Power Integrations正利用其高壓PowiGaN技術(shù)，助力新興800VDC數(shù)據(jù)中心總線架構(gòu)的發(fā)展。作為已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)1250V和1700V高壓GaN開(kāi)關(guān)的重點(diǎn)供應(yīng)商，PI正與NVIDIA合作，加速推動(dòng)向800VDC供電和兆瓦級(jí)機(jī)架的轉(zhuǎn)型。

我們于2025年OCP（開(kāi)放計(jì)算項(xiàng)目）全球峰會(huì)上發(fā)布了一份白皮書，點(diǎn)擊此處下載。其中重點(diǎn)介紹了1250V和1700V PowiGaN HEMT如何能夠滿足現(xiàn)代AI數(shù)據(jù)中心所需的效率、功率密度和可靠性要求。相較于堆疊式650V GaN FET和1200V SiC器件，單個(gè)1250V PowiGaN開(kāi)關(guān)可顯著提高性能并簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)。

PowiGaN擁有獨(dú)特優(yōu)勢(shì)

可簡(jiǎn)化柵極驅(qū)動(dòng)電路，帶來(lái)更高的短路安全裕量和更安全的關(guān)斷特性

更高的開(kāi)關(guān)頻率，而不會(huì)像傳統(tǒng)的FET開(kāi)關(guān)那樣帶來(lái)效率損失

FIT小于1，證明其在嚴(yán)苛環(huán)境下具有高可靠性

減少銅材用量，優(yōu)化機(jī)架空間

憑借超過(guò)1.75億個(gè)PowiGaN功率開(kāi)關(guān)應(yīng)用于快充、電動(dòng)汽車和數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域，PI在高壓GaN創(chuàng)新方面處于前沿地位。InnoMux2-EP開(kāi)關(guān)IC可為800VDC數(shù)據(jù)中心內(nèi)的輔助電源提供獨(dú)特的解決方案。該IC內(nèi)部集成的1700V PowiGaN開(kāi)關(guān)支持1000VDC輸入電壓，其SR ZVS工作模式在液冷無(wú)風(fēng)扇的800VDC架構(gòu)中可為12V系統(tǒng)提供超過(guò)90.3%的效率。