在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域，碳化硅（SiC）技術(shù)以其卓越的電氣性能已成為不爭的未來趨勢。然而，市場普及始終面臨一個核心挑戰(zhàn)：如何在不犧牲性能的前提下，將成本降至可與成熟硅基產(chǎn)品正面競爭的水平？森國科最新推出的KWM2000065PM（750V/2Ω）與 KWM1000065PM（750V/1Ω）兩款SiC MOSFET產(chǎn)品，以其革命性的微型化芯片設(shè)計，給出了一個強(qiáng)有力的答案——通過極致縮小的Die Size，實現(xiàn)系統(tǒng)級成本與性能的雙重優(yōu)勢，直指高壓平面MOSFET與SJ MOSFET的替代市場。

01技術(shù)深潛：微型化Die引發(fā)的性能與成本革命

這兩顆晶圓最引人注目的特點，是其極其緊湊的尺寸。KWM2000065PM的芯片面積（不含劃片道）僅為0.314 mm2（0.560 * 0.560mm），而KWM1000065PM也僅為0.372 mm2（0.560 * 0.665mm）。這一尺寸遠(yuǎn)小于同規(guī)格的硅基器件，奠定了其顛覆性優(yōu)勢的基礎(chǔ)。

KWM1000065PM KWM2000065PM

熱性能的先天優(yōu)勢：更穩(wěn)定，更高效

與傳統(tǒng)硅基MOSFET相比，SiC材料本身擁有高出三倍的熱導(dǎo)率。這意味著，在同等體積下，SiC芯片內(nèi)部的熱量能更快速地傳導(dǎo)至外殼。結(jié)合森國科這兩款產(chǎn)品的微型化設(shè)計，其熱阻（RthJC）具備先天的穩(wěn)定性優(yōu)勢。

--熱阻穩(wěn)定性：硅器件在高溫下導(dǎo)通電阻（RDS(on)）會急劇增大，而SiC的RDS(on)隨溫度變化率遠(yuǎn)低于硅。規(guī)格書顯示，即使在175°C的高結(jié)溫下，KWM1000065PM的導(dǎo)通電阻典型值僅從25°C時的1.0Ω升至1.6Ω，變化幅度遠(yuǎn)優(yōu)于同級硅器件。這帶來了更可預(yù)測的功耗和更穩(wěn)定的高溫運行表現(xiàn)。

--高效散熱：小尺寸Die允許采用成本更低、體積更小的封裝（如DFN5x6, TO-252等）。由于芯片熱點與封裝外殼的熱路徑極短，熱量能更高效地散發(fā)，從而允許器件在更高的功率密度下運行，或減少散熱系統(tǒng)的體積與成本。

電氣性能的極致化：支持高頻、高可靠性應(yīng)用

高開關(guān)速度與低損耗：兩款產(chǎn)品均具備極低的電容（Ciss/Coss/Crss），例如KWM2000065PM的Crss典型值低至1.0pF。這直接轉(zhuǎn)化為更快的開關(guān)速度、更低的開關(guān)損耗（Eon/Eoff）和更小的柵極振蕩，為高頻開關(guān)電源提升效率、縮小無源元件體積奠定了基礎(chǔ)。

--750V耐壓的可靠性裕量：相較于傳統(tǒng)的600V-650V硅基MOSFET，750V的額定電壓提供了更強(qiáng)的抗電壓沖擊和浪涌能力，在PFC電路、反激式拓?fù)涞葢?yīng)用中，系統(tǒng)可靠性得到顯著提升。

--快速體二極管：內(nèi)置的體二極管具有快速反向恢復(fù)特性（Qrr低），在橋式電路或硬開關(guān)條件下，能有效降低反向恢復(fù)損耗，提升整體效率。

成本結(jié)構(gòu)的顛覆：從“芯片成本”到“系統(tǒng)成本”的勝利

這才是森國科此次產(chǎn)品的核心破局點。微型化Die的直接優(yōu)勢是：

單顆芯片成本大幅降低：在同等晶圓上，更小的尺寸意味著可切割的芯片數(shù)量呈指數(shù)級增長，直接攤薄了單片晶圓的制造成本。

--封裝成本顯著下降：小芯片可采用更小、更簡單的封裝，封裝材料（塑封料、引線框）和工藝成本隨之降低。

--系統(tǒng)級成本優(yōu)化：由于SiC的高頻、高效特性，電源系統(tǒng)中的散熱器、磁性元件（電感、變壓器）和濾波電容都可以做得更小、更輕，從而在整體系統(tǒng)層面實現(xiàn)顯著的體積縮減和成本節(jié)約。

