地彈的定義和原因
地彈是一種在晶體管開關切換(即當PCB地和芯片封裝地處于不同電壓時)期間發(fā)生的噪聲形式,它會中斷高速或高頻操作。
地彈的主要原因是電路中各點地電位存在差異。

在上面的電路中,一個CMOS(器件)連接到一個具有CL電容和RL電阻的輸出負載。其他組件包括:
LA:封裝電源引腳的固有電感
LB:封裝輸出引腳的固有電感
LC:CMOS封裝接地引腳的固有電感
RI:CMOS IC的固有電阻
考慮一種輸出從高電平變?yōu)榈碗娖降那闆r。此時,電流從負載側流出,負載電容放電。該電流 (I) 流過電感LB和LC會產(chǎn)生一個電壓 V=L(di/dt)V=L(di/dt)。
產(chǎn)生的電壓使內(nèi)部CMOS地電位不同于外部負載地電位。因此,內(nèi)部參考地電位高于外部地的零電位。這種差異在電路中產(chǎn)生噪聲,并影響電路中開關器件的工作功能。

減小地彈的方法
在IC封裝的VCC和GND引腳之間部署一個旁路電容。它可以有效旁路電壓尖峰和電源噪聲
只要可能,盡量采用焊盤中過孔(via-in-pads)技術
使用短的信號返回路徑,因為這將減少寄生電容
切勿共享用于接地連接的過孔或走線。使用獨立的過孔和走線連接到地平面

使用低電壓差分信號(LVDS)作為I/O標準。該標準提供高帶寬和高抗噪能力
使用完整的地平面以減少IR損耗和電感,避免使用分割的地平面
直接轉載來源:信號完整性學習之路(作者:廣元兄)。
-
芯片
+關注
關注
463文章
54003瀏覽量
465787 -
CMOS
+關注
關注
58文章
6216瀏覽量
242798 -
晶體管
+關注
關注
78文章
10394瀏覽量
147692 -
地彈
+關注
關注
0文章
12瀏覽量
6765
原文標題:一文讀懂地彈:定義、原因與降噪方法全解析
文章出處:【微信號:gh_454737165c13,微信公眾號:Torex產(chǎn)品資訊】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。
發(fā)布評論請先 登錄
淺談Silabs 的Flash 單片機丟失程序的原因及對策
淺談磚廠熱值機的使用與維護
數(shù)碼照片的噪點與降噪方法
關于真空斷路器合閘彈跳與分閘彈振淺析
減少DC-DC Converter中的地彈
基于SVD和Savitzky-Golay濾波器的信號降噪方法
圖像的小波閾值降噪_小波降噪函數(shù)
基于距離徙動校正的彈速補償FPGA實現(xiàn)方法
淺談地彈的定義、原因與降噪方法
評論