電動汽車(EV)、可再生能源系統(tǒng)和人工智能(AI)數(shù)據(jù)中心等領域電氣化進程的持續(xù)提速,正不斷給電源系統(tǒng)帶來更大壓力,對電源系統(tǒng)的效率、小型化及低溫運行能力提出了更高要求。這構成了一個長期存在的難題:功率密度的提升與系統(tǒng)尺寸的縮減往往會造成嚴重的散熱瓶頸。
這是當下電源系統(tǒng)設計人員面臨的核心挑戰(zhàn),高效的散熱管理已成為一大設計難關。全球市場正加速碳化硅 (SiC) 技術的應用落地,但散熱設計卻時常成為掣肘 SiC 性能發(fā)揮的因素。傳統(tǒng)封裝方案往往力不從心,難以滿足大功率碳化硅應用的散熱需求,迫使設計人員不得不在開關性能與散熱效率之間做出權衡。
面對日益嚴苛的應用需求,新型封裝方案提供了更優(yōu)的熱管理能力與運行效率。
電氣化挑戰(zhàn)
配電板目前普遍超負荷運行,多數(shù)情況下已觸及散熱能力的極限,工程師再也無法將功率開關產生的多余熱量傳導至這些配電板上。
D2PAK (TO-263-7L) 與TO-247-4L 這兩種MOSFET 封裝因具備相對出色的散熱性能而被廣泛熟知,但在緊湊的空間中,二者的短板便暴露無遺:
TO-247-4L:散熱表現(xiàn)可滿足基本需求,通過簡易的螺絲夾即可與散熱片實現(xiàn)連接,形成通暢的散熱路徑。但在狹小空間內,其引腳、導電線路及周邊電容會形成較大的換流回路(即所有寄生電感的總和),進而可能引發(fā)明顯的電壓過沖、開關速度下降以及開關損耗增加等問題。
D2PAK:作為表面貼裝器件 (SMD),憑借較短的銅質走線,大幅縮小了換流回路面積,可有效緩解雜散電感問題。相比 TO-247-4L,D2PAK 也能實現(xiàn)更快的開關速度。然而,D2PAK 封裝只能經由印刷電路板 (PCB) 散出熱量,這就造成了散熱片和器件之間的熱阻會變得更大。
設計人員亟需一種解決方案,在無需犧牲性能、不必擴大系統(tǒng)體積的前提下,突破上述性能取舍的兩難困境。T2PAK 封裝應運而生。
T2PAK的特別之處
T2PAK封裝將安森美 (onsemi)先進的碳化硅技術,與目前應用最為廣泛的頂部散熱 (TSC) 封裝形式相結合。它獨具匠心的設計可兼顧出色的散熱性能與優(yōu)異的開關性能,不僅兼具 TO-247-4L 和 D2PAK 兩種封裝的優(yōu)勢,還能做到無明顯短板。
頂部散熱優(yōu)勢
TSC 技術可在SMD 中實現(xiàn)MOSFET 與應用散熱片的直接熱耦合,使得熱量能夠脫離配電板,直接傳導至系統(tǒng)的散熱架構或金屬外殼中,從而規(guī)避了D2PAK 封裝需經由PCB 散熱所面臨的散熱瓶頸。優(yōu)勢具體如下:
出色的散熱性能:熱量直接傳導至散熱片,可有效降低器件的工作環(huán)境溫度。
降低熱應力:將熱量從主板導出,可降低其他元器件承受的熱應力,有助于維持 PCB 處于較低溫度,進而延長器件使用壽命并提升系統(tǒng)可靠性。
低雜散電感:像 NTT2023N065M3S和 NVT2023N065M3S這類具備優(yōu)異開關特性的器件,其總柵極電荷 (≈74 nC) 與輸出電容 (≈195 pF) 均處于極低水平,可實現(xiàn)更高的可靠性和更低的損耗。
設計靈活性:EliteSiC 出色的品質因數(shù) (FOM),與頂部散熱型 T2PAK 封裝相結合,能夠助力設計人員實現(xiàn)更高效率、更小尺寸的應用方案。

圖 1:車規(guī)級安森美 T2PAK 封裝 EliteSiC M3S 系列 MOSFET 的規(guī)格參數(shù)

圖2:安森美T2PAK 封裝EliteSiC M3S 系列MOSFET 的規(guī)格參數(shù)
T2PAK 產品組合提供豐富的選型方案,其中涵蓋了計劃推出的12 mΩ、16 mΩ、23 mΩ、32 mΩ、45 mΩ和60 mΩ規(guī)格器件,均適配650 V 和950 V 電壓等級的EliteSiC M3S 系列MOSFET。