02應(yīng)用藍(lán)圖：靈活封裝策略覆蓋廣闊市場

森國科此次提供晶圓形態(tài)的產(chǎn)品，賦予了下游客戶極大的設(shè)計靈活性，精準(zhǔn)瞄準(zhǔn)兩大應(yīng)用方向：

合封（Chip-in-Package）：賦能超緊湊電源

對于追求極致功率密度的應(yīng)用，如氮化鎵快充充電器、服務(wù)器AC/DC電源模塊、通信電源模塊等，這兩顆小尺寸Die可與控制器、驅(qū)動IC等合封在一個多芯片模塊（MCPM）內(nèi)。這種“All-in-One”的方案能最大限度地減少寄生參數(shù)，提升頻率和效率，是實現(xiàn)拇指大小百瓦級快充的理想選擇。

獨立封裝：替代傳統(tǒng)硅基MOSFET

對于工業(yè)電源、光伏逆變器輔助電源、電機(jī)驅(qū)動、LED照明驅(qū)動等需要獨立器件的應(yīng)用，這兩顆晶圓可被封裝為成本極具競爭力的分立器件。其目標(biāo)正是直接替代目前市場中廣泛使用的750V-800V高壓平面MOSFET和超結(jié)MOSFET（SJ-MOSFET），讓終端產(chǎn)品在幾乎不增加成本的情況下，輕松獲得效率提升、體積縮小和可靠性增強(qiáng)的優(yōu)勢。

03市場展望：開啟“硅基成本，碳化硅性能”的新紀(jì)元

森國科KWM2000065PM與KWM1000065PM的推出，具有深遠(yuǎn)的市場意義。它標(biāo)志著SiC技術(shù)不再僅僅是高端應(yīng)用的奢侈品，而是可以通過創(chuàng)新的設(shè)計與制造工藝，下沉到主流功率市場，成為替代硅基產(chǎn)品的“性價比之選”。

森國科的這兩款微型化750V SiC MOSFET晶圓，是一次精妙的“四兩撥千斤”。它們沒有盲目追求極致的單一性能參數(shù)，而是通過芯片尺寸的微型化革命，巧妙地平衡了性能、可靠性與成本，精準(zhǔn)擊中了市場普及的痛點。這不僅是兩款優(yōu)秀的產(chǎn)品，更代表了一種清晰的市場戰(zhàn)略：讓碳化硅的強(qiáng)大性能，以客戶樂于接受的成本，滲透到每一個可能的電力電子角落，加速全球電氣化的高效與節(jié)能進(jìn)程。對于所有尋求產(chǎn)品升級換代的電源工程師而言，這無疑是一個值得密切關(guān)注的技術(shù)風(fēng)向標(biāo)。

關(guān)于森國科

深圳市森國科科技股份有限公司是一家專業(yè)從事功率器件、模塊，功率IC的高新科技企業(yè)。功率器件主要包括碳化硅二極管、碳化硅MOSFET、IGBT，功率芯片主要包括功率器件驅(qū)動芯片、無刷電機(jī)驅(qū)動芯片兩大類。公司總部在深圳市南山區(qū)，在深圳、成都設(shè)有研發(fā)及運營中心。公司研發(fā)人員占比超過70%，研究生以上學(xué)歷占比50%，來自聯(lián)發(fā)科、海思、比亞迪微電子、羅姆、華潤上華等機(jī)構(gòu)，囊括清華大學(xué)、電子科技大學(xué)、西安電子科技大學(xué)、西北工業(yè)大學(xué)等微電子專業(yè)知名院校。

森國科碳化硅產(chǎn)品線為650V、1200V 和碳化硅二極管、碳化硅MOSFET、SiC二極管模塊、SiC MOSFET 模塊，該產(chǎn)品系列廣泛應(yīng)用于新能源汽車、光伏逆變器、充電樁電源模塊、礦機(jī)電源、通信設(shè)備電源、5G微基站電源、服務(wù)器電源、工業(yè)電源、快充電源、軌道交通電源等。森國科碳化硅產(chǎn)品采用6寸車規(guī)級晶圓，具有高耐溫，高頻，高效，高壓特性，已穩(wěn)步進(jìn)入國內(nèi)汽車三電、主流大功率電源、光風(fēng)儲逆變器、充電樁電源模塊等上市公司供應(yīng)鏈。

森國科功率IC采用先進(jìn)的高壓特色工藝，包括功率管及模塊的驅(qū)動、BLDC及FOC電機(jī)的驅(qū)動。經(jīng)過5年的發(fā)展，該產(chǎn)品線的團(tuán)隊在BCD工藝，UHV工藝、數(shù)模混合、電機(jī)驅(qū)動算法方面有深厚的積累。功率器件驅(qū)動芯片，已經(jīng)大規(guī)模量產(chǎn)中低壓系列，即將推出高壓系列。在電機(jī)驅(qū)動芯片方面，成功推出了單相BLDC散熱風(fēng)扇電機(jī)系列和三相BLDC電機(jī)驅(qū)動系列。

森國科在中金資本、北汽產(chǎn)投、藍(lán)思科技、凌霄股份、中科海創(chuàng)等股東的助力下，以低成本創(chuàng)新為己任，努力為客戶提供高性價比的綠色“芯”動力，成為全球領(lǐng)先的功率半導(dǎo)體公司！