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剖析存儲芯片及技術(shù)在AI領(lǐng)域的應(yīng)用

麗臺科技 ? 來源:麗臺科技 ? 2025-12-29 15:24 ? 次閱讀
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2025 年下半年以來,全球 DRAM 內(nèi)存價格大幅上漲,部分型號售價一度達(dá)到往常的兩倍以上。業(yè)內(nèi)分析普遍認(rèn)為,這場漲價潮主要由 AI 算力需求的爆炸式增長與供應(yīng)鏈調(diào)整共同推動,且這一趨勢預(yù)計將持續(xù)。在此背景下,深入理解驅(qū)動 AI 革命的存儲技術(shù)變得至關(guān)重要。本文將系統(tǒng)梳理與AI 緊密相關(guān)的核心存儲芯片及技術(shù),剖析它們?nèi)绾卧诓煌瑘鼍跋轮纹鹬悄苡嬎愕暮A繑?shù)據(jù)需求。

提到存儲,多數(shù)用戶首先會想到硬盤(SSD)或內(nèi)存(DRAM)。從云端 AI 服務(wù)器到邊緣智能設(shè)備,都離不開這兩大基石。從技術(shù)本質(zhì)看,硬盤領(lǐng)域的 SATA / NVMe 接口 SSD,乃至手機中的存儲芯片,均基于NAND Flash(非易失性存儲器)技術(shù)。它通過晶體管存儲電荷來記錄數(shù)據(jù),斷電后信息依然保留。為突破物理平面極限,當(dāng)前主流技術(shù)已演進(jìn)至 3D NAND,通過縱向堆疊存儲單元,在同等芯片面積下實現(xiàn)了更高的存儲密度、更低的功耗、更佳的耐用性與更快的讀寫速度,同時有效降低了單位成本。

與 NAND 作為“數(shù)據(jù)倉庫”的角色不同,DRAM(動態(tài)隨機存取存儲器)充當(dāng)了系統(tǒng)的“工作臺”。它通過電容存儲數(shù)據(jù),但由于電容會自然放電,需要定期刷新,因此屬于易失性存儲器,斷電后數(shù)據(jù)會丟失。在 AI 服務(wù)器和個人電腦中,DRAM 最常見的形態(tài)是內(nèi)存條,其采用DDR(雙倍數(shù)據(jù)速率)技術(shù)。 DDR 能夠在帶寬、延遲、容量和成本間取得平衡,因此被廣泛用作系統(tǒng)主內(nèi)存,目前主流已進(jìn)入 DDR5 時代。

除了 DDR 內(nèi)存,在 AI 領(lǐng)域應(yīng)用同樣廣泛的還有GDDR(Graphics Double Data Rate)——這是獨立顯卡(GPU)的專用顯存。無論是 AI 計算場景,還是圖形渲染任務(wù),GPU 都需要顯存提供高速的數(shù)據(jù)存儲與讀取支持;若顯存帶寬不足,將直接制約整體計算效率的提升。

例如,NVIDIA RTX PRO 5000 Blackwell配備 48GB 超高速 GDDR7 的內(nèi)存,有助于加速臺式電腦上的 AI 開發(fā)、LLM 推理和生成式 AI 工作流,以及高保真仿真、視頻制作和復(fù)雜 3D 建模等操作。借助 RTX PRO 5000 可以無縫運行本地 AI 助手,通過神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)渲染制作逼真的視覺效果,并優(yōu)化工程和科學(xué)研究所需的精度關(guān)鍵型仿真,所有這些操作都以卓越的穩(wěn)定性高速運行。

