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ADS62Px9/x8 系列雙通道高速模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)產(chǎn)品手冊總結(jié)

科技綠洲 ? 2025-11-21 15:57 ? 次閱讀
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ADS62Px9/x8 是一系列雙通道14位和12位A/D轉(zhuǎn)換器,采樣率最高可達(dá)250 MSPS。它將高動(dòng)態(tài)性能和低功耗結(jié)合在緊湊的64 QFN封裝中。這使得它非常適合多載波寬帶通信應(yīng)用。

ADS62Px9/x8 具有增益選項(xiàng),可用于在較低全尺度輸入范圍內(nèi)提升 SFDR 性能。它包含一個(gè)直流偏移校正環(huán)路,可用于取消ADC偏移。同時(shí)提供DDR LVDS(雙倍數(shù)據(jù)速率)和并行CMOS數(shù)字輸出接口。

它包含內(nèi)部參考,而傳統(tǒng)的參考引腳和相關(guān)的解耦電容已被取消。不過,該設(shè)備也可以用外部參考驅(qū)動(dòng)。該裝置在工業(yè)溫度范圍內(nèi)(–40°C至85°C)內(nèi)規(guī)范。
*附件:ads62p29.pdf

特性

  • 最大采樣率:250 MSPS
  • 14位分辨率 – ADS62P49/1 ADS62P48
  • 12位分辨率 – ADS62P29/ADS62P28
  • 總功率:1.25瓦,功率250 MSPS
  • 雙數(shù)據(jù)速率(DDR)LVDS和并行CMOS輸出選項(xiàng)
  • 編程增益最高可編程6dB,用于信噪比/SFDR權(quán)衡
  • 直流偏移校正
  • 90dB串?dāng)_
  • 支持輸入時(shí)鐘幅度最低至400 mVPP微分
  • 內(nèi)部與外部參考支持
  • 64-QFN封裝(9毫米×9毫米)

參數(shù)

image.png

方框圖

image.png

一、產(chǎn)品核心概述

ADS62Px9/x8 系列是德州儀器推出的高性能雙通道模數(shù)轉(zhuǎn)換器家族,包含 14 位(ADS62P49/ADS62P48)與 12 位(ADS62P29/ADS62P28)兩個(gè)分辨率版本,核心優(yōu)勢為高采樣速率、寬信號帶寬與靈活的輸出接口,適用于多載波寬帶通信、雷達(dá)、軟件無線電(SDR)、高速數(shù)據(jù)采集等場景。工作溫度范圍為 –40°C 至 85°C,采用 64 引腳 QFN 封裝(9mm×9mm),模擬供電 3.15V3.6V(AVDD)、數(shù)字供電 1.7V1.9V(DRVDD),總功耗低至 1.25W(250MSPS 時(shí)),支持 DDR LVDS 與并行 CMOS 雙輸出接口,集成可編程增益、直流偏移校正、多模式電源管理等功能,滿足高頻信號高精度采集需求。

二、關(guān)鍵特性與規(guī)格

1. 核心性能參數(shù)

  • 分辨率與速率 :14 位版本(ADS62P49/48)與 12 位版本(ADS62P29/28),采樣速率最高 250MSPS(ADS62P49/29)、210MSPS(ADS62P48/28);積分非線性誤差(INL)±5 LSB,差分非線性誤差(DNL)±1.3 LSB,保證單調(diào)性;偏移誤差 ±20 mV,增益誤差 ±1% FSR,溫度漂移低(偏移漂移 0.02 mV/°C)。
  • 動(dòng)態(tài)性能:模擬輸入帶寬 700 MHz(25Ω 源阻抗),無雜散動(dòng)態(tài)范圍(SFDR)最高 89.5 dBc(20MHz 輸入),信噪比(SNR)最高 73.4 dBFS,總諧波失真(THD)最低 –88.1 dBc;通道間串?dāng)_低至 90 dB,雙音互調(diào)失真(IMD3)–85 dBFS,動(dòng)態(tài)性能適配高頻寬帶信號采集。
  • 輸入與量程:差分輸入電壓范圍 2Vpp(0dB 增益),可編程增益 0dB~6dB(0.5dB 步進(jìn)),增益提升可優(yōu)化 SFDR 性能;輸入共模電壓 1.5V±0.1V,輸入差分電阻 > 1MΩ,差分電容 3.5pF,支持低至 400mVpp 差分時(shí)鐘輸入。
  • 功耗與接口:模擬供電電流 280mA350mA,數(shù)字供電電流(LVDS 模式)122mA175mA;全局掉電功耗低至 45mW,通道待機(jī)喚醒時(shí)間 1ms;支持 2 補(bǔ)碼 / 偏移二進(jìn)制數(shù)據(jù)格式,輸出延遲 22 個(gè)時(shí)鐘周期,孔徑抖動(dòng) 145 fs rms

