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選型手冊(cè):MOT6929G N+N 增強(qiáng)型 MOSFET 晶體管

深圳市首質(zhì)誠科技有限公司 ? 2025-11-21 10:24 ? 次閱讀
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仁懋電子(MOT)推出的MOT6929G是一款N+N 增強(qiáng)型 MOSFET,集成兩顆 N 溝道單元,憑借 60V 耐壓、低導(dǎo)通電阻及高電流承載能力,適用于電動(dòng)工具電機(jī)驅(qū)動(dòng)、電動(dòng)汽車機(jī)器人等大功率開關(guān)場(chǎng)景。

一、產(chǎn)品基本信息

  • 器件類型:N+N 增強(qiáng)型 MOSFET(集成兩顆 N 溝道單元)
  • 核心參數(shù)
    • 漏源極耐壓(\(V_{DSS}\)):60V,適配中低壓大電流供電場(chǎng)景;
    • 導(dǎo)通電阻(\(R_{DS(on)}\)):\(V_{GS}=10V\)時(shí)典型值22.5mΩ,\(V_{GS}=4.5V\)時(shí)典型值28mΩ,低壓場(chǎng)景下導(dǎo)通損耗控制優(yōu)異;
    • 連續(xù)漏極電流(\(I_D\)):\(T_c=25^\circ\text{C}\)時(shí)20A,\(T_c=100^\circ\text{C}\)時(shí)降額為13A;脈沖漏極電流(\(I_{DM}\))達(dá)80A,滿足負(fù)載瞬時(shí)大電流需求。

二、核心特性

  • 低導(dǎo)通電阻與柵極電荷:22.5~28mΩ 導(dǎo)通電阻設(shè)計(jì),大幅降低低壓大電流場(chǎng)景下的傳導(dǎo)損耗,提升電源轉(zhuǎn)換效率;
  • 無鉛環(huán)保封裝:采用無鉛引腳鍍層,符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),適配綠色電子制造需求;
  • 多單元集成優(yōu)勢(shì):N+N 雙單元集成,可直接應(yīng)用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)、橋驅(qū)等拓?fù)?,?jiǎn)化系統(tǒng)設(shè)計(jì)。

三、關(guān)鍵電氣參數(shù)(\(T_c=25^\circ\text{C}\),除非特殊說明)

  • 柵源極電壓(\(V_{GS}\)):最大值 ±20V柵極驅(qū)動(dòng)需控制在該范圍以避免氧化層損壞;
  • 功耗:
    • \(T_c=25^\circ\text{C}\)時(shí)28W;
    • \(T_c=100^\circ\text{C}\)時(shí)11.1W;實(shí)際應(yīng)用需結(jié)合散熱設(shè)計(jì)(如 PCB 敷銅、散熱焊盤)保障長(zhǎng)期可靠工作;
  • 雪崩特性:?jiǎn)蚊}沖雪崩能量(\(E_{AS}\))達(dá)13.5mJ,感性負(fù)載開關(guān)場(chǎng)景下可靠性強(qiáng);
  • 熱特性:結(jié) - 殼熱阻(\(R_{thJC}\))5.2℃/W;
  • 結(jié)溫范圍(\(T_J\)):-55~+150℃,存儲(chǔ)溫度范圍與結(jié)溫區(qū)間一致。

四、封裝與應(yīng)用場(chǎng)景

  • 封裝形式:PDFN5X6 表面貼裝封裝,每卷 5000 片,適配高密度電路板的空間約束;
  • 典型應(yīng)用
    • 電動(dòng)工具電機(jī)驅(qū)動(dòng):在電鉆、電鋸等電動(dòng)工具的電機(jī)橋驅(qū)電路中作為功率開關(guān),低損耗特性保障電機(jī)動(dòng)力與效率;
    • 電動(dòng)汽車機(jī)器人:為小型電動(dòng)機(jī)器人、電動(dòng)汽車的動(dòng)力系統(tǒng)提供大電流功率控制,保障動(dòng)力輸出與系統(tǒng)可靠性。

五、信息來源

仁懋電子(MOT)官方產(chǎn)品手冊(cè)(注:以上參數(shù)基于手冊(cè)標(biāo)注整理,實(shí)際應(yīng)用需以最新版手冊(cè)及器件批次測(cè)試數(shù)據(jù)為準(zhǔn)。)

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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