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MDD辰達(dá)半導(dǎo)體N溝道MOSFET在BMS中的應(yīng)用

MDD辰達(dá)半導(dǎo)體 ? 來源:MDD辰達(dá)半導(dǎo)體 ? 2025-11-26 15:42 ? 次閱讀
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1工作原理

儲(chǔ)能系統(tǒng)已成為構(gòu)建新型電力系統(tǒng)的關(guān)鍵環(huán)節(jié),而電池管理系統(tǒng)BMS在儲(chǔ)能中的作用有哪些,在11.11的研討會(huì)直播上,MDD高級(jí)FAE對(duì)該問題進(jìn)行了深入解析。

BMS的核心使命是確保電池組安全、高效、長壽。它通過實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)電池電壓、電流、溫度等參數(shù),實(shí)現(xiàn)三大核心保護(hù)功能:

01過充/過放保護(hù):電壓超限時(shí)切斷相應(yīng)MOSFET回路

02過流/短路保護(hù):極短時(shí)間內(nèi)(<100ms)關(guān)斷放電MOSFET

03過溫保護(hù):溫度異常時(shí)禁止充放電操作,防止熱失控。

在短路保護(hù)場(chǎng)景中,回路內(nèi)阻極小(約100mΩ),瞬間電流可達(dá)數(shù)百至數(shù)千安培,這對(duì)MOSFET的抗沖擊能力提出極高要求。

2MOS在BMS中的應(yīng)用

在儲(chǔ)能BMS中,充放電控制和主動(dòng)均衡是兩大關(guān)鍵電路,都離不開高性能的MOSFET。MDD辰達(dá)半導(dǎo)體推出的MDDG03R04Q與MDDG04R06Q兩款N溝道MOSFET,采用先進(jìn)的SGT工藝,輕松應(yīng)對(duì)BMS中的會(huì)遇到的挑戰(zhàn)。

01低導(dǎo)通內(nèi)阻,帶來更高效率

MDDG03R04Q的導(dǎo)通電阻最大僅4.3mΩ,在正常充放電時(shí)能顯著減少導(dǎo)通損耗,降低溫升,從而提升整個(gè)儲(chǔ)能系統(tǒng)的能量轉(zhuǎn)換效率,這對(duì)于需要長時(shí)間運(yùn)行的儲(chǔ)能設(shè)備至關(guān)重要。

02強(qiáng)大的抗浪涌能力,守護(hù)系統(tǒng)安全

MDDG03R04Q的連續(xù)漏極電流高達(dá)80A,脈沖電流更達(dá)300A,能夠承受瞬間的巨大電流沖擊,確保在故障發(fā)生時(shí)能快速、可靠地切斷電路,為整個(gè)電池包筑起最堅(jiān)固的安全防線。

03更高的耐壓與更低的開關(guān)損耗

MDDG04R06Q 耐壓可達(dá)40V,適用于更寬的工作電壓范圍??倴艠O電荷Qg 極低(典型值 17nC),意味著驅(qū)動(dòng)損耗更低,開關(guān)速度更快,對(duì)驅(qū)動(dòng)電路的要求也更低。

04小封裝,節(jié)省系統(tǒng)空間

采用緊湊的封裝PDFN3*3-8L,有助于BMS設(shè)計(jì)工程師優(yōu)化PCB板布局,實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品的小型化與高集成度。

3選型推薦

隨著儲(chǔ)能市場(chǎng)向高可靠性、高效率方向發(fā)展,MOSFET作為BMS中的關(guān)鍵執(zhí)行器件,其性能直接影響系統(tǒng)安全。MDD的MOSFET產(chǎn)品以其低內(nèi)阻、高抗浪涌和優(yōu)異熱穩(wěn)定性等特性,為儲(chǔ)能BMS提供可靠保障,助力能源結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)型。

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關(guān) 于 我 們

深圳辰達(dá)半導(dǎo)體有限公司(簡稱MDD辰達(dá)半導(dǎo)體)是一家專注于半導(dǎo)體分立器件研發(fā)設(shè)計(jì)、封裝測(cè)試及銷售的國家高新技術(shù)企業(yè)。

公司深耕半導(dǎo)體領(lǐng)域17載,始終堅(jiān)持以產(chǎn)品技術(shù)為驅(qū)動(dòng),以客戶需求為核心,打造涵蓋MOSFET、二極管、三極管、整流橋、SiC等全系列、高可靠、高性能的產(chǎn)品服務(wù)矩陣,產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于新能源汽車、工業(yè)控制消費(fèi)電子、通信、家電、醫(yī)療、照明、安防、儀器儀表等多個(gè)領(lǐng)域,服務(wù)于全球40多個(gè)國家與地區(qū)。

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原文標(biāo)題:MDD辰達(dá)半導(dǎo)體推出低內(nèi)阻、強(qiáng)抗浪涌MOSFET,電池管理系統(tǒng)BMS中的關(guān)鍵元器件

文章出處:【微信號(hào):MDD辰達(dá)行電子,微信公眾號(hào):MDD辰達(dá)半導(dǎo)體】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

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