電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/莫婷婷）2026年初，“一盒內(nèi)存條堪比上海一套房”的話題沖上熱搜。據(jù)媒體報(bào)道，256GB DDR5服務(wù)器內(nèi)存單條價(jià)格超過(guò)4萬(wàn)元，若一次性采購(gòu)一盒100根，總價(jià)高達(dá)400萬(wàn)元——這一數(shù)字足以在一線城市核心區(qū)購(gòu)置一套房產(chǎn)。

“一盒內(nèi)存抵一套房”成為當(dāng)前全球存儲(chǔ)市場(chǎng)劇烈波動(dòng)的真實(shí)寫(xiě)照。與此同時(shí)，受存儲(chǔ)市場(chǎng)蹴球帶動(dòng)，相關(guān)企業(yè)股價(jià)狂飆。


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大廠鎖貨、小廠觀望：存儲(chǔ)漲價(jià)下的產(chǎn)業(yè)鏈兩極分化
金融圖表分析平臺(tái)TradingView的數(shù)據(jù)顯示，2025年美股漲幅前十榜單中，前四名清一色為存儲(chǔ)企業(yè)：閃迪全年暴漲577%，西部數(shù)據(jù)、美光科技、希捷科技漲幅均超200%。就在1月6日，閃迪股價(jià)漲幅20%，刷新盤(pán)中歷史新高，達(dá)到349.63美元；西部數(shù)據(jù)也大漲16.77%。

在國(guó)內(nèi)，普冉股份20cm漲停，股價(jià)創(chuàng)歷史新高，達(dá)到182.01元，江波龍、德明利、恒爍股份、佰維存儲(chǔ)等漲幅超過(guò)10%，集體大漲。

回顧2025年，全球存儲(chǔ)市場(chǎng)走出“前低后高”的V型曲線。上半年，受智能手機(jī)、PC等終端去庫(kù)存影響，NAND Flash與DRAM價(jià)格一度承壓。但自3月起，隨著下游需求實(shí)質(zhì)性回暖，疊加原廠主動(dòng)減產(chǎn)控貨，供需格局開(kāi)始扭轉(zhuǎn)。

據(jù)CFM閃存市場(chǎng)數(shù)據(jù)，2025年上半年，DRAM綜合價(jià)格指數(shù)飆升47.7%，NAND Flash亦上漲9.2%；而進(jìn)入下半年，漲幅進(jìn)一步加速，部分品類(lèi)現(xiàn)貨價(jià)格累計(jì)漲幅超300%。

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目前，針對(duì)存儲(chǔ)價(jià)格的持續(xù)上漲，市場(chǎng)上的終端客戶分化為兩類(lèi)：

一類(lèi)是具備較強(qiáng)現(xiàn)金流和成本承受能力的企業(yè)，通常為大型整機(jī)廠商、頭部消費(fèi)電子品牌或資金充裕的行業(yè)龍頭。這類(lèi)客戶對(duì)供應(yīng)鏈穩(wěn)定性要求極高，他們往往通過(guò)簽訂長(zhǎng)期協(xié)議、提前鎖價(jià)或分批備貨等方式來(lái)平抑波動(dòng)風(fēng)險(xiǎn)，能夠接受當(dāng)前較高的采購(gòu)價(jià)格。另一類(lèi)則是中小型企業(yè)或利潤(rùn)空間本就微薄的客戶，其現(xiàn)金流較為緊張，對(duì)成本變動(dòng)極為敏感。

面對(duì)當(dāng)前存儲(chǔ)價(jià)格持續(xù)上漲的局面，電子發(fā)燒友網(wǎng)了解到，部分終端客戶持“看跌不看漲”的觀望態(tài)度，即便市場(chǎng)整體呈現(xiàn)存儲(chǔ)需求翻倍增長(zhǎng)的態(tài)勢(shì)，仍不敢貿(mào)然下單。此外，由于存儲(chǔ)代理商普遍要求一次性付清貨款，單次采購(gòu)成本高昂。

業(yè)內(nèi)人士舉例，LPDDR4X芯片單價(jià)約為20美元，容量更大的型號(hào)可達(dá)40美元一顆甚至不等，假設(shè)采購(gòu)一包（約為1200顆）的貨，就至少需要支付16萬(wàn)元，而同樣的資金在過(guò)去足以采購(gòu)五六包。高昂的采購(gòu)門(mén)檻進(jìn)一步加劇了終端客戶的謹(jǐn)慎心理。不僅終端客戶下單趨于保守，部分代理商也因風(fēng)險(xiǎn)過(guò)高而不敢輕易囤貨。

這種兩極分化的需求格局，反過(guò)來(lái)又加劇了市場(chǎng)的波動(dòng)性與不確定性，也使得代理商和原廠在制定銷(xiāo)售策略時(shí)面臨更大挑戰(zhàn)。

目前來(lái)看，全球存儲(chǔ)芯片供應(yīng)短期內(nèi)難以顯著放量，主要受限于頭部廠商產(chǎn)能擴(kuò)張的節(jié)奏。此外，三星華城工廠作為生產(chǎn)DRAM顆粒與NAND Flash存儲(chǔ)芯片的重要生產(chǎn)地，在2025年年底經(jīng)歷了火災(zāi)，盡管官方未披露具體損失細(xì)節(jié)，但業(yè)內(nèi)普遍認(rèn)為這會(huì)在一定程度上推高當(dāng)前市場(chǎng)價(jià)格。

