安森美4N35光耦合器是通用型光耦合器,由驅(qū)動(dòng)硅光電晶體管的砷化鎵紅外發(fā)光二極管組成。這些光耦合器采用6引腳雙列直插式封裝 (DIP)。4N35光耦合器在IF = 10mA、VCE = 10V時(shí)的電流傳輸比極小。這些器件的工作溫度范圍為-55°C至+110°C。4N35光耦合器非常適合用于電源穩(wěn)壓器、數(shù)字邏輯輸入、微處理器輸入和電源監(jiān)控器。
數(shù)據(jù)手冊;*附件:onsemi 4N35光耦合器數(shù)據(jù)手冊.pdf
特性
- 在I
F= 10mA、VCE= 10V時(shí)的電流傳輸比極小 - 工作溫度范圍:-55 °C至110 °C
- 反向輸入電壓 (V
r):6V - 安全和法規(guī)批準(zhǔn):
原理圖

4N35光耦合器技術(shù)解析與應(yīng)用指南
一、產(chǎn)品概述
?4N35?是一款通用型光耦合器,采用標(biāo)準(zhǔn)6引腳雙列直插塑料封裝,內(nèi)部由砷化鎵紅外發(fā)射二極管驅(qū)動(dòng)硅光電晶體管構(gòu)成,適用于多種電氣隔離應(yīng)用場景。
核心特性
- ?電流傳輸比?:在IF=10mA,VCE=10V條件下最小CTR為100%
- ?安全認(rèn)證?:通過UL1577認(rèn)證(5000 VACRMS/1分鐘)
- ?絕緣性能?:符合DIN-EN/IEC60747-5-5標(biāo)準(zhǔn),峰值工作絕緣電壓850V(認(rèn)證中)
4N35光耦合器技術(shù)解析與應(yīng)用指南
一、產(chǎn)品概述
?4N35?是一款通用型光耦合器,采用標(biāo)準(zhǔn)6引腳雙列直插塑料封裝,內(nèi)部由砷化鎵紅外發(fā)射二極管驅(qū)動(dòng)硅光電晶體管構(gòu)成,適用于多種電氣隔離應(yīng)用場景。
核心特性
- ?電流傳輸比?:在IF=10mA,VCE=10V條件下最小CTR為100%
- ?安全認(rèn)證?:通過UL1577認(rèn)證(5000 VACRMS/1分鐘)
- ?絕緣性能?:符合DIN-EN/IEC60747-5-5標(biāo)準(zhǔn),峰值工作絕緣電壓850V(認(rèn)證中)
引腳配置
ANODE 1 6 BASE
CATHODE 2 5 COLLECTOR
N/C 3 4 EMITTER
二、關(guān)鍵電氣參數(shù)解析
2.1 絕對最大額定值
?發(fā)射器部分?:
- 直流/平均正向輸入電流:50mA
- 反向輸入電壓:6V
- LED功耗@TA=25°C:70mW
- 100°C以上降額:3.8mW/°C
?檢測器部分?:
- 集電極-發(fā)射極電壓:80V
- 集電極-基極電壓:80V
- 發(fā)射極-集電極電壓:7V
- 檢測器功耗@TA=25°C:150mW
- 100°C以上降額:9mW/°C
2.2 電氣特性
?發(fā)射器特性?:
?檢測器特性?:
- 集電極-發(fā)射極暗電流:VCE=10V,IF=0時(shí),最大值50nA
- 集電極-基極暗電流:VCB=10V時(shí),最大值20nA
- 集電極-發(fā)射極飽和電壓:IC=0.5mA,IF=10mA時(shí),最大值0.3V
2.3 傳輸特性
?直流特性?:
- 電流傳輸比:IF=10mA,VCE=10V時(shí)最小值100%
- 開關(guān)特性:開啟時(shí)間典型值10ms,最大值12ms;關(guān)閉時(shí)間典型值9ms,最大值12ms
三、安全與絕緣規(guī)格
3.1 安全等級
- ?工作絕緣電壓?:850Vpeak
- ?輸入輸出測試電壓?:
- 方法A:1360Vpeak(VIORM×1.6)
- 方法B:1594Vpeak(VIORM×1.875)
- ?最高允許過電壓?:6000Vpeak
3.2 物理隔離參數(shù)
- ?外部爬電距離?:≥7mm
- ?外部間隙?:≥7mm
- ?選項(xiàng)TV外部間隙?:≥10mm
- ?絕緣厚度?:≥0.4mm
- ?絕緣電阻?:TS時(shí),VIO=500V條件下>10?Ω
四、典型應(yīng)用場景
4.1 電源穩(wěn)壓器
- 提供輸入輸出間的電氣隔離
- 支持反饋環(huán)路控制
- 確保系統(tǒng)穩(wěn)定性和安全性
4.2 數(shù)字邏輯輸入
- 電平轉(zhuǎn)換接口
- 噪聲抑制電路
- 系統(tǒng)保護(hù)機(jī)制
4.3 微處理器輸入
五、設(shè)計(jì)與布局建議
5.1 熱管理
- 環(huán)境溫度超過100°C時(shí)需要功率降額
- LED功耗降額系數(shù):3.8mW/°C
- 檢測器功耗降額系數(shù):9mW/°C
5.2 開關(guān)性能優(yōu)化
- 基極-發(fā)射極電阻影響開關(guān)速度
- 負(fù)載電阻影響開關(guān)時(shí)間
- 建議在設(shè)計(jì)中預(yù)留充足余量
六、封裝與訂購信息
6.1 封裝選項(xiàng)
- ?PDIP6 M型?(案例646CG)
- ?PDIP6標(biāo)準(zhǔn)型?(案例646CU)
- ?PDIP6 S型?(案例646CV)
6.2 訂購型號
| 部件號 | 封裝類型 | 包裝方式 |
|---|---|---|
| 4N35 | DIP 6引腳 | 65個(gè)/管 |
| 4N35SR2 | SMT 6引腳(彎引腳) | 1000個(gè)/卷帶 |
七、生產(chǎn)與焊接規(guī)范
7.1 回流焊曲線
- ?最高升溫速率?:3°C/秒
- ?最高降溫速率?:6°C/秒
- ?液相溫度?:217°C
- ?峰值溫度?:260°C(+0°C/-5°C)
- ?預(yù)熱時(shí)間?:60-120秒(150°C-200°C)
八、設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)
- ?安全工作區(qū)?:不得超過絕對最大額定值
- ?散熱設(shè)計(jì)?:根據(jù)環(huán)境溫度合理計(jì)算功率耗散
- ?絕緣要求?:確保符合應(yīng)用環(huán)境的安全標(biāo)準(zhǔn)
- ?溫度影響?:考慮高溫環(huán)境下參數(shù)變化
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