2. 核心功能

  • 工作模式:雙通道獨(dú)立采樣,支持低速率模式(≤80MSPS)與多路復(fù)用輸出模式(CMOS 接口專屬,≤65MSPS);增益可編程,通過犧牲部分 SNR 換取 SFDR 提升,適配不同信號幅度場景。
  • 校正功能:內(nèi)置直流偏移校正環(huán)路,可校正 ±10mV 偏移,校正時(shí)間常數(shù)可編程(256k~512M 時(shí)鐘周期),支持添加偏移基座(±32 LSB),確保零漂穩(wěn)定性。
  • 輸出接口:DDR LVDS 接口(最高 250MSPS),每對差分線傳輸 2 位數(shù)據(jù),時(shí)鐘頻率為采樣速率的 1/2;并行 CMOS 接口(最高 210MSPS),單引腳傳輸 1 位數(shù)據(jù),支持單獨(dú)捕獲時(shí)鐘配置。
  • 電源管理:支持全局掉電、單通道待機(jī)、輸出緩沖禁用等多模式功耗控制,時(shí)鐘頻率低于 1MSPS 自動(dòng)進(jìn)入低功耗模式,適配不同功耗需求場景。

三、封裝與引腳

1. 封裝信息

  • 64 引腳 QFN 封裝:尺寸 9mm×9mm×1mm,引腳間距 0.5mm;結(jié)到環(huán)境熱阻 23.0°C/W,結(jié)到板熱阻 4.2°C/W,底部裸露焊盤需焊接至接地平面,兼顧散熱與電氣性能;MSL 等級 3,支持 260°C 回流焊(168 小時(shí)濕度預(yù)處理)。

2. 關(guān)鍵引腳功能

  • 電源與地:AVDD(模擬供電)、DRVDD(數(shù)字輸出緩沖供電);AGND(模擬地)、DRGND(數(shù)字地),多組地引腳需分別連接對應(yīng)地平面,保證接地阻抗一致。
  • 模擬輸入:INP_A/INM_A、INP_B/INM_B(雙通道差分模擬輸入);VCM(共模電壓輸出 / 外部參考輸入,內(nèi)部參考模式下輸出 1.5V)。
  • 時(shí)鐘與同步:CLKP/CLKM(差分采樣時(shí)鐘輸入,支持正弦波、LVPECL、LVDS、LVCMOS 信號);CLKOUTP/CLKOUTM(LVDS 差分輸出時(shí)鐘)、CLKOUT(CMOS 單端輸出時(shí)鐘)。
  • 控制與接口:RESET(復(fù)位輸入)、SCLK/SDATA/SEN(串行配置接口)、CTRL1CTRL3(電源管理控制引腳);LVDS 數(shù)據(jù)輸出(DAxP/DAxM、DBxP/DBxM)或 CMOS 數(shù)據(jù)輸出(DA0DA13、DB0~DB13)、SDOUT(串行寄存器讀回輸出)。

