲而導(dǎo)致的 SNR 限制，適用于帶寬低于奈奎斯特（f S /2).

兩款設(shè)備均有增益選項(xiàng)，可用于提升SFDR在較低全刻度輸入范圍，尤其是極高輸入頻率下的性能。它們還包括一個(gè)直流偏移校正環(huán)路，可以用來取消ADC偏移。在較低采樣率下，ADC自動(dòng)以降低功率運(yùn)行，且性能不損耗。

這些設(shè)備支持雙倍數(shù)據(jù)速率（DDR）低電壓差分信號(hào)（LVDS）和并行CMOS數(shù)字輸出接口。DDR LVDS接口的低數(shù)據(jù)率（最高500Mbps）使得使用基于FPGA的低成本現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列（FPGA）接收成為可能。它們具有低擺幅的LVDS模式，可用于進(jìn)一步降低功耗。LVDS輸出緩沖器的強(qiáng)度也可以提高，以支持50Ω差分終端。

ADS58B18/B19均采用緊湊型QFN-48封裝，并規(guī)范工業(yè)溫度范圍（–40°C至+85°C）。

特性

• ADS58B18：11位，200MSPS
• ADS58B19：9位，250MSPS
• 集成高阻抗模擬輸入緩沖器
• 超低功率：
  • 模擬功率：258mW，200MSPS
  • 輸入輸出功率：69mW（DDR低頻，低LVDS擺幅）
• 高動(dòng)態(tài)性能：
  • ADS58B18：66dBFS 信噪比和 81dBc SFDR，150MHz
  • ADS58B19：150MHz時(shí)，信噪比55.7dBFS和SFDR76dBc
• 利用TI專有SNRBoost技術(shù)增強(qiáng)信噪比（僅限于ADS58B18）
  • –20MHz帶寬下的77.7dBFS信噪比
• 采樣率動(dòng)態(tài)功率縮放
• 輸出接口：
  • 雙倍數(shù)據(jù)率（DDR）LVDS，具備可編程擺幅和強(qiáng)度
    • 標(biāo)準(zhǔn)擺幅：350mV
    • 低擺幅：200mV
    • 默認(rèn)強(qiáng)度：100Ω 終端
    • 2倍強(qiáng)度：50Ω終端
  • 還支持 1.8V 并行 CMOS 接口
• 可編程增益用于信噪比/SFDR權(quán)衡
• 直流偏移校正
• 支持低輸入時(shí)鐘幅度
• 包裝：QFN-48（7毫米×7毫米）

參數(shù)

方框圖

ADS58B18 與 ADS58B19 是德州儀器（TI）推出的高速低功耗模數(shù)轉(zhuǎn)換器（ADC），核心優(yōu)勢(shì)為高采樣率、超低功耗與靈活輸出接口，適配多載波通信、功率放大器線性化等寬帶信號(hào)處理場(chǎng)景，二者引腳兼容，僅分辨率與采樣率存在差異。

一、核心產(chǎn)品參數(shù)

1. 基礎(chǔ)性能指標(biāo)

• 分辨率與采樣率 ：ADS58B18 為 11 位分辨率，最高 200 MSPS 采樣率；ADS58B19 為 9 位分辨率，最高 250 MSPS 采樣率；均支持 30~80 MSPS 低速模式，自動(dòng)降低功耗。
• 動(dòng)態(tài)性能 ：150MHz 輸入時(shí)，ADS58B18 SNR 典型值 66 dBFS、SFDR 81 dBc，支持 SNRBoost 技術(shù)（20MHz 帶寬下 SNR 可達(dá) 77.7 dBFS）；ADS58B19 SNR 典型值 55.7 dBFS、SFDR 76 dBc；二者總諧波失真（THD）均優(yōu)于 70 dBc。
• 輸入特性 ：集成高阻抗模擬輸入緩沖器，差分輸入范圍 1.5 VPP，輸入帶寬 550 MHz；共模電壓 1.7V，輸入電阻 4 kΩ，輸入電容 2.1 pF，抗干擾能力強(qiáng)。
• 功耗與供電 ：模擬功耗典型值 258 mW（ADS58B18，200 MSPS）、287 mW（ADS58B19，250 MSPS）；數(shù)字功耗（DDR LVDS 低擺幅）69 mW；模擬電源（AVDD）與數(shù)字電源（DRVDD）均為 1.71.9V，緩沖器電源（AVDD_BUF）33.6V。

2. 環(huán)境與封裝

• 工作溫度：工業(yè)級(jí)范圍（-40°C 至 85°C），結(jié)溫最高 125°C；
• 封裝形式：48 引腳 QFN 封裝（7mm×7mm），帶 PowerPAD 熱增強(qiáng)結(jié)構(gòu)，符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，引腳鍍層為 NIPDAUAG，MSL 等級(jí) 3，峰值回流溫度 260°C；
• ESD 防護(hù)：人體模型（HBM）2 kV，滿足工業(yè)設(shè)備防護(hù)需求。

