近日，存儲芯片設(shè)計公司芯天下技術(shù)股份有限公司向港交所遞交上市申請書。

芯天下專注代碼型閃存芯片的研發(fā)、設(shè)計和銷售，以Fabless模式為客戶提供從1Mbit至8Gbit寬容量范圍的代碼型閃存芯片。根據(jù)灼識咨詢的資料，該公司是業(yè)內(nèi)代碼型閃存芯片產(chǎn)品覆蓋最全面的少數(shù)廠商之一，也是國內(nèi)少數(shù)能同時滿足客戶NOR Flash和SLC NAND Flash產(chǎn)品需求的廠商。

芯天下主要提供代碼型閃存芯片、模擬芯片及MCU。這些獨(dú)立功能單元可與閃存芯片產(chǎn)品形成協(xié)同效應(yīng)，通過優(yōu)化產(chǎn)品應(yīng)用性能為客戶提 供更具成本效益的可靠解決方案。我們的產(chǎn)品具有性能指標(biāo)優(yōu)異、可靠性高、兼容性 強(qiáng)等特點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用于網(wǎng)絡(luò)通訊、AI通訊、消費(fèi)電子產(chǎn)品、智能家居、物聯(lián)網(wǎng)、工業(yè) 醫(yī)療、汽車電子產(chǎn)品及計算機(jī)與周邊設(shè)備等多個領(lǐng)域。

2025年前9個月實(shí)現(xiàn)扭虧

營收和凈利潤方面，芯天下于2023年、2024年及截至2025年9月30日止九個月的收入分別為人民幣662.9百萬元、人民幣442.1百萬元及人民幣379.1百萬元。同期，毛利分別為人民幣102.7百萬元、人民幣61.9百萬元及人民幣71.3百萬元，相應(yīng)毛利率分別為 15.5%、14.0%及18.8%。

于2023年及2024年分別錄得虧損凈額人民幣14.0百萬元及人民幣37.1百萬元。截至2025年9月30日止九個月，錄得凈利潤人民幣8.4百萬元，而 2024年同期則錄得虧損凈額人民幣18.8百萬元。

芯天下的營收主要來自NOR、SLC NAND及MCP產(chǎn)品，以及模擬IC和MCU產(chǎn)生收入。

圖：各產(chǎn)品線銷售金額

圖：各產(chǎn)品線銷量及平均售價

圖：各產(chǎn)品線毛利潤

來自銷售代碼型閃存芯片的收入分別占往績記錄期各期間總收入約95.6%、94.5%及93.8%。

圖：代碼型閃存芯片營收占比超90%

代碼型閃存芯片市場

全球閃存芯片的市場規(guī)模預(yù)計將于2030年達(dá)888億美元，2024年至2030年的復(fù)合年增長率達(dá)4.5%。在此情況下，AI技術(shù)在邊緣設(shè)備中的加速滲透為代碼型閃存芯片帶來強(qiáng)勁的市場動能，該種芯片為提升本地化代碼存儲與執(zhí)行的即時效能及可靠性的關(guān)鍵元件。因此，代碼型閃存芯片的整體閃存芯片市場份額持續(xù)增加，由2020年的6.1%增至2024年的7.2%，并預(yù)期于2030年達(dá)9.3%。

代碼型閃存芯片主要分為NOR Flash和SLC NAND Flash兩類。NOR Flash通常用于中小容量代碼的存儲和快速讀取，以及5G基站、汽車電子等對可靠性要求較高的應(yīng)用場景；SLC NAND Flash通常用于大容量代碼的存儲和快速擦寫操作。

以收入計，全球NORFlash和SLC NAND Flash的市場規(guī)模分別從2020年的19億美元和17億美元增長至2024年的28億美元和21億美元，預(yù)計將于2030年分別增長至44億美元和39億美元，2024至2030年復(fù)合年增長率分別達(dá)到8.1%和10.4%。

隨著各行業(yè)數(shù)字化、智能化進(jìn)程的推進(jìn)，全球范圍內(nèi)各個下游應(yīng)用場景對代碼型閃存芯片的需求不斷增長，推動市場規(guī)模持續(xù)擴(kuò)容。其中，網(wǎng)絡(luò)通訊、智能家居、工業(yè)、消費(fèi)電子、汽車電子是當(dāng)前代碼型閃存芯片的核心應(yīng)用場景，2024年對應(yīng)的市場規(guī)模占整體代碼型閃存芯片市場規(guī)模分別為21.6%、6.8%、15.7%、25.2%及21.7%。

