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三星NAND漲價100%,存儲芯片迎來超級周期

Simon觀察 ? 來源:未知 ? 作者:黃山明 ? 2026-01-27 09:15 ? 次閱讀
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電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/黃山明)在內(nèi)存之后,閃存價格也開始暴漲。據(jù)韓國《電子時報》報道,三星電子今年第一季度要將NAND閃存的供應(yīng)價格上調(diào)100%以上,這一漲幅遠超市場預(yù)期,凸顯了當(dāng)前存儲芯片市場嚴重的供需失衡情況。

有多家機構(gòu)分析認為,AI浪潮所帶來的內(nèi)存市場價格上漲已經(jīng)波及全球,并且還將繼續(xù)影響2026年供應(yīng)鏈和消費市場。

存儲芯片迎來超級周期

不久前,三星電子、SK海力士等存儲頭部企業(yè)一季度的服務(wù)器DRAM價格已經(jīng)上漲了60%-70%。有知情人士透露,三星電子于去年年底完成了與主要客戶的供應(yīng)合同談判,并從1月起正式實施新的價格體系。

目前,該公司已著手與客戶就第二季度的NAND價格進行新一輪談判,市場普遍預(yù)計價格上漲的勢頭將在第二季度延續(xù)。

從市場情況來看,據(jù)TrendForce報告,2026年第一季度,DRAM合同價格預(yù)計環(huán)比上漲55-60%,NAND閃存價格預(yù)計上漲33-38%。

一些報告顯示,DRAM現(xiàn)貨價格已上漲約40-50%,甚至在某些市場達到170%的漲幅。 NAND閃存也隨之水漲船高,導(dǎo)致SSD等存儲產(chǎn)品價格持續(xù)攀升。 整體來看,這種上漲趨勢從2025年底開始加劇,并可能持續(xù)到2027年。

而NAND價格之所以快速攀升,有業(yè)內(nèi)人士認為主要原因有兩點,一方面在于需求的持續(xù)擴大。伴隨著AI基礎(chǔ)設(shè)施投資的增加,企業(yè)級固態(tài)硬盤需求在顯著增長。

例如OpenAI等公司已占據(jù)全球DRAM供應(yīng)的約40%。 這使得內(nèi)存制造商(如三星、SK海力士、美光)將生產(chǎn)重點轉(zhuǎn)向AI相關(guān)產(chǎn)品,擠壓了消費級市場的供應(yīng)。

另一方面,移動設(shè)備和PC也在加快搭載高性能、大容量的存儲方案。尤其是在終端設(shè)備直接進行AI運算的邊緣側(cè)AI趨勢的推動下,對于高規(guī)格存儲的需求也在進一步放大。

值得注意的是,HBM正在吞噬整個DRAM產(chǎn)能。一方面在于HBM價格是普通DRAM的5-10倍。并且制造復(fù)雜度極高,同樣一片晶圓,HBM產(chǎn)出要比普通DRAM少甚多。

因此對于廠商的理性選擇,就是將有限的晶圓,全部優(yōu)先供給HBM。路透社直接稱這一輪為memory super cycle(存儲超級周期),并表示影響將持續(xù)到2027年以后。

據(jù)市場機構(gòu)Tom’s Hardware測算的一個驚人數(shù)字顯示,2026,全球約70%的內(nèi)存產(chǎn)能將被數(shù)據(jù)中心吞掉,而剩下的30%才會分給PC、手機、工控及消費電子。

而到了NAND,主要是過去幾年市場實在太過慘烈,在2023、2024這兩年閃存市場嚴重過剩,導(dǎo)致價格崩盤。因此到了2025年,廠商開始主動削減QLC以及消費級NAND,轉(zhuǎn)向生產(chǎn)企業(yè)級SSD、AI存儲等產(chǎn)品。

但產(chǎn)能減的太過夸張,據(jù)Tom’s Hardware數(shù)據(jù),一塊30TB的企業(yè)級SSD,在2025年第二季度價格約為3000美元,到了2026年一季度,已經(jīng)漲到了11000美元,漲幅高達257%。而同期的HDD只漲了35%左右,導(dǎo)致SSD比HDD要貴上16倍。

此外,地緣政治和供應(yīng)鏈中斷也加劇了市場的不確定性,但當(dāng)前主要仍然是需求驅(qū)動。因此,三星電子、SK海力士此次將NAND再次上調(diào)100%,是看準了市場有價無市。

存儲缺口到底有多大?

