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芯長征雙賽道發(fā)力:功率半導(dǎo)體賦能具身智能與AIDC高效發(fā)展

Big-Bit商務(wù)網(wǎng) ? 來源:芯長征科技 ? 2025-12-08 15:59 ? 次閱讀
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文章來源:芯長征科技 作者:芯長征科技

隨著人工智能技術(shù)從虛擬走向現(xiàn)實,具身智能與人工智能數(shù)據(jù)中心AIDC)已成為驅(qū)動科技產(chǎn)業(yè)升級的核心賽道。政策層面,具身智能納入國家“十五五”戰(zhàn)略布局,AIDC建設(shè)被納入《算力基礎(chǔ)設(shè)施高質(zhì)量發(fā)展行動計劃》,兩大領(lǐng)域均迎來政策與市場的雙重紅利。江蘇芯長征微電子集團股份有限公司依托芯片設(shè)計、模塊封裝、檢測設(shè)備自主可控的垂直產(chǎn)業(yè)鏈,以Virtual-IDM模式打造高適配性功率半導(dǎo)體產(chǎn)品,為兩大領(lǐng)域提供可靠器件支撐。

一、具身智能領(lǐng)域:低壓MOS助力智能設(shè)備高效運行

具身智能設(shè)備(如工業(yè)協(xié)作機器人、智能移動載體、康復(fù)輔助設(shè)備)的核心訴求集中在高功率密度、低損耗、小體積與寬溫適配,48V電源架構(gòu)已成為行業(yè)主流,對100V等級功率器件提出明確需求。芯長征針對性推出低壓MOS產(chǎn)品MPGS10R015AMH,精準匹配場景需求。

產(chǎn)品名稱:MPGS10R015AMH

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來源:芯長征

核心參數(shù):

①核心電氣參數(shù):漏源電壓(VDS)=100V,該參數(shù)決定器件可承受的最大電源電壓,適配具身智能設(shè)備、小型電源等低壓供電場景;

②連續(xù)漏極電流(ID)=353A,這一特性可滿足小型智能機械臂關(guān)節(jié)電機、便攜式智能設(shè)備驅(qū)動模塊等的電流需求,保障負載動作穩(wěn)定;

③導(dǎo)通電阻(RDS(on))=1.5mΩ_max@VD=10V,低導(dǎo)通電阻能顯著降低電流通過時的功率損耗,減少器件發(fā)熱,既適配設(shè)備長時間運行,也能提升能量利用效率;

④封裝:TOLL,該封裝具備小體積、散熱效率較高的特點,適合智能設(shè)備中高密度的電路布局,節(jié)省PCB板空間。同時,工業(yè)級MOSFET通常工作溫度范圍為-55℃~150℃,此寬溫特性可讓器件適配戶外、工業(yè)車間等溫差較大的場景,避免溫度波動影響性能;

⑤開關(guān)特性參數(shù):作為增強型N溝道MOSFET,其開關(guān)響應(yīng)速度較快,柵極電荷(Qg)通常處于低水平區(qū)間,可快速響應(yīng)柵極電壓信號變化,縮短開關(guān)延遲。該特性適配具身智能設(shè)備傳感器反饋后的快速動作調(diào)整、電源模塊高頻開關(guān)等場景,提升AIDC設(shè)備響應(yīng)靈敏度;

技術(shù)亮點:

①超低導(dǎo)通損耗,能效優(yōu)勢顯著;

②高電流承載能力,適配重載場景;

③精準閾值電壓,驅(qū)動控制更可靠;

④小體積封裝,適配高密度集成需求;

⑤適配多場景,兼容性與通用性強;

應(yīng)用場景:

集中在各類具身智能載體的AIDC核心動力與電源管理模塊,具體如下:

①工業(yè)與協(xié)作機器人關(guān)節(jié)驅(qū)動;

②具身智能移動設(shè)備動力控制;

③康復(fù)與輔助類智能穿戴設(shè)備;

④邊緣端具身智能設(shè)備電源模塊;

⑤具身智能交互設(shè)備驅(qū)動電路;

客戶價值:

①降低AIDC算力研發(fā)與生產(chǎn)成本,減少客戶綜合投入;

a. 簡化電路與散熱設(shè)計成本;

b. 適配高密度集成,節(jié)省空間成本;

②提升AIDC算力終端設(shè)備性能,優(yōu)化客戶產(chǎn)品體驗;

a. 保障設(shè)備長時間穩(wěn)定運行;

b. 延長設(shè)備續(xù)航,適配多場景使用;