在 AI 領(lǐng)域,除了 GDDR 顯存類型的存儲芯片外,一些高端的數(shù)據(jù)中心 GPU 比如 H20、H200 等型號,它采用的是HBM 內(nèi)存(High Bandwidth Memory),HBM 和 GDDR 最大的不同是采用了 3D 堆疊技術(shù),GDDR 可以理解為平鋪在 PCB 上,互聯(lián)方式采用 PCB 主板走線通信,而 HBM 則是將多個 DRAM 核心摞起來,堆疊的各層之間通過貫穿硅片的微型垂直通道—硅通孔連接,提供了短且多的內(nèi)部互聯(lián)通道,目前最新的 HBM3e 可以實現(xiàn) 8TB / 秒的顯存帶寬,高于 GDDR 方案數(shù)倍,多適用于超大規(guī)模的 AI 訓(xùn)練與 HPC 業(yè)務(wù)。

并非所有 AI 場景都需要如此卓越的性能,在邊緣計算和桌面工作站等場景中,功耗、散熱和空間限制同樣關(guān)鍵。此時,LPDDR 技術(shù)(Low Power Double Data Rate SDRAM)便成為理想選擇。它通過降低工作電壓、引入精細(xì)的電源狀態(tài)管理,實現(xiàn)了出色的能效比。NVIDIA DGX Spark便是一例:它采用 Grace CPU + Blackwell GPU 的 GB10 超級芯片,并創(chuàng)新性地配備了 128GB LPDDR5x 統(tǒng)一內(nèi)存供 CPU 與 GPU 共享。這種設(shè)計大幅減少了數(shù)據(jù)搬運延遲,使得開發(fā)者能在單臺最大功耗僅 240W 的桌面設(shè)備上,對參數(shù)高達(dá) 2,000 億的大模型進(jìn)行微調(diào)與推理。

在更嚴(yán)苛的邊端場景,比如生產(chǎn)車間、碼頭、工地這些工業(yè)場景,同樣需要使用到 AI 算力進(jìn)行目標(biāo)檢測,人臉識別,危險預(yù)警等業(yè)務(wù),這種場景下更考驗?zāi)芎纳?,因為設(shè)備往往需要放置在弱電箱內(nèi)。在此場景下麗臺科技基于NVIDIA Jetson系列產(chǎn)品進(jìn)行開發(fā),提供了多種場景可選的 AI 工控機,涵蓋 NVIDIA Jetson Orin、NVIDIAJetson Thor 系列,此系列產(chǎn)品全部是采用了 LPDDR5 技術(shù)的顯存。下面以LEADTEK 麗臺 嵌入式工控機 8F5E2為例。

? LEADTEK 麗臺 嵌入式工控機 8F5E2

基于 NVIDIA Jetson AGX Orin/AGX Xavier 開發(fā),算力高達(dá) 275 TOPS,被動式散熱,I / O 接口豐富,可擴(kuò)展性強,多場景靈活部署。

應(yīng)用場景:車路協(xié)調(diào)、機器視覺、安防邊檢、智慧物流、工業(yè)自動化

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▲ 嵌入式工控機 8F5E2

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注:搭載 AGX ORIN 時支持 USB 3.1 功能,并向下兼容。搭載 AGX Xavier 時,僅支持 USB 2.0 功能

AI 的蓬勃發(fā)展并非僅依賴于處理器算力單點突破,更得益于一個多層次、協(xié)同高效的存儲生態(tài)系統(tǒng)。從數(shù)據(jù)中心里提供高帶寬的 HBM,到顯卡中負(fù)責(zé)高吞吐的 GDDR;從服務(wù)器內(nèi)平衡全能的 DDR,到邊緣設(shè)備中能效優(yōu)先的 LPDDR,再到所有數(shù)據(jù)的最終歸宿——海量、非易失的 NAND Flash,每一種存儲技術(shù)都在自己最擅長的位置上,解決了 AI 在不同規(guī)模、不同場景下面臨的特定數(shù)據(jù)挑戰(zhàn)。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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原文標(biāo)題:AI 算力狂奔,存儲芯片能跟上嗎?

文章出處:【微信號:Leadtek,微信公眾號:麗臺科技】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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