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深入解析ON Semiconductor NCV8189 LDO穩(wěn)壓器

h1654155282.3538 ? 來(lái)源:未知 ? 作者:陳翠 ? 2025-12-03 10:34 ? 次閱讀
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深入解析ON Semiconductor NCV8189 LDO穩(wěn)壓器

在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域,低壓差線性穩(wěn)壓器(LDO)是非常關(guān)鍵的元件,它能為各種電路提供穩(wěn)定的電源。今天我們要詳細(xì)探討的是ON Semiconductor的NCV8189 LDO穩(wěn)壓器,它具有諸多出色的特性,適用于多種應(yīng)用場(chǎng)景。

文件下載:onsemi NCV8189高精度LDO穩(wěn)壓器.pdf

一、NCV8189簡(jiǎn)介

NCV8189是一款0.5A的LDO穩(wěn)壓器,屬于下一代高電源抑制比(PSRR)、低噪聲和低壓差穩(wěn)壓器,具備Power Good開(kāi)集電極輸出。它專為滿足射頻RF)和敏感模擬電路的需求而設(shè)計(jì),能提供低噪聲、高PSRR和低靜態(tài)電流,輸出電壓可低至0.6V,并且在負(fù)載/線路瞬態(tài)響應(yīng)方面表現(xiàn)優(yōu)異。該器件可搭配4.7μF的輸入和輸出陶瓷電容使用,有工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的DFNW8 0.65P(3mm x 3mm)和WDFNW6 0.65P(2mm x 2mm)兩種封裝可選。

典型應(yīng)用示意圖

二、主要特性

2.1 電壓范圍與精度

  • 輸入電壓范圍:1.6V至5.5V,能適應(yīng)多種電源輸入。
  • 固定電壓選項(xiàng):提供0.6V至5.0V的固定電壓輸出,也有可調(diào)版本,參考電壓為0.6V,在25°C時(shí)初始精度為±0.7%,在負(fù)載和溫度變化(高達(dá)125°C)時(shí)精度為±1%。

2.2 低功耗特性

  • 靜態(tài)電流:典型值為35μA,關(guān)機(jī)電流典型值為0.1μA,有助于降低系統(tǒng)功耗。

2.3 低壓差與高PSRR

  • 低壓差:對(duì)于3.3V的變體,在0.5A負(fù)載時(shí)典型壓差為65mV。
  • 高PSRR:在100mA、f = 1kHz時(shí)典型值為85dB,能有效抑制電源紋波。

2.4 低噪聲與穩(wěn)定性

  • 低噪聲:固定版本在10Hz至100kHz頻率范圍內(nèi)輸出電壓噪聲為10μVRMS。
  • 穩(wěn)定性:搭配4.7μF的小尺寸陶瓷電容即可穩(wěn)定工作。

2.5 輸出電壓斜率控制

具備可控的輸出電壓斜率,有5mV/μs、10mV/μs、30mV/μs和100mV/μs四種選項(xiàng)可供選擇。

2.6 環(huán)保特性

該器件為無(wú)鉛、無(wú)鹵素/無(wú)溴化阻燃劑(BFR),符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)。

三、引腳功能說(shuō)明

DFNW8引腳號(hào) WDFNW6引腳號(hào) 引腳名稱 引腳描述
1, 2 1 OUT 穩(wěn)壓輸出電壓,輸出應(yīng)使用4.7μF陶瓷電容旁路。
7, 8 6 IN 輸入電壓供應(yīng)引腳。
5 4 EN 芯片使能引腳,VEN < 0.4V時(shí)禁用穩(wěn)壓器,VEN > 1V時(shí)啟用LDO。
6 5 PG Power Good,開(kāi)集電極輸出,需使用10k至100k的上拉電阻連接到輸出、輸入或其他電壓(參考最大額定值)。
4 3 GND 公共接地連接。
3 2 FB 可調(diào)輸出反饋引腳(僅適用于可調(diào)版本)。
3 2 SNS 感應(yīng)反饋引腳,在PCB上必須連接到OUT引腳(僅適用于固定版本)。
PAD PAD PAD 暴露焊盤(pán)應(yīng)連接到接地平面以實(shí)現(xiàn)更好的散熱。