③增強產(chǎn)品市場競爭力,助力客戶拓展場景與收益;

a. 支撐產(chǎn)品差異化功能開發(fā);

b. 適配多場景拓展,擴大客戶市場覆蓋;

④降低AIDC算力運維與售后成本,提升客戶服務(wù)口碑;

二、AIDC領(lǐng)域:SiCMOS適配高壓高效供電需求

AIDC算力需求持續(xù)激增,單機架功耗已從10kW級邁向150kW級,800V HVDC與固態(tài)變壓器(SST)架構(gòu)成為解決傳統(tǒng)供電線損大、能效低的核心方案,對1200V等級高壓功率器件的低損耗、高可靠性與擴容能力提出嚴苛要求。芯長征推出兩款SiCMOS模塊,完美適配場景升級需求。

(1)產(chǎn)品名稱:MPFFB240M12E3

wKgZO2kyUPWAGD7iAAA0gPG4Z64682.jpg

來源:芯長征

核心參數(shù):

①電壓參數(shù)

a. 漏源電壓(Vdss):1200V,作為寬禁帶碳化硅器件,該高壓規(guī)格可適配中大功率場景下的高壓供電系統(tǒng),滿足新能源、工業(yè)電源等領(lǐng)域的高壓轉(zhuǎn)換需求;

b. 柵源電壓:穩(wěn)態(tài)與瞬態(tài)耐壓能力優(yōu)異,瞬態(tài)最大柵源電壓可達+23V和-10V;較常規(guī)器件擴大的電壓窗口提升了驅(qū)動靈活性,也降低了驅(qū)動電路設(shè)計難度;

②導(dǎo)通電阻參數(shù):導(dǎo)通電阻(Rds(on))為4mΩ,該低導(dǎo)通電阻特性是其核心優(yōu)勢之一。在同樣芯片面積下,搭配M1H增強型技術(shù),能有效減少導(dǎo)通損耗,提升模塊效率,同時降低AIDC算力系統(tǒng)的散熱需求,適配高頻工作場景;

③溫度參數(shù):

a. 過載工作結(jié)溫(Tvjop):過載工況下最高可達175℃,寬溫度適應(yīng)范圍讓AIDC算力模塊能應(yīng)對工業(yè)設(shè)備、新能源裝置等高強度運行時的發(fā)熱場景,減少因高溫導(dǎo)致的停機故障;

b. 模塊集成NTC溫度傳感器,可實時監(jiān)測工作溫度,便于系統(tǒng)及時調(diào)整運行狀態(tài),進一步保障器件在復(fù)雜溫度環(huán)境下的穩(wěn)定工作;

④封裝與結(jié)構(gòu)參數(shù):

a. 封裝規(guī)格:采用EasyDUAL?2B封裝,部分型號采用氮化鋁陶瓷材料,模塊高度僅12.25mm,屬于同類產(chǎn)品中較輕薄的規(guī)格,利于AIDC設(shè)備內(nèi)部緊湊布局。

b. 采用PressFIT壓接技術(shù),不僅簡化了裝配流程,還能提升AIDC算力模塊與電路板連接的可靠性;同時模塊雜散電感極低,可減少開關(guān)過程中的電壓尖峰,保護器件并提升系統(tǒng)穩(wěn)定性。

⑤其他關(guān)鍵特性參數(shù)

a. 依托寬禁帶(WBG)碳化硅材料,具備優(yōu)異的高頻工作能力,能助力系統(tǒng)實現(xiàn)更高功率密度,減少無源元件體積;且DCB基板材料導(dǎo)熱性出色,可快速導(dǎo)出工作熱量,進一步降低散熱系統(tǒng)的設(shè)計成本。

b. 支持并聯(lián)使用,通過多模塊并聯(lián)可適配更大功率場景,同時能實現(xiàn)良好的均流表現(xiàn),增強大功率系統(tǒng)運行時的穩(wěn)定性,適配充電樁、工業(yè)變頻器等大功率設(shè)備的功率擴展需求。

技術(shù)亮點:

①基于M1H增強型技術(shù)的卓越電氣性能;

a. 低損耗且穩(wěn)定的導(dǎo)通特性;

b. 柵極驅(qū)動安全且靈活;

c. 寬溫域穩(wěn)定運行;

②優(yōu)化的封裝與結(jié)構(gòu)設(shè)計;

a. 低雜散電感與高可靠性裝配;

b. 高效散熱與溫度可控;

③適配大功率場景的拓展能力;

a. 支持并聯(lián)擴容且均流性好;

b. 高頻適配性提升系統(tǒng)集成效率;

應(yīng)用場景:

