近日，北方華創(chuàng)微電子成功獲得了位于蘇州的一家知名化合物半導體公司批量采購訂單，訂單包括了ELEDE?330SG刻蝕機、SW GDE C200刻蝕機、 EPEE550 PECVD在內(nèi)的數(shù)十臺設備。本次需求源自蘇州一家化合物半導體公司擴產(chǎn)5G基站用氮化鎵功放芯片項目，作為中國高性能氮化鎵芯片IDM領(lǐng)先企業(yè)，該項目將為我國5G通訊基礎(chǔ)設施建設提供保障。此次是北方華創(chuàng)微電子在寬禁帶化合物半導體領(lǐng)域的重大突破，具有里程碑意義。

北方華創(chuàng)微電子ELEDE?330SG刻蝕機是寬禁帶化合物半導體領(lǐng)域的關(guān)鍵設備, 應用于正面工藝中的臺面刻蝕，SiNx柵槽刻蝕，GaN、SiNx極慢速低損傷刻蝕。產(chǎn)品結(jié)合獨特的離子源設計、高精度低輸出的下電極和多片大產(chǎn)能的托盤設計，實現(xiàn)精確的刻蝕速率控制和良好的工藝均勻性控制，滿足不同制程的工藝要求，多項關(guān)鍵指標領(lǐng)先行業(yè)水平，成為了行業(yè)標桿產(chǎn)品，是客戶擴產(chǎn)的首選設備。

SW GDE C200系列單片刻蝕機，可實現(xiàn)SiC深孔的高速、均勻刻蝕，具備高MTBC的優(yōu)點，通過獨特的工藝調(diào)節(jié)可實現(xiàn)圓滑的刻蝕形貌控制，目前該設備已通過客戶技術(shù)驗證，獲得市場高度認可，在中國寬禁帶化合物半導體市場占據(jù)首席之位。同時，SW GDE C200系列刻蝕機也是SiC MOSFET 柵槽刻蝕和SiC二極管小角度臺面刻蝕的完美解決方案，除了SiC材料，該設備還可應用于SiO2、SiN材料的刻蝕，其靈活的配置可滿足研發(fā)/中試線/量產(chǎn)的要求。

EPEE550 PECVD可用于寬禁帶化合物半導體器件鈍化層、結(jié)構(gòu)層、犧牲層等應用，采用自主開發(fā)的高溫混頻技術(shù)，可實現(xiàn)高致密性、低應力、高均勻性的薄膜沉積，助力客戶提高產(chǎn)品性能。截至目前，該設備國內(nèi)銷量已超過百臺。

5G商用時間表正在加速推進中，作為5G不可替代的核心技術(shù)，具有高頻率、高功率特性的GaN寬禁帶半導體產(chǎn)業(yè)將迎來發(fā)展機遇。北方華創(chuàng)微電子憑借豐富的設備工藝技術(shù)儲備，為該領(lǐng)域提供了一系列高競爭力的關(guān)鍵工藝裝備解決方案，本次能夠得到企業(yè)大客戶的批量采購訂單，也充分驗證了北方華創(chuàng)微電子卓越的產(chǎn)品實力。我們將繼續(xù)秉承以客戶為導向的持續(xù)創(chuàng)新，與客戶攜手并進，共同開拓產(chǎn)業(yè)發(fā)展新藍圖。