國(guó)內(nèi)集成電路發(fā)展仍有三短板

近日，首屆中國(guó)國(guó)際智能產(chǎn)業(yè)博覽會(huì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高端論壇上，國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金股份有限公司總裁丁文武總結(jié)了中國(guó)集成電路與國(guó)外發(fā)展的三大差距：集成電路進(jìn)口額巨大，核心技術(shù)依賴進(jìn)口，產(chǎn)業(yè)規(guī)模差距大， 并提出今后集成電路補(bǔ)短板、增長(zhǎng)板的發(fā)展策略。

來(lái)源：澎湃新聞網(wǎng)

下一代存儲(chǔ)器強(qiáng)勢(shì)崛起

新型存儲(chǔ)器仍然是利基產(chǎn)品，但是有很明顯的進(jìn)展。例如，英特爾正在持續(xù)推進(jìn)名為3D XPoint的下一代存儲(chǔ)器。緊接著，GlobalFoundries、三星(Samsung)、臺(tái)積電(TSMC)和聯(lián)華電子(UMC)正在為嵌入式市場(chǎng)開發(fā)新的存儲(chǔ)器類型。有分析認(rèn)為，“真正重要的是，邏輯晶圓廠正在為嵌入式存儲(chǔ)器開發(fā)MRAM和resistance RAM。對(duì)于獨(dú)立的存儲(chǔ)器市場(chǎng)來(lái)說(shuō)，成本很高。只有愿意投入巨大成本的人才會(huì)考慮?！?/p>

因此，傳統(tǒng)存儲(chǔ)器仍然是市場(chǎng)上的主流產(chǎn)品，但新型存儲(chǔ)器也為我們提供了一些選擇。

來(lái)源：全球半導(dǎo)體觀察

半導(dǎo)體硅晶圓“漲”聲不斷 廠商擴(kuò)產(chǎn)需理性

萬(wàn)物互聯(lián)時(shí)代，人們衣食住行等各個(gè)領(lǐng)域正在被物聯(lián)網(wǎng)、人工智能等高新技術(shù)包圍，而這些“黑科技”的實(shí)現(xiàn)都離不開小小的芯片。

或許是因?yàn)樾枨笸?、或許是因?yàn)楫a(chǎn)能不足，生產(chǎn)芯片的原材料——硅晶圓在近一年多時(shí)間里持續(xù)處于缺貨狀態(tài)，據(jù)報(bào)道有的生產(chǎn)廠商甚至已經(jīng)接到了2025年的訂單。

全球第三大硅晶圓制造商環(huán)球晶圓股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱環(huán)球晶圓）在其近日發(fā)布的二季報(bào)中稱，此次硅晶圓市場(chǎng)的快速成長(zhǎng)現(xiàn)象“前所未有”。根據(jù)國(guó)際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)（SEMI）統(tǒng)計(jì)，今年第二季度硅晶圓出貨總面積為31.6億平方英寸，再創(chuàng)全球出貨量新高

來(lái)源：科技日?qǐng)?bào)

政策即將出臺(tái)！深圳坪山重點(diǎn)發(fā)展第三代半導(dǎo)體

8月28日，在2018“芯集坪山”中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)高峰論壇上，電子材料及第三代半導(dǎo)體成為重點(diǎn)話題。深圳市坪山區(qū)政府表示，為推動(dòng)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展，坪山區(qū)即將出臺(tái)產(chǎn)業(yè)政策——《坪山區(qū)人民政府關(guān)于促進(jìn)集成電路第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展若干措施》。

來(lái)源：全球半導(dǎo)體觀察

重慶正式發(fā)布集成電路產(chǎn)業(yè)扶持政策 將設(shè)500億產(chǎn)業(yè)發(fā)展基金

為貫徹落實(shí)國(guó)家關(guān)于發(fā)展集成電路產(chǎn)業(yè)的有關(guān)精神和我市以大數(shù)據(jù)智能化為引領(lǐng)的創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)發(fā)展戰(zhàn)略行動(dòng)計(jì)劃，培育增長(zhǎng)新動(dòng)能，重慶市進(jìn)一步加快集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展，特制定平臺(tái)支持、研發(fā)支持、投資支持、企業(yè)培育、人才支持、服務(wù)保障等政策。其中投資支持就設(shè)立重慶市半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展基金，總規(guī)模為 500 億元，一期規(guī)模為 200 億元。

來(lái)源：重慶兩江半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)研究中心

第三代半導(dǎo)體器件制備及評(píng)級(jí)技術(shù)取得突破

以氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）為代表的第三代半導(dǎo)體材料，具備高擊穿電場(chǎng)、高熱導(dǎo)率、高電子飽和速率及抗強(qiáng)輻射能力等優(yōu)異性能，更適合于制作高溫、高頻、抗輻射及大功率電子器件，在光電子和微電子領(lǐng)域具有重要的應(yīng)用價(jià)值。