作為1200V、4mΩ的碳化硅半橋模塊,憑借高壓適配、低損耗、支持并聯(lián)擴容等特性,契合AIDC(人工智能數(shù)據(jù)中心)高功率密度、高效率的供電需求,主要應(yīng)用于其核心供配電環(huán)節(jié),具體領(lǐng)域如下:

①高壓直流(HVDC)供電系統(tǒng);

②固態(tài)變壓器(SST)核心部件;

③服務(wù)器側(cè)54V/48V配電網(wǎng)絡(luò)轉(zhuǎn)換器;

④大功率冗余電源模塊;

客戶價值:

AIDC設(shè)備作為適配高壓場景的碳化硅半橋模塊,契合AIDC對高功率、高效率、高穩(wěn)定性的核心訴求,其客戶價值集中在降低綜合成本、提升AIDC算力部署能力、保障供電可靠等多個關(guān)鍵維度,具體如下:

①大幅壓縮AIDC設(shè)備運營與能耗成本;

②助力提升AIDC機房算力密度與空間利用率;

③強化AIDC設(shè)備供電穩(wěn)定性,降低業(yè)務(wù)中斷風險;

④提升AIDC方案適配性,降低AIDC設(shè)備研發(fā)與升級成本;

(2)產(chǎn)品名稱:MPFFB530MK3

wKgZPGkyUPaARCYCAABVkuzxGyQ390.jpg

來源:芯長征

核心參數(shù):

①電氣核心參數(shù):

電壓規(guī)格漏源極電壓(VDSS,Tvj=25°C)=1200V

柵源峰值電壓(VGSS)=-10V/20V

柵極閾值電壓(VGS(th))=3.45-5.15V

電流規(guī)格直流漏極電流(IDnom,Tvj=175°C,VGS=15V)=500A

脈沖漏極電流(IDpulse)=1000A

直流體二極管正向電流(ISD,Tvj=175°C,VGS=?5V)=160A

電阻與損耗漏源通態(tài)電阻(RDS(on),Tj=25°C)=2mΩ;

內(nèi)部柵極電阻(RGint,Tvj=25°C)=0.8Ω

結(jié)-散熱器熱阻(RthJH)=0.104K/W

開關(guān)與電容特性開通延遲時間(tdon,電感負載,Tvj=25°C)=83.4ns

關(guān)斷延遲時間(tdoff,電感負載,Tvj=25°C)=22.0ns

輸入電容(Ciss,f=1MHz,Tvj=25°C)=39.7nF

輸出電容(Coss,f=1MHz,Tvj=25°C)=2.20nF

反向傳輸電容(Crss,f=1MHz,Tvj=25°C)=0.302nF

機械與封裝參數(shù)

a. 封裝規(guī)格:采用AG-62MMHB封裝,屬于62mm系列半橋模塊,外形長度106.4mm,寬度61.4mm;

b. 其他機械特性:支持預(yù)先涂抹熱界面材料,適配標準構(gòu)造技術(shù),便于集成到各類電力電子設(shè)備的散熱和裝配體系中。

③其他關(guān)鍵參數(shù)

a. 工作結(jié)溫范圍為-40-150°C,能適配工業(yè)場景的復(fù)雜溫度環(huán)境;

b. 具備高宇宙射線抗性、卓越的柵極氧化層可靠性和高抗?jié)裥裕瑫r集成堅固的體二極管,適配UPS、儲能、太陽能、充電樁等工業(yè)應(yīng)用場景的嚴苛工況。

技術(shù)亮點

1200V規(guī)格的CoolSiC?MOSFET半橋模塊,融合了M1H芯片技術(shù)與62mm封裝優(yōu)勢,技術(shù)亮點集中在電能轉(zhuǎn)換效率、運行可靠性、適配靈活性等多個關(guān)鍵維度,具體如下:

①高效電能轉(zhuǎn)換,降低AIDC設(shè)備系統(tǒng)能耗與散熱壓力:

a. 低損耗與高電流密度設(shè)計;

b. 高速開關(guān)性能;

②高可靠性設(shè)計,適配復(fù)雜嚴苛工況;

a. 多重環(huán)境與工況抗性;

b. 堅固的集成體二極管;

③結(jié)構(gòu)與工藝優(yōu)化,提升AIDC算力適配性與量產(chǎn)穩(wěn)定性;

a. 對稱封裝與標準工藝;

b. 靈活的裝配選項;

應(yīng)用場景:

