威兆半導(dǎo)體推出的VS3508AS是一款面向 - 30V 低壓場景的 P 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET，支持 5V 邏輯電平控制，采用 SOP8 封裝，適配低壓電源的高側(cè)開關(guān)、負(fù)載控制等領(lǐng)域。

一、產(chǎn)品基本信息

• 器件類型：P 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET
• 核心參數(shù)：
  • 漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：-30V（P 溝道耐壓為負(fù)值，適配 30V 低壓場景）；
  • 導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=-10V\)時(shí) 8.0mΩ、\(V_{GS}=-4.5V\)時(shí) 15mΩ，低壓場景下傳導(dǎo)損耗低；
  • 連續(xù)漏極電流（\(I_D\)，\(V_{GS}=-10V\)）：\(T=25^\circ\text{C}\)時(shí) - 13A、\(T=100^\circ\text{C}\)時(shí) - 8A，滿足低壓負(fù)載的電流需求；
  • 脈沖漏極電流（\(I_{DM}\)）：-52A（\(T=25^\circ\text{C}\)），可應(yīng)對(duì)瞬時(shí)大電流沖擊。

二、核心特性

• 5V 邏輯電平控制：適配 5V 邏輯驅(qū)動(dòng)（P 溝道通過拉低柵極電壓導(dǎo)通），簡化低壓電路設(shè)計(jì)；
• 低導(dǎo)通電阻：8.0~15mΩ 的阻性表現(xiàn)，降低低壓場景的傳導(dǎo)損耗；
• 環(huán)保合規(guī)：滿足無鹵及 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，適配綠色電子制造。

三、關(guān)鍵電氣參數(shù)（\(T=25^\circ\text{C}\)，除非特殊說明）

四、封裝與應(yīng)用場景

• 封裝形式：SOP8 表面貼裝封裝，包裝規(guī)格為 3000pcs / 卷，適配小型化電路板設(shè)計(jì)；
• 典型應(yīng)用：
  • 30V 級(jí)低壓電源的高側(cè)負(fù)載開關(guān)；
  • 消費(fèi)電子、物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備的低壓電源通路控制；
  • 低壓電源管理模塊。

五、信息來源

威兆半導(dǎo)體官方產(chǎn)品手冊（注：以上參數(shù)基于手冊標(biāo)注整理，實(shí)際以最新版手冊為準(zhǔn)。）