LT4351 MOSFET二極管或控制器:多電源系統(tǒng)的理想選擇
在電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)中,多電源供電的情況越來越常見。為了實(shí)現(xiàn)電源的高效連接和管理,需要一種能夠模擬理想二極管功能、降低損耗的解決方案。Linear Technology的LT4351 MOSFET二極管或控制器就是這樣一款優(yōu)秀的產(chǎn)品,下面我們就來詳細(xì)了解一下它。
文件下載:LT4351.pdf
產(chǎn)品概述
LT4351使用外部單或背對背N溝道MOSFET創(chuàng)建了近乎理想的二極管,可實(shí)現(xiàn)多個(gè)電源的低損耗或操作。多個(gè)電源可以輕松地進(jìn)行或操作,以增加系統(tǒng)的總功率和可靠性,同時(shí)對電源電壓或效率的影響最小。該產(chǎn)品具有以下顯著特點(diǎn):
- 低損耗:替代傳統(tǒng)的或二極管,降低功率損耗。
- 高電流能力:采用外部N溝道MOSFET,可處理大電流。
- 內(nèi)部升壓調(diào)節(jié)器:為MOSFET柵極驅(qū)動提供電源。
- 寬輸入范圍:支持1.2V至18V的輸入電壓。
- 快速開關(guān):實(shí)現(xiàn)MOSFET的快速開關(guān)控制。
- 輸入過欠壓檢測:確保電源的穩(wěn)定運(yùn)行。
- 狀態(tài)和故障輸出:方便監(jiān)控電源狀態(tài)。
- 內(nèi)部MOSFET柵極鉗位:保護(hù)MOSFET免受過高電壓的損害。
應(yīng)用場景
LT4351適用于多種應(yīng)用場景,包括但不限于:
- 并聯(lián)電源:將多個(gè)電源并聯(lián),提高系統(tǒng)的總功率和可靠性。
- 不間斷電源:確保在電源故障時(shí)系統(tǒng)能夠持續(xù)運(yùn)行。
- 高可用性系統(tǒng):提高系統(tǒng)的可用性和穩(wěn)定性。
- N + 1冗余電源:提供冗余電源,增強(qiáng)系統(tǒng)的可靠性。
工作原理
理想二極管功能
LT4351通過驅(qū)動外部N溝道MOSFET來實(shí)現(xiàn)理想二極管的功能。當(dāng)輸入電源電壓高于輸出電壓時(shí),MOSFET導(dǎo)通,允許功率通過;當(dāng)輸入電源電壓低于輸出電壓時(shí),MOSFET關(guān)斷,防止反向電流。
過欠壓保護(hù)
通過UV和OV引腳連接的電阻分壓器,設(shè)置過欠壓閾值。當(dāng)輸入電壓低于欠壓閾值或高于過壓閾值時(shí),GATE引腳拉低,禁用功率傳輸,并通過FAULT引腳指示故障。
升壓調(diào)節(jié)器
內(nèi)部升壓調(diào)節(jié)器為MOSFET柵極驅(qū)動提供電源。當(dāng)VDD電壓低于調(diào)節(jié)跳閘電壓時(shí),開關(guān)在600ns的關(guān)斷時(shí)間后開啟,直到電流達(dá)到450mA的限制,然后開關(guān)關(guān)閉,電感電流通過外部二極管為VDD電容充電。
電氣特性
絕對最大額定值
| 參數(shù) | 數(shù)值 |
|---|---|
| VIN電壓 | –0.3V至19V |
| OUT電壓 | –0.3V至19V |
| VDD電壓 | –0.3V至30V |
| FAULT、STATUS電壓 | –0.3V至30V |
| FAULT、STATUS電流 | 8mA |
| UV、OV電壓 | –0.3V至9V |
| SW電壓 | –0.3V至32V |
| 工作溫度范圍 | LT4351C:0°C至70°C;LT4351I:–40°C至85°C |
| 結(jié)溫 | 125°C |
| 存儲溫度范圍 | –65°C至150°C |
| 引腳溫度(焊接,10秒) | 300°C |
電氣參數(shù)
LT4351的電氣參數(shù)在不同條件下有具體的規(guī)定,例如在特定的輸入輸出電壓、溫度等條件下,各引腳的電壓、電流等參數(shù)都有明確的范圍。這些參數(shù)對于設(shè)計(jì)電路時(shí)的電源選擇、電阻電容的取值等都有重要的指導(dǎo)意義。
典型應(yīng)用電路
文檔中給出了多個(gè)典型應(yīng)用電路,如雙5V冗余電源、鉛酸電池備份、5V冗余電源(帶外部VDD)、主電池與副電池備份等。這些電路展示了LT4351在不同場景下的具體應(yīng)用方式,為工程師提供了參考。
設(shè)計(jì)要點(diǎn)
故障閾值設(shè)置
通過電阻分壓器設(shè)置UV和OV引腳的故障閾值,以實(shí)現(xiàn)過欠壓保護(hù)。具體的電阻值計(jì)算需要根據(jù)所需的欠壓滯后、欠壓跳閘電壓、過壓跳閘電壓等參數(shù)進(jìn)行。
元件選擇
- MOSFET選擇:根據(jù)RDS(ON)、BVDSS和BVGSS等參數(shù)選擇合適的MOSFET。對于背對背MOSFET,可防止MOSFET體二極管導(dǎo)通;對于單個(gè)MOSFET,需注意VGS max額定值。
- 二極管選擇:選擇肖特基二極管,以匹配LT4351升壓調(diào)節(jié)器的低正向壓降和快速開關(guān)速度。
- 電容選擇:在VDD引腳使用低ESR電容,以最小化輸出紋波電壓;在VIN和OUT引腳使用合適的電容,以減少輸入電感引起的振鈴。
布局考慮
在PCB布局時(shí),應(yīng)將VIN和VDD旁路電容盡可能靠近芯片,GND引腳作為公共連接點(diǎn),UV和OV的電阻分壓器也應(yīng)連接到此處。同時(shí),要注意負(fù)載電流在PCB走線中的IR降,避免產(chǎn)生誤差。MOSFET的走線應(yīng)寬而短,以降低電阻。
總結(jié)
LT4351 MOSFET二極管或控制器為多電源系統(tǒng)提供了一種高效、可靠的解決方案。它通過模擬理想二極管的功能,降低了功率損耗,提高了系統(tǒng)的效率和可靠性。在實(shí)際應(yīng)用中,工程師需要根據(jù)具體的需求和場景,合理設(shè)置故障閾值、選擇合適的元件,并注意PCB布局,以確保系統(tǒng)的穩(wěn)定運(yùn)行。你在使用LT4351進(jìn)行設(shè)計(jì)時(shí),是否遇到過一些特殊的問題呢?歡迎在評論區(qū)分享你的經(jīng)驗(yàn)。
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