AIDC算力正朝著超高功率密度、高轉(zhuǎn)換效率的方向升級,800V高壓直流架構(gòu)已成為其核心供配電趨勢。作為1200VCoolSiC?MOSFET半橋模塊,憑借低損耗、高可靠性等特性,主要應(yīng)用于AIDC設(shè)備的供配電核心設(shè)備中,具體場景如下:

①固態(tài)變壓器(SST)核心部件;

②高壓直流(HVDC)電源系統(tǒng);

③不間斷電源(UPS)升級適配;

④配套儲能系統(tǒng)功率轉(zhuǎn)換;

客戶價值:

AIDC設(shè)備憑借CoolSiC?M1H芯片技術(shù)與62mm封裝的核心優(yōu)勢,適配AIDC在高壓供電、高效算力保障等場景的核心需求,能從成本控制、運營穩(wěn)定性、系統(tǒng)升級適配等多方面為客戶創(chuàng)造顯著價值,具體如下:

①降低AIDC設(shè)備全生命周期成本,優(yōu)化客戶投入回報:

a. 削減硬件與散熱成本;

b. 減少長期能耗與維護開支;

②保障AIDC算力持續(xù)穩(wěn)定輸出,降低客戶業(yè)務(wù)風險;

③適配技術(shù)升級趨勢,提升客戶系統(tǒng)靈活擴展性;

④降低技術(shù)落地門檻,助力客戶快速部署應(yīng)用;

三、結(jié)語:以技術(shù)實力賦能賽道升級

從具身智能設(shè)備的精準驅(qū)動到AIDC的高效供電,芯長征始終以垂直產(chǎn)業(yè)鏈為根基,聚焦AIDC設(shè)備場景核心需求打造功率半導(dǎo)體產(chǎn)品。依托Virtual-IDM模式的整合優(yōu)勢與自主研發(fā)實力,芯長征在低壓MOS與高壓SiCMOS領(lǐng)域形成差異化競爭力,為兩大新興賽道提供兼具可靠性與性價比的器件解決方案。

未來,芯長征將持續(xù)深耕功率半導(dǎo)體技術(shù),緊跟具身智能與AIDC產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢,迭代優(yōu)化產(chǎn)品性能,拓展更多AIDC設(shè)備應(yīng)用場景。無論是智能機器人的靈活運動,還是AIDC算力中心的穩(wěn)定供電,芯長征都將以專業(yè)的產(chǎn)品與服務(wù),成為產(chǎn)業(yè)鏈合作伙伴的堅實支撐。歡迎關(guān)注芯長征,了解更多產(chǎn)品動態(tài)與技術(shù)進展,共探科技產(chǎn)業(yè)升級新機遇

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    2025年全國《政府工作報告》首次提出“建立未來產(chǎn)業(yè)投入增長機制”,將智能與生物制造、量子科技等并列為重點培育的未來產(chǎn)業(yè)。在國家戰(zhàn)略驅(qū)動下,多城市“領(lǐng)跑”
    的頭像 發(fā)表于 05-22 16:26 ?1442次閱讀
    從“單腦”到“<b class='flag-5'>雙</b>腦”:<b class='flag-5'>具</b><b class='flag-5'>身</b><b class='flag-5'>智能</b>機器人邁向L4時代的核心架構(gòu)革新

    元智AX8850:以邊緣算,讓智能觸手可及

    ”的創(chuàng)新IC新品推介。受主辦方邀請,愛元智半導(dǎo)體股份有限公司聯(lián)合創(chuàng)始人、副總裁劉建偉帶來了《AX8850:以邊緣算,讓
    的頭像 發(fā)表于 05-13 18:16 ?7811次閱讀
    愛<b class='flag-5'>芯</b>元智AX8850:以邊緣算<b class='flag-5'>力</b>,讓<b class='flag-5'>具</b><b class='flag-5'>身</b><b class='flag-5'>智能</b>觸手可及

    馳科技D9-Max:面向智能應(yīng)用的高性能邊緣AI SoC

    今天,由中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會集成電路設(shè)計分會、原股份共同主辦的第十五屆松山湖中國IC創(chuàng)新高峰論壇在東莞松山凱悅酒店舉行,今年的主題是面向“智能
    的頭像 發(fā)表于 05-13 10:34 ?7703次閱讀
    <b class='flag-5'>芯</b>馳科技D9-Max:面向<b class='flag-5'>具</b><b class='flag-5'>身</b><b class='flag-5'>智能</b>應(yīng)用的高性能邊緣AI SoC

    單串多串鋰電池升壓方案用什么?HT7180輕松解決聚半導(dǎo)體禾潤一級代理

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    發(fā)表于 05-08 18:21