一、什么是RC吸收？

RC吸收是指在電路設(shè)計(jì)中，尤其是在開關(guān)電源、功率電子設(shè)備以及電力電子系統(tǒng)中，使用電阻與電容串聯(lián)組成的電路結(jié)構(gòu)，用于吸收和衰減電路中由于開關(guān)元件（如MOSFET、IGBT等）的快速切換所產(chǎn)生的過電壓和過電流現(xiàn)象。

反激變換器在 MOS 關(guān)斷的瞬間，由變壓器漏感 LLK與 MOS 管的輸出電容造成的諧振尖峰加在 MOS 管的漏極，如果不加以限制，MOS 管的壽命將會(huì)大打折扣。 因此需要采取措施，把這個(gè)尖峰吸收掉。

吸收是針對電壓尖峰而言，電壓尖峰從何而來？電壓尖峰的本質(zhì)是什么？

電壓尖峰的本質(zhì)是一個(gè)對結(jié)電容的dv/dt充放電過程，而dv/dt是由電感電流的瞬變（di/dt）引起的，所以，降低di/dt或者dv/dt的任何措施都可以降低電壓尖峰，這就是吸收。

二、RC吸收的作用是什么？

1、降低尖峰電壓。

2、緩沖尖峰電流。

3、降低di/dt和dv/dt，即改善EMI品質(zhì)。

4、減低開關(guān)損耗，即實(shí)現(xiàn)某種程度的軟開關(guān)。

5、提高效率。提高效率是相對而言的，若取值不合理不但不能提高效率，弄不好還可能降低效率。

三、RC吸收的特點(diǎn)

1、雙向吸收。一個(gè)典型的被吸收電壓波形中包括上升沿、上升沿過沖、下降沿這三部分，RC吸收回路在這三個(gè)過程中都會(huì)產(chǎn)生吸收功率。通常情況下我們只希望對上升沿過沖實(shí)施吸收。因此這意味著RC吸收效率不高。

2、不能完全吸收。這并不是說RC吸收不能完全吸收掉上升沿過沖，只是說這樣做付出的代價(jià)太大。RC吸收最好定一個(gè)合適的吸收指標(biāo)，不要指望它能夠把尖峰完全吸收掉。

3、RC吸收是能量的單向轉(zhuǎn)移，就地將吸收的能量轉(zhuǎn)變?yōu)闊崮?。盡管如此，這并不能說損耗增加了，在很多情況下，吸收電阻的發(fā)熱增加了，與電路中另外某個(gè)器件的發(fā)熱減少是相對應(yīng)的，總效率不一定下降。設(shè)計(jì)得當(dāng)?shù)腞C吸收，在降低電壓尖峰的同時(shí)也有可能提高效率。

四、吸收的誤區(qū)

1、Buck續(xù)流二極管反壓尖峰超標(biāo)，就拼命的在二極管兩端加RC吸收。 這個(gè)方法卻是錯(cuò)誤的。為什么？因?yàn)檫@個(gè)反壓尖峰并不是二極管引起的，盡管表現(xiàn)是在這里。這時(shí)只要加強(qiáng)MOS管的吸收或者采取其他適當(dāng)?shù)拇胧@個(gè)尖峰就會(huì)消失或者削弱。

2、副邊二極管反壓尖峰超標(biāo)，就在這個(gè)二極管上拼命吸收。 這種方法也是錯(cuò)誤的，原因很清楚，副邊二極管反壓尖峰超標(biāo)都是漏感惹的禍，正確的方法是處理漏感能量。

3、反激MOS反壓超標(biāo)，就在MOS上拼命吸收。這種方法也是錯(cuò)誤的。如果是漏感尖峰，或許吸收能夠解決問題。如果是反射電壓引起的，吸收不但不能能夠解決問題的，效率還會(huì)低得一塌糊涂，因?yàn)槟愀淖兞送負(fù)洹?/p>

五、吸收的改善

書上網(wǎng)絡(luò)上都有關(guān)于吸收回路的計(jì)算方法的介紹，但由于寄生參數(shù)的影響，這些公式幾乎沒有實(shí)際意義，實(shí)際上大部分的RC參數(shù)是靠實(shí)驗(yàn)來調(diào)整的，但RC的組合理論上有無窮多，怎么來初選這個(gè)值是很關(guān)鍵的，下面來介紹一些實(shí)用的理論和方法：

1、先不加RC，用容抗比較低的電壓探頭測出原始的震蕩頻率（注意用低電容的探頭，因?yàn)樘筋^的電容會(huì)引起震鈴頻率的改變，使設(shè)計(jì)結(jié)果不準(zhǔn)），此震蕩是由LC 形成的，LC主要是變壓器次級漏感和布線的電感和輸出電容，C主要是二極管結(jié)電容和變壓器次級的雜散電容。

測量二極管D兩端原始振蕩頻率。此設(shè)計(jì)中為33.3MHz（未加RC吸收前）：

2、測出原始震蕩頻率后，可以試著在二極管上面加電容（與二極管并聯(lián)方式），直到震蕩頻率變?yōu)樵瓉淼?/2（一半），如圖增加的電容為470pF，下圖的震蕩頻率變?yōu)?6.7MHz（只加了C9后）：

則原來震蕩的C（雜散電容）為所加電容的1/3（意思是470pF=3*C），震蕩的主體由原來的C變?yōu)榱宋覀兯拥碾娙軨9；

3、知道了吸收電容C9的值就可以算R值了：

則振蕩是阻尼的，此電路中選擇R=33R，可以看到振蕩已基本完全消除（加了RC后）；

一般把R加到吸收C上時(shí)，震蕩就可以大大衰減。這時(shí)再適當(dāng)調(diào)整C值的大小，直到震蕩基本被抑制。

六、吸收電路測試經(jīng)驗(yàn)總結(jié)

1、吸收電容C的影響

1、并非吸收越多損耗越大，適當(dāng)?shù)奈沼幸粋€(gè)效率最高點(diǎn)。

2、吸收電容C的大小與吸收功率（R的損耗）呈正比關(guān)系。即：吸收功率基本上由吸收電容決定。

2、吸收電阻R的影響

1、吸收電阻的阻值對吸收效果干系重大，影響明顯。

2、吸收電阻的阻值對吸收功率影響不大，即：吸收功率主要由吸收電容決定。

3、當(dāng)吸收電容確定后，一個(gè)適中的吸收電阻才能達(dá)到最好的吸收效果。

4、當(dāng)吸收電容確定后，最好的吸收效果發(fā)生在發(fā)生最大吸收功率處。換言之，哪個(gè)電阻發(fā)熱最厲害就最合適。

5、當(dāng)吸收電容確定后，吸收程度對效率的影響可以忽略。