另一方面，據(jù)韓國(guó)媒體報(bào)道，三星正積極布局產(chǎn)能恢復(fù)與長(zhǎng)期擴(kuò)張。公司已正式?jīng)Q定重啟位于平澤市的P5晶圓廠建設(shè)項(xiàng)目，并已進(jìn)入基礎(chǔ)設(shè)施工程的招標(biāo)階段；同時(shí)，現(xiàn)有的平澤P4工廠也傳出將進(jìn)行產(chǎn)能擴(kuò)充的新動(dòng)向。

然而，半導(dǎo)體制造工廠從規(guī)劃、建設(shè)到設(shè)備安裝、良率爬坡，周期通常長(zhǎng)達(dá)12至18個(gè)月。即便加速推進(jìn)，上述新增產(chǎn)能在2026年內(nèi)也難以形成實(shí)質(zhì)性產(chǎn)出。因此，在未來(lái)一年內(nèi)，全球存儲(chǔ)市場(chǎng)仍將處于“供不應(yīng)求、增量有限”的緊平衡狀態(tài)。

產(chǎn)業(yè)鏈多維應(yīng)對(duì)：技術(shù)迭代、成本重構(gòu)
英偉達(dá)CEO黃仁勛在CES上提到：就存儲(chǔ)而言，這目前是一個(gè)完全未被開(kāi)發(fā)的市場(chǎng)，一個(gè)從未存在過(guò)的市場(chǎng)。黃仁勛認(rèn)定AI存儲(chǔ)很可能成為全球最大的存儲(chǔ)市場(chǎng)，它將承載全球人工智能的工作記憶。

當(dāng)前，漲價(jià)的核心驅(qū)動(dòng)力來(lái)自AI基礎(chǔ)設(shè)施的爆發(fā)式擴(kuò)張。AI訓(xùn)練和推理的需求持續(xù)上漲，增長(zhǎng)，特別是數(shù)據(jù)中心對(duì)HBM3E及通用服務(wù)器DRAM的需求呈指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)。江波龍基于采用LPDDR5X技術(shù)的SOCAMM產(chǎn)品，結(jié)合MRDIMM、LPCAMM2、CAMM2、CXL2.0內(nèi)存拓展模塊補(bǔ)齊未來(lái)產(chǎn)品版圖。佰維則有SATASSD、PCIeSSD、CXL內(nèi)存及RDIMM內(nèi)存條，應(yīng)用于數(shù)據(jù)中心、通用服務(wù)器、AI/ML服務(wù)器、云計(jì)算、大數(shù)據(jù)等場(chǎng)景。

美光在接受電子發(fā)燒友網(wǎng)的“2026半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)展望”專題中提到，由于供應(yīng)持續(xù)緊張，預(yù)計(jì)2026年全球DRAM與NAND整體出貨增速仍將受限。但總體來(lái)看，行業(yè)出貨量有望在2025年的基礎(chǔ)上實(shí)現(xiàn)約20%的同比增長(zhǎng)。在此背景下，美光正積極響應(yīng)客戶需求，預(yù)計(jì)公司自身的DRAM與NAND出貨量可實(shí)現(xiàn)約20%的增長(zhǎng)。

在消費(fèi)電子領(lǐng)域，AI PC正加速普及，其存儲(chǔ)配置顯著提升，LPDDR5X逐步取代DDR4成為主流，1TB SSD成為中高端機(jī)型標(biāo)配，而高密度、低成本的QLC NAND方案也在快速滲透入門(mén)級(jí)市場(chǎng)。就在近期，美光推出業(yè)界首款面向客戶端計(jì)算的 PCIe 5.0 QLC SSD，基于 G9 NAND，順序讀取速率高達(dá) 11,000 MB/s，順序?qū)懭胨俾矢哌_(dá) 9,300 MB/s， 4TB 容量。

手機(jī)端同樣呈現(xiàn)“雙升”趨勢(shì)——據(jù)CFM預(yù)測(cè)，2025年智能手機(jī)平均NAND容量將達(dá)224GB。DRAM平均容量升至8GB，通過(guò)提升單機(jī)價(jià)值量來(lái)攤薄單位存儲(chǔ)成本。

值得注意的是，部分芯片廠商開(kāi)始“向后兼容”尋求緩沖。業(yè)內(nèi)消息指出，AMD正積極籌備“復(fù)活”老款A(yù)M4平臺(tái)產(chǎn)品。AM4作為其2016年推出的經(jīng)典CPU接口，基于DDR4內(nèi)存，支持Ryzen 1000至5000系列處理器，擁有龐大的存量用戶基礎(chǔ)和成熟的主板生態(tài)。在當(dāng)前DDR5內(nèi)存價(jià)格高企的背景下，復(fù)用AM4平臺(tái)可幫助用戶繼續(xù)使用成本較低的DDR4內(nèi)存，延緩升級(jí)壓力，為市場(chǎng)提供一條高性價(jià)比的過(guò)渡路徑。

小結(jié)：
存儲(chǔ)芯片的此輪漲價(jià)，將對(duì)整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈帶來(lái)新的影響。短期來(lái)看，價(jià)格高位運(yùn)行已成定局；中長(zhǎng)期而言，唯有通過(guò)技術(shù)創(chuàng)新、架構(gòu)優(yōu)化與供應(yīng)鏈協(xié)同，才能穿越周期波動(dòng)、尋求破局。