2025年12月19日，OFweek 2025（第十屆）物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)業(yè)大會將在金茂深圳JW萬豪酒店隆重舉行，大會分享各企業(yè)在智能工廠、智慧交通、智慧城市等領(lǐng)域的標桿實踐案例，共商物聯(lián)網(wǎng)終端安全可靠解決方案與標準互認互通之道，東芯半導(dǎo)體股份有限公司也在現(xiàn)場進行了展示與分享。

Part.01

喜獲嘉獎｜芯片技術(shù)突破獎

SPI NOR Flash

該產(chǎn)品搭配

- 40℃-125℃寬溫設(shè)計，攻克車規(guī)級高可靠性難題。契合物聯(lián)網(wǎng)大容量、小體積需求，覆蓋多場景，技術(shù)突破兼具創(chuàng)新性與實用性。

Part.02

大會分享｜干貨滿滿

《低功耗、高可靠存儲產(chǎn)品為物聯(lián)網(wǎng)終端保駕護航》

東芯半導(dǎo)體股份有限公司市場經(jīng)理王竑蒝以《低功耗、高可靠存儲產(chǎn)品，為物聯(lián)網(wǎng)終端保駕護航》為題進行主題演講，為我們深入分享在物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域東芯半導(dǎo)體在產(chǎn)品方面如何創(chuàng)新與適配終端應(yīng)用。

1存儲芯片如何在物聯(lián)網(wǎng)系統(tǒng)中

扮演至關(guān)重要的角色

物聯(lián)網(wǎng)（IoT）是一個復(fù)雜的系統(tǒng)，其核心技術(shù)可以分為三個主要層級：感知層、傳輸層和應(yīng)用層。 每個層級都包含多種關(guān)鍵技術(shù)，涉及傳感器、通信技術(shù)、云計算、邊緣計算、數(shù)據(jù)分析和應(yīng)用交互等多個方面的技術(shù)和組件。

隨著5G、邊緣計算、AIoT（人工智能+物聯(lián)網(wǎng)）等技術(shù)的融合推進，物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)的普及與發(fā)展正在深刻影響著家居、工業(yè)、醫(yī)療、交通等眾多應(yīng)用層領(lǐng)域，開啟萬物互聯(lián)新時代，并帶動了物聯(lián)網(wǎng)芯片的需求，存儲芯片需求隨之增加。

感知層

負責(zé)數(shù)據(jù)的臨時存儲、緩存和本地保存。

產(chǎn)生大量數(shù)據(jù)，存儲芯片需要賦能應(yīng)用穩(wěn)定工作，安全長久存儲數(shù)據(jù)且不丟失。

傳輸層

保障數(shù)據(jù)的可靠性、實時性和效率。

存儲芯片不僅是數(shù)據(jù)存儲的載體，更是提升傳輸效率、安全性和智能化水平的核心組件。

應(yīng)用層

分類多樣化，覆蓋場景范圍持續(xù)擴大。

存儲芯片與物聯(lián)網(wǎng)終端多樣性進行適配，形成了面向不同行業(yè)應(yīng)用需求的差異化接入能力。

2提供低功耗、高可靠存儲芯片產(chǎn)品

為物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用保駕護航

東芯半導(dǎo)體股份有限公司作為Fabless芯片企業(yè)，擁有獨立自主的知識產(chǎn)權(quán)，聚焦于中小容量NAND/NOR/DRAM芯片的研發(fā)、設(shè)計和銷售，是目前國內(nèi)少數(shù)可以同時提供NAND/NOR/DRAM設(shè)計工藝和產(chǎn)品方案的存儲芯片研發(fā)設(shè)計公司。

產(chǎn)品多樣

深耕存儲主業(yè)，構(gòu)建了六大利基型產(chǎn)品結(jié)構(gòu)，

滿足物聯(lián)網(wǎng)多樣化需求。

SPI NAND:單顆粒芯片設(shè)計

PPI NAND:高可靠性

NOR Flash:大容量&低功耗

DDR3(L):低電壓&高傳輸速率

LPDDR1/2/4X:低電壓

MCP:低電壓設(shè)計,合二為一封裝

持續(xù)創(chuàng)新

以客戶需求為導(dǎo)向，建立了產(chǎn)品線短、中、長期的多層次開發(fā)計劃，持續(xù)完善研究開發(fā)的系統(tǒng)化平臺，為后續(xù)產(chǎn)品迅速迭代及平臺工藝演進打下堅實基礎(chǔ)。

產(chǎn)業(yè)協(xié)同

打造了具有“本土深度、全球廣度”的供應(yīng)鏈體系，堅持“雙軌并行”的發(fā)展策略積極拓展境內(nèi)外雙代工模式，可提供從設(shè)計到產(chǎn)業(yè)化的一站式解決方案。

迭代升級

聚焦高附加值產(chǎn)品、向先進制程持續(xù)推進，

SLC NAND Flash、NOR Flash 等產(chǎn)品

陸續(xù)有更多料號通過AEC-Q100 的驗證，

適用于要求更為嚴苛的車規(guī)級應(yīng)用環(huán)境。

Automotive Grade 2/1 -40°C~105°C/125°C

公司設(shè)計研發(fā)的1xnm NAND Flash、48nm NOR Flash均為我國領(lǐng)先的閃存芯片工藝制程，實現(xiàn)了國內(nèi)閃存芯片的技術(shù)突破。

一起探索東芯半導(dǎo)體產(chǎn)品更多驚喜吧！

東芯，為日益發(fā)展的存儲需求提供高效可靠的解決方案！

關(guān)于東芯

東芯半導(dǎo)體以卓越的MEMORY設(shè)計技術(shù)，專業(yè)的技術(shù)服務(wù)實力，通過國內(nèi)外技術(shù)引進和合作，致力打造成為中國本土優(yōu)秀的具有自主知識產(chǎn)權(quán)的存儲芯片設(shè)計公司。