四、絕對(duì)最大額定值

在使用NCV8189時(shí),必須注意其絕對(duì)最大額定值,超過(guò)這些限制可能會(huì)損壞器件。以下是主要的絕對(duì)最大額定值: 參數(shù) 符號(hào) 單位
輸入電壓(注1) VIN 0.3至6V V
輸出電壓 VOUT -0.3至VIN + 0.3,最大6V V
芯片使能輸入 VEN 0.3至6V V
Power Good電壓 VPG 0.3至6V V
Power Good電流 IPG 20mA mA
輸出短路持續(xù)時(shí)間 tSC 無(wú)限制 s
最大結(jié)溫 TJ 150°C °C
存儲(chǔ)溫度 TSTG -55至150°C °C
ESD能力,人體模型(注2) ESDHBM 2000V V
ESD能力,充電器件模型(注2) ESDCDM 1000V V

注1:安全工作區(qū)域請(qǐng)參考電氣特性和應(yīng)用信息。 注2:該器件系列具有ESD保護(hù),通過(guò)特定方法進(jìn)行測(cè)試。

五、熱特性

不同封裝的NCV8189熱特性有所不同,以下是WDFNW6 - 2x2和DFNW8 - 3x3封裝的熱特性參數(shù): 封裝類型 參數(shù) 符號(hào) 單位
WDFNW6 - 2x2 結(jié)到環(huán)境熱阻(注3) ReJA 60 °C/W
結(jié)到外殼(頂部)熱阻 RBJC(top) 167 °C/W
結(jié)到外殼(底部)熱阻(注4) RBJC(bot) 6.9 °C/W
結(jié)到電路板熱阻 ReJB 6.6 °C/W
結(jié)到頂部特性參數(shù) WJT 4.6 °C/W
結(jié)到電路板特性參數(shù) WJB 6.5 °C/W
DFNW8 - 3x3 結(jié)到環(huán)境熱阻(注3) ReJA 44.4 °C/W
結(jié)到外殼(頂部)熱阻 RBJC(top) 115 °C/W
結(jié)到外殼(底部)熱阻(注4) RBJC(bot) 6.9 °C/W
結(jié)到電路板熱阻 ReJB 6.3 °C/W
結(jié)到頂部特性參數(shù) WJT 5.7 °C/W
結(jié)到電路板特性參數(shù) WJB 6.3 °C/W

注3:自然對(duì)流下的結(jié)到環(huán)境熱阻是在高K電路板(2s2p,1in2,1oz Cu)上按照J(rèn)EDEC51.7指南進(jìn)行模擬得到的。 注4:結(jié)到外殼(底部)熱阻是通過(guò)對(duì)IC暴露焊盤(pán)進(jìn)行冷板測(cè)試模擬得到的。

六、電氣特性

電氣特性是評(píng)估器件性能的重要依據(jù),NCV8189在不同條件下的電氣特性如下:

6.1 關(guān)機(jī)電流

  • VEN ≤ 0.4V,TJ ≤ 125°C時(shí),典型值為0.1μA,最大值為3.5μA。
  • VEN ≤ 0.4V,TJ > 125°C時(shí),最大值為3.5μA。

6.2 EN引腳閾值電壓

  • EN輸入電壓為“H”時(shí),VENH最小值為1V。
  • EN輸入電壓為“L”時(shí),VENL最大值為0.4V。

6.3 EN下拉電流

VEN = 5V時(shí),典型值為0.2μA,最大值為0.6μA。

6.4 Power Good閾值電壓

  • 輸出電壓上升時(shí),VPGUP為95%。
  • 輸出電壓下降時(shí),VPGDW為90%。

6.5 Power Good輸出電壓低

IPG = 1mA,開(kāi)漏輸出時(shí),典型值為30mV,最大值為100mV。

6.6 開(kāi)啟延遲時(shí)間

COUT = 4.7μF,從VEN有效到VOUT開(kāi)始上升的時(shí)間,典型值為85μs。

6.7 斜率時(shí)間

不同選項(xiàng)下,從VEN有效到VOUT達(dá)到95%VOUT(NOM)的斜率時(shí)間不同,“C”選項(xiàng)為5mV/μs,“D”選項(xiàng)為10mV/μs,“E”選項(xiàng)為30mV/μs,“F”選項(xiàng)為100mV/μs。

