Kioxia Corporation（鎧俠）是全球領(lǐng)先的內(nèi)存解決方案提供商，今天宣布該公司采用每單元4位的四層單元（QLC）技術(shù)的新款通用閃存（UFS）版本4.1嵌入式內(nèi)存器件開(kāi)始送樣。新款器件專(zhuān)為讀取密集型應(yīng)用和大容量存儲(chǔ)需求而設(shè)計(jì)，采用Kioxia的第8 代BiCS FLASHTM3D閃存技術(shù)。

QLC UFS相比傳統(tǒng)TLC UFS具有更高的位密度，非常適合需要大存儲(chǔ)容量的移動(dòng)應(yīng)用。得益于控制器技術(shù)和糾錯(cuò)技術(shù)的進(jìn)步，讓QLC技術(shù)能夠在實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)的同時(shí)，保持有競(jìng)爭(zhēng)力的性能。

在這些技術(shù)進(jìn)步的基礎(chǔ)上，Kioxia的新款器件實(shí)現(xiàn)了顯著的性能提升。與上一代（UFS 4.0 / BiCS FLASH?6 QLC UFS）相比，Kioxia的QLC UFS將順序?qū)懭胨俣忍嵘?5%，將隨機(jī)讀取速度提升了90%，并將隨機(jī)寫(xiě)入速度提升了95%。寫(xiě)放大系數(shù)（WAF）也提升了最高3.5倍（在禁用WriteBooster的情況下）。

Kioxia QLC UFS不僅非常適合智能手機(jī)和平板電腦，此外同樣支持需要更高容量和性能的新型產(chǎn)品，包括個(gè)人電腦（PC）、網(wǎng)絡(luò)、增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)/虛擬現(xiàn)實(shí)（AR/VR）、物聯(lián)網(wǎng)（IoT）以及啟用人工智能（AI）的設(shè)備。

新款UFS 4.1器件提供512 GB和1 TB兩種容量，將Kioxia先進(jìn)的BiCS FLASH? 3D閃存與集成的控制器組合在JEDEC標(biāo)準(zhǔn)封裝中。Kioxia的第8代BiCS FLASH? 3D閃存推出了CMOS直接鍵合陣列（CBA）技術(shù)，這一架構(gòu)創(chuàng)新標(biāo)志著閃存設(shè)計(jì)領(lǐng)域的一次飛躍式改變。

主要特點(diǎn)包括：

符合UFS 4.1規(guī)范。UFS 4.1向后兼容UFS 4.0和UFS 3.1。

第8代Kioxia BiCS FLASH? 3D閃存

支持WriteBooster，顯著提升寫(xiě)入速度

封裝尺寸比上一代QLC UFS更?。簭?1×13 mm縮小至9×13 mm

審核編輯 黃宇