二、關(guān)鍵功能特性

1. 信號(hào)處理與增強(qiáng)

• SNRBoost 技術(shù)（僅 ADS58B18）：可優(yōu)化特定帶寬內(nèi) SNR，通過寄存器配置系數(shù)調(diào)整目標(biāo)頻段（0~fS/2），適配窄帶高信噪比需求；
• 可編程增益：支持 0~3.5 dB 步進(jìn)（0.5 dB / 步），通過降低滿量程輸入范圍提升 SFDR，實(shí)現(xiàn) SNR 與 SFDR 靈活權(quán)衡；
• 偏移校正：內(nèi)置直流偏移校正環(huán)路，支持 ±10mV 偏移補(bǔ)償，校正時(shí)間常數(shù)可通過寄存器配置（1M~2G 時(shí)鐘周期）。

2. 輸出接口與控制

• 雙輸出模式：支持 DDR LVDS（默認(rèn) 100Ω 終端，可配置 50Ω）與 1.8V 并行 CMOS 接口，LVDS 擺幅可編程（200mV 低擺幅 / 350mV 標(biāo)準(zhǔn)擺幅）；
• 數(shù)據(jù)格式：兼容二進(jìn)制補(bǔ)碼與偏移二進(jìn)制，支持位序（bit-wise）與字節(jié)序（byte-wise）輸出，適配不同 FPGA/ASIC 接收邏輯；
• 串行接口：通過 SCLK/SDATA/SEN 引腳配置寄存器，支持測(cè)試模式、功耗控制、輸出參數(shù)調(diào)整，OVR_SDOUT 引腳兼具過載指示與寄存器讀回功能。

3. 低功耗設(shè)計(jì)

• 動(dòng)態(tài)功耗縮放：采樣率降低時(shí)自動(dòng)縮減功耗，無性能損失；
• 多功耗模式：支持全局掉電（10 mW）、待機(jī)（185 mW）、輸出緩沖器禁用三種低功耗模式，喚醒時(shí)間最短 50 ns。

三、應(yīng)用與設(shè)計(jì)要點(diǎn)

1. 典型應(yīng)用場(chǎng)景

• 通信基礎(chǔ)設(shè)施：多載波 GSM/3G/LTE 基站接收機(jī)、寬帶無線通信系統(tǒng)；
• 工業(yè)與測(cè)試：功率放大器（PA）線性化、高速數(shù)據(jù)采集、雷達(dá)信號(hào)處理；
• 儀器儀表：寬帶測(cè)試設(shè)備、高頻信號(hào)分析儀器。

2. 硬件設(shè)計(jì)建議

• 供電與去耦 ：AVDD、DRVDD、AVDD_BUF 需獨(dú)立供電，就近放置 0.1 μF 陶瓷電容 + 1 μF 鉭電容去耦，減少電源噪聲耦合；
• 布局規(guī)范：PowerPAD 需焊接至 PCB 接地平面，搭配熱過孔優(yōu)化散熱；模擬輸入（INP/INM）與時(shí)鐘輸入（CLKP/CLKM）需差分對(duì)稱布線，遠(yuǎn)離數(shù)字電路；LVDS 輸出軌跡阻抗匹配（100Ω 差分）。
• 輸入驅(qū)動(dòng)：低頻率輸入采用單變壓器驅(qū)動(dòng)，高頻率（＞奈奎斯特頻率）推薦雙變壓器背對(duì)背配置，輸入串接 5~10Ω 電阻抑制振鈴。

3. 編程與配置

• 模式配置：通過 DFS 引腳或寄存器選擇輸出接口（LVDS/CMOS）與數(shù)據(jù)格式；SNRBoost、增益、偏移校正等功能通過串行寄存器啟用與參數(shù)配置；
• 時(shí)鐘適配：支持差分（正弦波、LVPECL、LVDS）或單端（LVCMOS）時(shí)鐘輸入，差分時(shí)鐘振幅最低 0.2 VPP，時(shí)鐘占空比 35%~65% 均可穩(wěn)定工作。

四、產(chǎn)品差異與選型適配

• 核心差異：ADS58B18 分辨率更高（11 位）、SNR 性能更優(yōu)，支持 SNRBoost 技術(shù)，適合對(duì)精度要求高的場(chǎng)景；ADS58B19 采樣率更高（250 MSPS）、成本更低，適合對(duì)分辨率要求不高的高速采集場(chǎng)景；
• 選型建議：優(yōu)先根據(jù)分辨率與采樣率需求選型，需 11 位精度且采樣率≤200 MSPS 選 ADS58B18，需更高采樣率（≤250 MSPS）且預(yù)算敏感選 ADS58B19，二者硬件設(shè)計(jì)可復(fù)用。