四、工作模式與核心功能

1. 核心工作模式

  • 采樣與增益模式:雙通道同步采樣,增益 0dB~6dB 可編程,增益提升時(shí)輸入滿量程按比例縮小(6dB 增益時(shí)滿量程 1Vpp),實(shí)現(xiàn) SNR 與 SFDR 權(quán)衡。
  • 輸出接口模式:DDR LVDS 模式適合高速傳輸(最高 250MSPS),差分傳輸降低干擾;CMOS 模式適合低速場景(最高 210MSPS),布線簡單;多路復(fù)用模式(CMOS 專屬)可將雙通道數(shù)據(jù)合并至單總線輸出,降低引腳占用。
  • 電源管理模式:全局掉電(全芯片斷電,功耗 45mW,喚醒時(shí)間 30ms)、通道待機(jī)(單通道 ADC 斷電,參考與輸出緩沖保持,喚醒時(shí)間 1ms)、輸出緩沖禁用(單獨(dú)關(guān)閉通道輸出驅(qū)動(dòng))。

2. 關(guān)鍵功能細(xì)節(jié)

  • 串行配置:支持并行配置(RESET 拉高)與串行配置(RESET 拉低),串行接口最高 20MHz 時(shí)鐘,可配置增益、偏移校正、輸出格式、測試圖案等參數(shù),支持寄存器讀回校驗(yàn)。
  • 測試圖案:內(nèi)置全 0、全 1、交替翻轉(zhuǎn)、數(shù)字斜坡、自定義圖案等測試模式,方便鏈路調(diào)試;自定義圖案可通過寄存器設(shè)置 14 位 / 12 位固定輸出值。
  • 偏移校正:啟用后自動(dòng)估算并抵消通道直流偏移,校正結(jié)果可凍結(jié)保存,不影響信號相位,默認(rèn)禁用,需通過寄存器開啟。

五、應(yīng)用場景與設(shè)計(jì)支持

1. 典型應(yīng)用

  • 高頻信號采集:軟件無線電中的射頻信號直接采樣、雷達(dá)系統(tǒng)回波信號高速采集、寬帶通信基站的多載波信號處理。
  • 數(shù)據(jù)采集系統(tǒng):高速示波器、瞬態(tài)信號記錄儀、工業(yè)控制中的高頻傳感器信號采集,適配高實(shí)時(shí)性數(shù)據(jù)處理需求。

2. 設(shè)計(jì)資源

  • 電源與去耦:AVDD 與 DRVDD 需獨(dú)立供電,每路供電引腳就近配置 0.1μF 陶瓷電容 + 10μF 鉭電容去耦,濾除高頻噪聲。
  • 輸入驅(qū)動(dòng):模擬輸入需差分驅(qū)動(dòng),推薦串聯(lián) 5Ω~15Ω 電阻抑制寄生振蕩;低帶寬場景(<100MHz)可添加 R-C-R 濾波吸收采樣毛刺,高帶寬場景(>300MHz)建議使用傳輸線變壓器驅(qū)動(dòng)。
  • 時(shí)鐘設(shè)計(jì):采樣時(shí)鐘需低抖動(dòng),差分驅(qū)動(dòng)優(yōu)先;支持 AC 耦合,時(shí)鐘幅度最低 400mVpp(正弦波),占空比 40%~60% 不影響性能。
  • 布局要點(diǎn):模擬區(qū)與數(shù)字區(qū)嚴(yán)格分離,AVDD/DRVDD 走線遠(yuǎn)離數(shù)字時(shí)鐘線;LVDS 輸出線阻抗匹配 100Ω,差分線對長度一致;裸露焊盤大面積接地,降低熱阻。

六、可靠性與訂單信息

  • 可靠性保障:ESD 防護(hù)等級(人體模型)2kV;絕對最大額定值:AVDD –0.3V3.9V,DRVDD –0.3V2.2V,輸入電壓 –0.3V~AVDD+0.3V,結(jié)溫 125°C,滿足工業(yè)與通信設(shè)備的嚴(yán)苛要求。
  • 可訂購型號:提供 14 位(ADS62P49IRGCR/IRGCT、ADS62P48IRGCR/IRGCT)與 12 位(ADS62P29IRGCR/IRGCT、ADS62P28IRGCR/IRGCT)型號,卷盤包裝(250 片 / 小卷、2000 片 / 大卷),引腳鍍層為 NIPDAUAG,符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)。
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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