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漢思新材料:芯片底部填充膠可靠性有哪些檢測要求

漢思新材料 ? 2025-11-21 11:26 ? 次閱讀
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芯片底部填充膠可靠性有哪些檢測要求?

芯片底部填充膠(Underfill)在先進(jìn)封裝(如Flip Chip、CSP、2.5D/3D IC等)中起著至關(guān)重要的作用,主要用于緩解焊點(diǎn)因熱膨脹系數(shù)(CTE)失配產(chǎn)生的熱機(jī)械應(yīng)力,提高器件的可靠性和使用壽命。為確保其性能滿足應(yīng)用要求,底部填充膠需經(jīng)過一系列可靠性檢測。以下是常見的檢測要求和測試項(xiàng)目:

一、基本性能檢測

1.粘度與流動性

檢測膠體在毛細(xì)作用下的流動能力,確保能充分填充芯片與基板之間的間隙。

測試方法:旋轉(zhuǎn)粘度計(jì)、毛細(xì)流動測試。

2,固化特性

包括固化溫度、時(shí)間、放熱峰、固化收縮率等。

測試方法:DSC(差示掃描量熱法)、TGA(熱重分析)。

3.玻璃化轉(zhuǎn)變溫度(Tg)

決定材料在高溫下的剛性保持能力。

測試方法:DMA(動態(tài)力學(xué)分析)、DSC。

4.熱膨脹系數(shù)(CTE)

尤其關(guān)注低于和高于Tg時(shí)的CTE值,需與芯片/基板匹配以減少熱應(yīng)力。

測試方法:TMA(熱機(jī)械分析)。

5,模量(彈性模量、剪切模量)

影響應(yīng)力緩沖效果,過高或過低均可能影響可靠性。

測試方法:DMA、拉伸/剪切試驗(yàn)。

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二、可靠性環(huán)境測試(加速壽命試驗(yàn))

1.溫度循環(huán)測試(Thermal Cycling, TC)

模擬實(shí)際使用中反復(fù)熱脹冷縮對焊點(diǎn)和填充膠的影響。

·常見條件:-55°C?+125°C,500~3000 cycles。

·評估指標(biāo):電性能連續(xù)性、焊點(diǎn)開裂、膠體開裂或脫層。

2.高溫高濕存儲(THB / HAST)

THB(Temperature Humidity Bias):85°C/85%RH,加偏壓。

HAST(Highly Accelerated Stress Test):130°C/85%RH或更高,不加/加偏壓。

評估膠體吸濕性、離子遷移、腐蝕風(fēng)險(xiǎn)及界面附著力。

3.高溫存儲(HTS)

如150°C或175°C下存儲1000小時(shí)以上,考察長期熱穩(wěn)定性。

4.回流焊模擬測試

模擬多次無鉛回流焊過程(如260°C峰值),驗(yàn)證膠體是否耐受組裝工藝。

三、界面與結(jié)構(gòu)完整性檢測

1.附著力測試(Adhesion Test)

膠體與芯片鈍化層(如SiO?、SiN)、基板(如FR-4、BT樹脂)之間的結(jié)合強(qiáng)度。

方法:劃痕測試、剝離測試、剪切測試。

2.空洞與填充完整性檢查

X-ray、聲學(xué)掃描顯微鏡(SAT/C-SAM)檢測填充是否完全、是否存在氣泡或空洞。

3.裂紋與分層觀察

可靠性測試后通過剖面SEM/FIB或SAT檢查膠體是否開裂、脫層。

四、電性能相關(guān)要求(視應(yīng)用場景)

·體積電阻率/表面電阻率

·介電常數(shù)(Dk)與損耗因子(Df)(高頻應(yīng)用尤其重要)

·離子雜質(zhì)含量(Na?、Cl?等,影響電遷移)

五、行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)參考

·JEDEC標(biāo)準(zhǔn)(如JESD22-A104溫度循環(huán)、JESD22-A110 HAST)

·IPC標(biāo)準(zhǔn)(如IPC-TM-650系列)

·AEC-Q系列(車規(guī)級應(yīng)用,如AEC-Q100/Q200)

總結(jié)

底部填充膠的可靠性檢測是一個(gè)多維度、系統(tǒng)性的過程,需結(jié)合材料性能、工藝兼容性、環(huán)境適應(yīng)性以及最終產(chǎn)品的應(yīng)用場景(消費(fèi)電子、汽車電子、航空航天等)綜合評估。對于高可靠性領(lǐng)域(如汽車、醫(yī)療、軍工),測試條件更為嚴(yán)苛,周期更長。

漢思新材料提示,如需針對特定應(yīng)用場景(如車規(guī)芯片、AI GPU封裝)提供詳細(xì)測試方案,可進(jìn)一步說明需求。

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