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CoolSiC MOSFET 650V第二代

產(chǎn)品，新增75m?型號(hào)

CoolSiC MOSFET 650V第二代器件基于性能卓越的第一代溝槽SiC MOSFET技術(shù)打造，通過(guò)提升性能、增強(qiáng)設(shè)計(jì)靈活性及魯棒性，實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)性價(jià)比的飛躍。該系列在硬開關(guān)與軟開關(guān)拓?fù)渲芯軐?shí)現(xiàn)頂級(jí)的效率、高頻開關(guān)特性及可靠性。

產(chǎn)品型號(hào)：

■IMBG65R075M2H

■IMW65R075M2H

■IMZA65R075M2H

■IMLT65R075M2H

■IMTA65R075M2H

產(chǎn)品特性

卓越的器件優(yōu)值

同類最佳的導(dǎo)通電阻

高魯棒性與整體品質(zhì)

靈活的驅(qū)動(dòng)電壓范圍

支持單極性驅(qū)動(dòng)（關(guān)斷柵壓VGS,off=0 V）

更低的熱阻

采用.XT擴(kuò)散焊技術(shù)

支持頂部與底部雙側(cè)散熱

TOLL封裝：與所有8x8mm FET引腳完全兼容

應(yīng)用價(jià)值

優(yōu)化系統(tǒng)成本

單位成本下的系統(tǒng)性能最大化

最高的可靠性

可實(shí)現(xiàn)頂尖效率與功率密度

簡(jiǎn)化組裝與散熱設(shè)計(jì)

支持水冷設(shè)計(jì)

支持無(wú)風(fēng)扇或散熱片的設(shè)計(jì)

更低的雜散電感

更優(yōu)的柵極控制性能

競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)

TOLL封裝在嚴(yán)苛的高功率應(yīng)用中，以卓越的可靠性取代D2PAK、TO247及TO220封裝，并可實(shí)現(xiàn)最大功率密度

TOLT封裝頂部散熱設(shè)計(jì)是液冷系統(tǒng)的理想選擇，并與高度同為2.3mm的Q-DPAK封裝形成互補(bǔ)

應(yīng)用領(lǐng)域

單相組串式逆變器解決方案

儲(chǔ)能系統(tǒng)

通信設(shè)備開關(guān)電源

邊緣計(jì)算設(shè)備開關(guān)電源

服務(wù)器電源

電視電源

人形機(jī)器人充電

電池充電系統(tǒng)

輕型電動(dòng)車輛

電動(dòng)自行車充電

電機(jī)驅(qū)動(dòng)

家用空調(diào)

暖通空調(diào)系統(tǒng)