在通信、電機控制、工業(yè)電源等硬開關(guān)應用場景中，功率MOSFET的反向恢復特性對系統(tǒng)效率及可靠性有著重要影響。功率MOSFET反向恢復電荷大，將導致系統(tǒng)效率低、電壓尖峰高等一系列問題，制約系統(tǒng)朝向高性能、高可靠性的進一步發(fā)展。新潔能推出具有超快反向恢復特性的250V SGT 功率MOSFET NCEP025S90T，相比上代產(chǎn)品顯著降低了反向恢復電荷，為高性能、高可靠性要求的硬開關(guān)應用提供更優(yōu)選擇。

核心優(yōu)勢

1、超低反向恢復電荷Qrr

超快反向恢復SGT平臺產(chǎn)品 NCEP025S90T與通用平臺產(chǎn)品 NCEP02590T 體二極管反向恢復對比測試如表1。NCEP025S90T的Trr為67ns，相對NCEP02590T降低約58.9%；Qrr為178nC，相對降低約86%。更低的Qrr將有效減小硬開關(guān)系統(tǒng)中的過沖電壓，簡化緩沖電路設計，優(yōu)化系統(tǒng)成本。

表1：NCEP025S90T與 NCEP02590T 反向恢復對比測試結(jié)果

圖1：NCEP025S90T與 NCEP02590T 反向恢復對比測試波形

2、更寬RRSOA（反向恢復安全工作區(qū)）

反向恢復安全工作區(qū)是衡量MOSFET體二極管動態(tài)續(xù)流能力的重要指標。實驗采用雙脈沖電路進行測試，測試電路圖和測試平臺實物圖如圖2、圖3所示。測試方法為，開關(guān)管Q1和續(xù)流管Q2分別同時更換為NCEP025S90T和NCEP02590T進行測試，測試過程中逐次增加Vgs脈沖寬度T1，T2時期的續(xù)流管電流隨之增大，在T3上升沿到來時，續(xù)流管進入反向恢復階段，若此時續(xù)流管電流達到其反向恢復能力上限，則續(xù)流管發(fā)生損壞。記錄每次測試T2時期的續(xù)流管電流ISD以及續(xù)流管能否順利通過測試，最終測試結(jié)果如表2，結(jié)果表明NCEP025S90T相比NCEP02590T反向恢復安全區(qū)提升5倍以上。

注：藍色字體數(shù)值為設備電流能力上限，非MOS管過流能力上限

表2：NCEP025S90T與 NCEP02590T RRSOA對比測試結(jié)果

圖2：雙脈沖測試電路圖

圖3：雙脈沖測試平臺實物圖

基本特性

NCEP025S90T相比NCEP02590T其它動靜態(tài)電性參數(shù)基本匹配，詳細對比結(jié)果如表3。

表3：NCEP025S90T與NCEP02590T基本動靜態(tài)參數(shù)對比

應用領(lǐng)域

○ 通信

○ 工業(yè)電源

○ 逆變電路

○ 48V-100V電機控制

○ Class-D音頻放大

命名規(guī)則

針對不同場景的應用，新潔能推出不同系列的產(chǎn)品。NCEP025S90T中的S代表該產(chǎn)品屬于super recovery系列，若此處無字母，則代表通用平臺系列。