中國作為全球領(lǐng)先的制造大國，其龐大的智能終端制造需求為代碼型閃存芯片帶來了廣闊的市場機(jī)遇，推動代碼型閃存芯片市場規(guī)模不斷擴(kuò)張。2020年至2024年，中國代碼型閃存芯片市場規(guī)模從19億美元增至26億美元，復(fù)合年增長率為8.9%。預(yù)計到2030年，中國代碼型閃存芯片市場規(guī)模將達(dá)到46億美元，占全球市場的55.4%，復(fù)合年增長率為9.9%。與此同時，中國芯片企業(yè)憑借對本土應(yīng)用場景的深刻理解、核心技術(shù)的持續(xù)研發(fā)突破以及產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同能力的穩(wěn)步增強(qiáng)，在產(chǎn)品性能和成本效益方面的競爭力顯著提升，進(jìn)而受到下游廠商的青睞，自身市場份額預(yù)計也將隨之顯著擴(kuò)大。

2024年以收入計，全球代碼型閃存芯片市場的無晶圓廠企業(yè)市場規(guī)模達(dá)1,427.8百萬美元。2024年以代碼型閃存芯片收入計，芯天下在全球所有無晶圓廠企業(yè)中排名第六，市場份額為3.7%。

2024年，以收入計全球SLC NAND Flash及NOR Flash市場的無晶圓廠企業(yè)市場規(guī)模分別達(dá)到463.2百萬美元及964.6百萬美元。于2024年，以SLC NAND Flash收入計，芯天下在全球所有無晶圓廠企業(yè)中排名第四，市場份額為6.6%。于2024年以NOR Flash收入計，芯天下在全球所有無晶圓廠企業(yè)中排名第五，市場份額為2.3%。

產(chǎn)品系列

NOR Flash：芯天下NOR Flash產(chǎn)品存儲容量介乎1 Mbit至2 Gbit，專為存儲及高速隨機(jī)存取中小容量代碼而設(shè)計。我們提供多元化的NOR Flash產(chǎn)品組合，采用ETOX與 NORD工藝平臺，以實(shí)現(xiàn)可靠性、低功耗與緊湊設(shè)計的最佳平衡。我們的NOR Flash產(chǎn)品 的優(yōu)秀性能使其適用于多種不同應(yīng)用領(lǐng)域，包括通信基礎(chǔ)設(shè)施、工業(yè)電子產(chǎn)品及大眾 市場的消費(fèi)電子設(shè)備。

SLC NAND Flash：我們的SLC NAND Flash產(chǎn)品主要采用2xnm工藝節(jié)點(diǎn)，存儲容量介乎1 Gbit至8 Gbit，與NOR Flash相比存儲容量與成本效益均更高。利用專利錯誤校正技術(shù)，我們的SLC NAND Flash產(chǎn)品提供穩(wěn)定性能與長期數(shù)據(jù)完整性，同時維持低功耗。該等特點(diǎn)使我們的SLC NAND Flash適用于需要在持續(xù)運(yùn)作環(huán)境下維持高穩(wěn)定性與能源效益的應(yīng)用。

MCP：為應(yīng)對在小型產(chǎn)品中對高速數(shù)據(jù)傳輸日益增長的需求，我們亦將SLC NAND Flash與DRAM集成以開發(fā)MCP解決方案。

其他模擬芯片：我們的模擬芯片產(chǎn)品線涵蓋電機(jī)驅(qū)動芯片和電源管理芯片。我們的通用型電機(jī)驅(qū)動芯片可用于驅(qū)動直流有刷電機(jī)以及步進(jìn)電機(jī)，滿足多樣化的電機(jī)控制需求。我們的電源管理芯片主要覆蓋充電管理芯片、DC-DC轉(zhuǎn)換器、線性穩(wěn)壓器以及過流 過壓保護(hù)器。

MCU：我們提供8bit及32bit MCU，主要用于各大家電。MCU在與我們的閃存芯片及模擬芯片搭配使用時形成一個完整的功能單元，可以滿足客戶多樣化的應(yīng)用需求。

優(yōu)化高可靠性、高集成、大容量等技術(shù)方向

芯天下致力推動行業(yè)的技術(shù)進(jìn)步和生態(tài)建設(shè)。是國家行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)《半導(dǎo)體集成電路快閃存儲器(FLASH)》的主要參與制定者，與行業(yè)伙伴在產(chǎn)品定義、關(guān)鍵技術(shù)要求、測 試檢驗(yàn)方法等方面共同推動中國快閃存儲器技術(shù)規(guī)范的標(biāo)準(zhǔn)化進(jìn)程。以一線客戶需求為導(dǎo)向，聚焦行業(yè)痛點(diǎn)問題，持續(xù)開展技術(shù)創(chuàng)新和產(chǎn)品迭代，在多個方向?qū)崿F(xiàn)技術(shù)突破，引領(lǐng)行業(yè)往高可靠性、高集成、大容量等方向發(fā)展。