一般技術特性
合規(guī)性:符合 IEC 60664-1 爬電距離標準,即兩個導電部件沿絕緣材料表面的最短間距需滿足不小于 5.6 mm 的要求
實測散熱性能:對于 12 mΩ 規(guī)格的器件,其結殼熱阻可低至 0.35 °C/W,散熱表現(xiàn)優(yōu)于 D2PAK 封裝
安裝靈活性:可兼容液隙填充劑、導熱墊片及陶瓷絕緣片,便于實現(xiàn)散熱堆疊結構的優(yōu)化
市場影響與應用
2025 年全年,T2PAK 產品已開啟全球送樣工作。此款封裝可充分適配各類高要求的工業(yè)及汽車領域應用。
電動汽車
在車載充電器 (OBC)、傳動系統(tǒng)部件及電動汽車充電樁等電車應用場景中,T2PAK 往往是需求最為旺盛的封裝方案。由于 OBC 通??山尤胲囕v的液冷系統(tǒng),TSC 技術能夠借助導熱界面,將功率開關產生的熱量導入液冷系統(tǒng)中。
降低雜散電感可實現(xiàn)更高的功率效率,因為消除換流回路問題能有效減少開關損耗。再結合對 IEC 爬電距離標準的嚴格遵守,可進一步鞏固制造商對客戶的安全保障承諾。
工業(yè)與能源基礎設施
憑借優(yōu)異的散熱效率,TSC 封裝正迅速在太陽能系統(tǒng)中站穩(wěn)腳跟。實踐表明,T2PAK 封裝可適配光伏電能變換、儲能系統(tǒng) (ESS) 等先進新型基礎設施應用場景的需求。
超大規(guī)模AI 數(shù)據(jù)中心
數(shù)據(jù)中心依賴機架式 AC-DC 和 DC-DC 電源及配電單元運行,整個超大規(guī)模架構的設計均圍繞這類電源單元的便捷取用與更換展開。隨著液冷技術在數(shù)據(jù)中心中逐漸蔚然成風,T2PAK 原生的頂部散熱設計可與冷板方案實現(xiàn)良好兼容。在這種方案下,冷卻液可在緊鄰高熱芯片導熱界面的流道內自由循環(huán),將高性能處理器產生的熱量及時導出。據(jù)近期一項研究顯示,冷板方案結合浸沒式冷卻技術,可助力數(shù)據(jù)中心減少多達五分之一的溫室氣體排放。
通過攻克散熱難題,T2PAK 能幫助設計人員實現(xiàn)更高性能、更強可靠性并簡化熱管理。相較于傳統(tǒng)分立器件封裝,采用 T2PAK 可使客戶達成更高的功率密度。
T2PAK 也適用于以下場景:
工業(yè)驅動器及高效 DC-DC 轉換器
全球應用與未來展望
隨著電源系統(tǒng)不斷演進,未來的設計方案將愈發(fā)依賴頂部散熱技術,以滿足嚴苛的效率與尺寸指標。安森美已蓄勢待發(fā),通過將旗下先進的碳化硅技術與 T2PAK 封裝相結合,精準把握行業(yè)發(fā)展契機。
結論
在電氣化重塑各行業(yè)格局的大背景下,安森美推出的 EliteSiC T2PAK 封裝正重新定義高效功率轉換的邊界。采用 T2PAK TSC 封裝的 EliteSiC MOSFET,不僅是封裝技術領域的一次重大突破,更成為推動電氣化進程的關鍵戰(zhàn)略支撐。T2PAK 能夠在無需進行常規(guī)性能取舍的前提下,實現(xiàn)出色的散熱表現(xiàn)、高可靠性與靈活的設計特性,從而攻克了全球各行業(yè)面臨的空間與散熱限制難題。目前,安森美 T2PAK 已面向廣闊市場開放供應,確保這一核心技術能夠被廣泛應用。
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原文標題:散熱難題終結者!細數(shù)碳化硅T2PAK封裝的優(yōu)勢
文章出處:【微信號:onsemi-china,微信公眾號:安森美】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。
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