6.8 電源抑制比

VOUT(NOM) = 3.3V,IOUT = 100mA時(shí),f = 1kHz時(shí)典型值為85dB,f = 10kHz時(shí)為75dB,f = 100kHz時(shí)為53dB,f = 1MHz時(shí)為40dB。

6.9 輸出電壓噪聲(固定版本)

f = 10Hz至100kHz,IOUT = 100mA時(shí),典型值為10μVRMS。

6.10 熱關(guān)斷閾值

溫度上升時(shí),TsDH典型值為165°C,溫度遲滯THYST為15°C。

6.11 有源輸出放電電阻

VEN < 0.4V,AD版本時(shí),典型值為250Ω。

七、典型特性曲線

文檔中給出了一系列典型特性曲線,包括輸出電壓與溫度、壓差電壓與溫度、電流限制與溫度等關(guān)系曲線。這些曲線能幫助工程師直觀地了解器件在不同條件下的性能表現(xiàn),在實(shí)際設(shè)計(jì)中具有重要的參考價(jià)值。例如,通過(guò)輸出電壓與溫度的曲線,我們可以預(yù)測(cè)在不同溫度環(huán)境下輸出電壓的變化情況,從而進(jìn)行相應(yīng)的補(bǔ)償設(shè)計(jì)。

八、應(yīng)用信息

8.1 應(yīng)用場(chǎng)景

NCV8189適用于通信系統(tǒng)、車(chē)載網(wǎng)絡(luò)、遠(yuǎn)程信息處理、信息娛樂(lè)和集群以及通用汽車(chē)等領(lǐng)域。

8.2 Power Good輸出連接

該器件的Power Good功能可更好地與MCU系統(tǒng)接口,其輸出為開(kāi)集電極類型,能吸收高達(dá)10mA的電流。推薦工作電流在10μA至1mA之間,以獲得低飽和電壓。外部上拉電阻可連接到最高5.5V的任何電壓。當(dāng)LDO通過(guò)使能輸入禁用時(shí),Power Good內(nèi)部電路仍能正常工作,但待機(jī)電流會(huì)增加。若要將Power Good用于電源排序功能并要求低待機(jī)電流,建議將外部上拉電阻連接到NCV8189的輸出電壓。同時(shí),建議使用有源放電選項(xiàng)來(lái)放電連接到LDO的輸出電容。

8.3 輸入去耦(CIN)

建議在器件的IN和GND引腳之間連接至少4.7μF的陶瓷X5R或X7R電容,它能為疊加在恒定輸入電壓上的任何不需要的交流信號(hào)或噪聲提供低阻抗路徑,減少輸入走線電感和源電阻在負(fù)載電流突然變化時(shí)的影響。更高電容和更低ESR的電容將改善整體線路瞬態(tài)響應(yīng)。

8.4 輸出去耦(COUT)

NCV8189對(duì)輸出電容的最小等效串聯(lián)電阻(ESR)沒(méi)有要求,使用2.2μF或更大的標(biāo)準(zhǔn)陶瓷電容即可穩(wěn)定工作。為了在所有條件(溫度、輸出電流負(fù)載等)下獲得最佳性能和穩(wěn)定性,建議使用4.7μF或更高的電容,X5R和X7R類型的電容在溫度變化時(shí)電容變化最小,較為合適。但需注意,過(guò)高的輸出電容(如100μF及以上)在某些條件下,特別是輕負(fù)載條件下,可能會(huì)導(dǎo)致不穩(wěn)定。

8.5 受控輸出電壓斜率

NCV8189具有內(nèi)部輸出電壓斜率控制,使能事件后有大約85μs的死區(qū)時(shí)間用于所有內(nèi)部LDO模塊的正確啟動(dòng),之后輸出電壓從0單調(diào)上升到標(biāo)稱輸出電壓??偡€(wěn)定時(shí)間由電壓選項(xiàng)和斜率決定,用戶可從4種選項(xiàng)中選擇。需要注意的是,輸出噪聲會(huì)按VOUT / VFIX或VOUT / VFB的比例放大。