? 高可靠性技術(shù)： 針對NOR Flash業(yè)界長期存在的「單比特電荷丟失」難題，公司自主研發(fā)增強(qiáng)型閃存編程技術(shù)。亦通過創(chuàng)新性地設(shè)計擦寫狀態(tài)實(shí)時監(jiān)控和記錄機(jī)制，結(jié)合擦除冗余備份，實(shí)現(xiàn)對壞塊區(qū)域的無感修復(fù)和動態(tài)替換。因此，這些技術(shù)將NOR Flash的擦除壽命有效延長2倍，提升了產(chǎn)品可靠性。結(jié)合主芯片主動管理方案，有效解決各類因素導(dǎo)致的電荷丟失問題。在基站通信、服務(wù)器、工業(yè)照明控制等需要存儲芯片在高溫環(huán)境下長期工作且保持高 可靠性的應(yīng)用場景，該技術(shù)顯著提高了存儲芯片的數(shù)據(jù)保持能力，使超長時間數(shù)據(jù)存儲的失效比例趨近于0 PPM。

? 先進(jìn)封裝與集成設(shè)計：2016 年，芯天下推出全球尺寸最小的BGA24 封 裝SLC NAND Flash，在同等容量條件下實(shí)現(xiàn)PCB占用面積縮減70%。2020年，創(chuàng)新推出業(yè)界首款的NOR MCP集成化產(chǎn)品，將NOR Flash和PSRAM集成為MCP模 組，滿足物聯(lián)網(wǎng)行業(yè)對芯片小型化的迫切需求。2019年和2022年，先后在 32Mbit和 64Mbit容量段率先分別推出DFN8 2x3x0.55mm和DFN8 2x3x0.4mm NOR Flash產(chǎn)品，同時縮小了芯片面積和封裝面積，成為當(dāng)時行業(yè)內(nèi)55nm工藝NOR Flash中尺寸最小的產(chǎn)品。2019年，獲評年度最佳國產(chǎn)存儲芯片產(chǎn)品獎， 精準(zhǔn)匹配下游智能穿戴產(chǎn)品輕薄化發(fā)展趨勢。2022年，芯天下通過優(yōu)化芯片設(shè) 計和采用先進(jìn)封裝方式，率先實(shí)現(xiàn)2Mbit全球最小尺寸和最小功耗的FODFN6 1.2x0.7x0.4mm NOR Flash的量產(chǎn)，持續(xù)強(qiáng)化其在芯片尺寸和集成度方面的領(lǐng)先優(yōu)勢。

? 大存儲容量： 面向系統(tǒng)啟動速度快、可靠性要求高，且固件及代碼量大的應(yīng)用 場景，高可靠性、大存儲容量的SPI NOR Flash產(chǎn)品長期被海外廠商壟斷。我們 通過封裝技術(shù)創(chuàng)新，采用多芯片堆棧封裝設(shè)計，在不增加芯片面積前提下實(shí)現(xiàn) 容量提升，并引入位線冗余和存儲陣列冗余設(shè)計來提升大容量產(chǎn)品的量產(chǎn)良率。 已成功實(shí)現(xiàn)基于ETOX 55nm工藝的512Mbit、1Gbit及2Gbit SPI NOR Flash的 量產(chǎn)，成為國內(nèi)唯二能夠提供2Gbit超大容量SPI NOR Flash的存儲芯片設(shè)計公司，被廣泛應(yīng)用于通信基站、AI服務(wù)器等應(yīng)用場景。

憑借卓越的產(chǎn)品性能、高可靠性和成本優(yōu)勢，芯天下的產(chǎn)品已成功進(jìn)入包括全球五大通訊設(shè)備廠商、全球三大OLED顯示設(shè)備廠商和全球三大家電廠商在內(nèi)的全球多領(lǐng)域藍(lán)籌客戶的供應(yīng)鏈體系并穩(wěn)定合作，實(shí)現(xiàn)大批量交付和廣泛應(yīng)用。截至2025年9月30日，芯天下產(chǎn)品已被超過2,300家終端客戶應(yīng)用于多元化的應(yīng)用領(lǐng)域，涵蓋網(wǎng)絡(luò)通訊、AI通訊、消費(fèi)電 子產(chǎn)品、智能家居、物聯(lián)網(wǎng)、工業(yè)醫(yī)療、汽車電子產(chǎn)品、計算機(jī)與周邊設(shè)備等。