想要具體量化DRAM和NAND的總?cè)笨冢呛茈y精確計算的。但我們可以進行大概的預(yù)估,尤其從去年下半年,市場開始傳出存儲即將缺貨的消息時,下游的企業(yè)開始明顯加大采購、提前囤貨。

有行業(yè)人士透露,大型模組廠實際拿到的顆粒,有時只有原需求量的30%–50%;拿到手的少,又怕后面拿不到,只能“有錢先囤”。而一些服務(wù)器內(nèi)存、企業(yè)級SSD等高價值產(chǎn)品,被大量貿(mào)易商和資金方高價囤貨,賭原廠持續(xù)控產(chǎn)、價格持續(xù)攀升,這也進一步加劇了現(xiàn)貨市場的緊張。

從市場的供給來看,NAND Flash的bit供給增速在13%-18%,而需求增速則在18%-23%,也就是說即便在擴產(chǎn)的情況下,需求端每年仍比供給端多出約5個百分點左右的速度差。

而在DRAM市場,據(jù)Omdia的數(shù)據(jù),2026年,三星、SK海力士、美光三大DRAM廠的晶圓總產(chǎn)出預(yù)計同比增長約5%,達到約1800萬片(等效 12 英寸)。而DRAM的需求增速在20%-25%,而供應(yīng)增速則在15%-20%。

與此同時,北美的云廠商從2025年底開始,便提前鎖定2027年供貨產(chǎn)能,用捆綁式談判來鎖定采購量及價格條件,例如鎧俠在2025年的NAND產(chǎn)能已經(jīng)全部售罄。這些云廠商拿到了幾乎所有的新增bit供給,這意味著哪怕產(chǎn)能上升,也沒有PC、手機、嵌入式等應(yīng)用的份額。

從產(chǎn)業(yè)鏈調(diào)研的實際情況來看,大型模組廠實際拿到的顆粒,僅相當(dāng)于原先需求的30%-50%。很多手機、PC 品牌廠今年能拿到的供應(yīng)量,也只有原本計劃的50%-70%。但有趣的是,AI和服務(wù)器市場已預(yù)售大部分產(chǎn)能,甚至2026年的HBM內(nèi)存已售罄。

供應(yīng)的減少只能導(dǎo)致產(chǎn)品成本的上升,有PC OEM表示,內(nèi)存成本占整個BOM比例已經(jīng)從過去的15%-18%來到了35%-40%。

例如NAND閃存,消費級產(chǎn)品被大幅減產(chǎn)能,而企業(yè)級/AI存儲需求則飽滿,目前數(shù)據(jù)中心的SSD交期已經(jīng)普遍來到了6-9個月,部分型號甚至要排到2027年。對此,IDC判斷,這輪閃存的緊張至少要持續(xù)到2027年。

大摩則認為,存儲成本壓力會導(dǎo)致大多數(shù)OEM廠商在2026年上半年大幅提價,繼而導(dǎo)致安卓手機和Windows PC全年出貨量下滑。此外硬盤的供應(yīng)短缺加劇,未來12個月供需缺口有可能擴大至200EB。

那么這一輪存儲超級周期的行業(yè)要持續(xù)到什么時候才能結(jié)束呢?從整個市場行情來看,暫時還不明朗。一個是市場急需的HBM擴產(chǎn)很慢,新產(chǎn)線投入周期在18-24個月。第二是AI需求也沒有減速的跡象,盡管美國業(yè)界已經(jīng)在提醒AI泡沫,但目前來看還為時尚早。

總結(jié)

本輪的內(nèi)存和閃存價格的暴漲,本質(zhì)上是AI基建的快速擴張吃掉了絕大多數(shù)的新增產(chǎn)能,加上原廠的主動控制和分類供給,以及渠道商的恐慌性囤貨導(dǎo)致的結(jié)構(gòu)性短缺。行業(yè)普遍預(yù)期這輪存儲超級周期將維持到2027年,同時價格中樞整體抬升,但是漲速可能會在之后的幾個季度逐步趨緩。
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