8.6 可調(diào)版本

如果用戶需要非標(biāo)準(zhǔn)/特殊電壓選項(xiàng)且對(duì)輸出噪聲要求較高,可使用固定版本并在輸出電壓和SNS引腳之間連接外部電阻分壓器。此時(shí),原固定電壓成為電阻分壓器和反饋回路的參考電壓,輸出電壓可以等于或高于原固定選項(xiàng),范圍為0.6V至5.0V。為了減少流入FB和SNS引腳的電流對(duì)輸出電壓精度的影響,建議R1和R2的值在1k至220k之間。

8.7 功率耗散和散熱

器件的最大功耗取決于電路板設(shè)計(jì)和布局,PCB上的安裝焊盤(pán)配置、電路板材料和環(huán)境溫度會(huì)影響器件結(jié)溫的上升速率。為了可靠運(yùn)行,結(jié)溫應(yīng)限制在+150°C。NCV8189能處理的最大功耗可通過(guò)公式 $P{D( MAX )}=\frac{\left[T{J( MAX )}-T{A}\right]}{R{B J A}}$ 計(jì)算。

九、訂購(gòu)信息

NCV8189有多種型號(hào)可供選擇,不同型號(hào)對(duì)應(yīng)不同的電壓選項(xiàng)、斜率選項(xiàng)和封裝類型,具體如下: 器件型號(hào) 電壓選項(xiàng) 標(biāo)記 選項(xiàng) 封裝 包裝
NCV8189CMTWADJTAG ADJ AL 帶有源輸出放電,斜率5mV/μs WDFNW6 2x2(無(wú)鉛) 3000/卷帶和卷軸
NCV8189FMTW080TAG 0.80V AR 帶有源輸出放電,斜率100mV/μs WDFNW6 2x2(無(wú)鉛) 3000/卷帶和卷軸
NCV8189CMTW075TAG 0.75V AF 帶有源輸出放電,斜率5mV/μs WDFNW6 2x2(無(wú)鉛) 3000/卷帶和卷軸
NCV8189CMTW180TAG 1.80V AG 帶有源輸出放電,斜率5mV/μs WDFNW6 2x2(無(wú)鉛) 3000/卷帶和卷軸
NCV8189CMTW280TAG 2.80V AJ 帶有源輸出放電,斜率5mV/μs WDFNW6 2x2(無(wú)鉛) 3000/卷帶和卷軸
NCV8189CMTW330TAG 3.30V AK 帶有源輸出放電,斜率5mV/μs WDFNW6 2x2(無(wú)鉛) 3000/卷帶和卷軸
NCV8189CMLADJTCG ADJ 8189 ADJ 帶有源輸出放電,斜率5mV/μs DFNW8 3x3(無(wú)鉛) 3000/卷帶和卷軸
NCV8189CML120TCG 1.20V 8189 120 帶有源輸出放電,斜率5mV/μs DFNW8 3x3(無(wú)鉛) 3000/卷帶和卷軸
NCV8189CML100TCG(開(kāi)發(fā)中) 1.00V 8189 100 帶有源輸出放電,斜率5mV/μs DFNW8 3x3(無(wú)鉛) 3000/卷帶和卷軸

其他電壓選項(xiàng)和斜率選項(xiàng)(D / E / F)可按需提供。

十、機(jī)械封裝尺寸

文檔還提供了DFNW8 3x3和WDFNW6 2x2封裝的機(jī)械尺寸和標(biāo)記圖,這些信息對(duì)于電路板設(shè)計(jì)和器件安裝非常重要,工程師在設(shè)計(jì)時(shí)需要嚴(yán)格按照這些尺寸進(jìn)行布局,以確保器件的正確安裝和使用。

綜上所述,ON Semiconductor的NCV8189 LDO穩(wěn)壓器憑借其出色的性能和豐富的特性,為電子工程師在電源設(shè)計(jì)方面提供了一個(gè)優(yōu)秀的選擇。在實(shí)際應(yīng)用中,工程師需要根據(jù)具體的需求和設(shè)計(jì)要求,合理選擇器件型號(hào)和參數(shù),并注意各項(xiàng)應(yīng)用注意事項(xiàng),以充分發(fā)揮該器件的優(yōu)勢(shì),實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定可靠的電源設(shè)計(jì)。你在使用NCV8189或者其他LDO穩(wěn)壓器時(shí),遇到過(guò)哪些問(wèn)題呢?歡迎在評(píng)論區(qū)分享交流。

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