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當光隔離探頭遇上14bit低底噪示波器

君鑒科技 ? 2025-12-03 17:32 ? 次閱讀
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2024年9月,是德科技發(fā)布了全新硬件14bit ADC的臺式示波器,它采用了UXR示波器的超低底噪前端技術(shù),將示波器的噪聲水平大幅度降低?;?4bit ADC和低噪聲模擬前端技術(shù),HD3示波器的底噪低至50uV以下,只有同類產(chǎn)品一半甚至更低,可以幫助工程師朋友們輕松應對超低紋波、小信號、低功耗等嚴苛的測試需求。

2025年3月,是德科技發(fā)布了PS000xA系列全新的光隔離探頭產(chǎn)品,專為提升寬禁帶半導體如SiC、GaN等快速開關(guān)器件的測試效率和準確性。PS000xA系列探頭提供最大1GHz帶寬和±2500V的耐壓。這些探頭適用于功率轉(zhuǎn)換、電機驅(qū)動和逆變器等領(lǐng)域,特別是在驗證半橋和全橋架構(gòu)時,能夠測量高共模電壓下的微小差分信號。

當用戶進行開關(guān)電源上管Vgs驅(qū)動信號測試時,傳統(tǒng)的高壓差分探頭受制于較低的共模抑制比,較小的差分Vgs信號(一般2-15V以內(nèi))很容易受到較大共模電壓(一般數(shù)百-數(shù)千V)影響。同時我們并不能用適合2-15V電壓范圍的差分探頭進行測試,因為它們的共模耐壓也是同樣水平,一般需要用等同共模電壓的差分探頭進行測試,這也給測試帶來了很多額外噪聲,而光隔離探頭完美的解決了這些問題。

那如果用超低底噪的HD3示波器,配合高共模抑制比的光隔離探頭,會有什么不一樣的效果?


雙脈沖上管測試

開關(guān)器件的性能,往往通過下管測試進行評估。針對功率器件開關(guān)損耗測試,電源工程師朋友都會覺得利用示波器準確的計算規(guī)定時間內(nèi)的積分非常麻煩。利用HD3示波器的“光標跟蹤測量”和“基于光標的計算”功能可以輕松實現(xiàn)開啟和關(guān)斷功耗的測試。


雙脈沖下管測試及損耗分析

除了更便于MOSFET損耗測試外,HD3基于其14bit ADC,超低的底噪以及高達100Mpts的存儲深度,深受電源工程師的喜愛。小編給大家總結(jié)了HD3示波器針對電源行業(yè)的幾大優(yōu)勢:

簡化MOSFET開關(guān)損耗測試

高精度邊沿電壓觸發(fā)對測試Vds peak電壓非常有幫助

業(yè)界領(lǐng)先的紋波測量精度(低至50uV的底噪,特別是配合N7020A電源完整性探頭)

高精度PSRR & Bode圖測試

優(yōu)異FFT噪聲底

更高的觸發(fā)靈敏度–HD3觸發(fā)靈敏度可達0.01格(其他示波器通常為0.6格)

更強的抗噪能力 – HD3采用數(shù)字觸發(fā),相較于模擬觸發(fā)示波器,在高壓大功率環(huán)境下的抗噪能力更強,有效減少誤觸發(fā)。

支持光隔離探頭,提供更具性價比的寬禁帶器件測試方案

基于14bit ADC,更適合于GaN MOSFET動態(tài)電阻的測試

更深存儲深度–高達100Mpts

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