工藝平臺比較

與傳統(tǒng)的ETOX工藝相比，NORD平臺在功耗、擦寫性能、數(shù)據(jù)保持力和單元尺寸方 面具有顯著優(yōu)勢。相較于SONOS平臺，NORD平臺在高溫可靠性方面表現(xiàn)優(yōu)異，特別適 用于反覆擦寫、高溫和高可靠性的應(yīng)用場景。根據(jù)灼識報告，行業(yè)內(nèi)基于NORD工藝平 臺開發(fā)的NOR Flash產(chǎn)品在-40oC至125oC寬溫范圍內(nèi)表現(xiàn)出優(yōu)異的數(shù)據(jù)保持力，單顆芯片支持超過20萬次的擦寫壽命，在25oC環(huán)境下數(shù)據(jù)有效性可超過20年，最高可達(dá)50年。運(yùn)用NORD工藝平臺，可進(jìn)一步提升產(chǎn)品性能，從而擴(kuò)展在通訊基站與汽車電子等高門檻領(lǐng)域的可觸達(dá)市場。通過利用NORD技術(shù)實(shí)現(xiàn)更小的存儲單元尺寸和更少的光罩層數(shù)，亦降低了芯片制造成本、實(shí)現(xiàn)成本優(yōu)化和改善產(chǎn)品毛利率。

? 大容量覆蓋：在NOR Flash領(lǐng)域，基于成熟的ETOX工藝平臺，芯天下已構(gòu)建1Mbit 至2Gbit的大容量產(chǎn)品系列。此外，在NORD技術(shù)上取得突破，已實(shí)現(xiàn)65nm 制程64Mbit容量的生產(chǎn)，55nm制程128Mbit至2Gbit產(chǎn)品研發(fā)取得關(guān)鍵性進(jìn)展， 將在中小容量領(lǐng)域?yàn)榭蛻籼峁└叱杀靖偁幜?、更高可靠性和更低功耗的產(chǎn)品選擇。在SLC NAND產(chǎn)品在線，其產(chǎn)品容量范圍覆蓋1Gbit至8Gbit，并在 20nm先進(jìn)工藝節(jié)點(diǎn)布局大容量的32Gbit產(chǎn)品研發(fā)，為新一代通信領(lǐng)域等高端應(yīng) 用場景打開市場。

? 全電壓適配：公司閃存產(chǎn)品支持3.3V標(biāo)準(zhǔn)電源供電（適用于光纖網(wǎng)絡(luò)單元、 路由器和其他通訊設(shè)備）、1.8V鋰電池供電（適配可穿戴設(shè)備、通信基站等）以 及1.65V至3.6V寬電壓范圍應(yīng)用。

借鑒全球領(lǐng)先的通用型芯片公司的發(fā)展經(jīng)驗(yàn)，芯天下提出「存儲+」戰(zhàn)略，將業(yè)務(wù)拓展至模擬芯片和MCU領(lǐng)域。構(gòu)建了從「供 電（輸入）— 控制 — 存儲 — 驅(qū)動（輸出）」的完整解決方案，為客戶提供更全面的產(chǎn)品支持，進(jìn)一步提升客戶黏性和單客戶價值。 此外，「AI+」戰(zhàn)略專注于開發(fā)CIM AI芯片。AI硬件端的迭代升級對代碼型閃存芯片的性能、 可靠性及信息安全提出更嚴(yán)格的要求。公司優(yōu)化邊緣AI的產(chǎn)品性能，向高速讀取、低延時、高可靠性、高安全性方向進(jìn)行技術(shù)突破和產(chǎn)品迭代。這些技術(shù)突破將支持設(shè)備實(shí) 現(xiàn)低功耗、實(shí)時推理與邊緣計算能力。同時，在摩爾定律逼近物理極限的背景下，CIM架構(gòu)已成為提升計算能效的關(guān)鍵技術(shù)路徑，芯天下將基于新型存儲器ReRAM研發(fā)CIM AI 芯片，為主控芯片提供功耗更低、效率更高、成本更優(yōu)的AI算力，以滿足物聯(lián)網(wǎng)、可穿戴設(shè)備、智能家居等邊緣計算場景的AI算力需求和信息安全需求。