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62mm SiC半橋模塊與雙通道SiC驅(qū)動板設(shè)計固態(tài)變壓器(SST)功率單元

楊茜 ? 2026-02-20 16:31 ? 次閱讀
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62mm SiC半橋模塊與雙通道SiC驅(qū)動板設(shè)計固態(tài)變壓器(SST)功率單元

全球能源互聯(lián)網(wǎng)核心節(jié)點賦能者-BASiC Semiconductor基本半導(dǎo)體之一級代理商傾佳電子(Changer Tech)是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車連接器的分銷商。主要服務(wù)于中國工業(yè)電源電力電子設(shè)備和新能源汽車產(chǎn)業(yè)鏈。傾佳電子聚焦于新能源、交通電動化和數(shù)字化轉(zhuǎn)型三大方向,代理并力推BASiC基本半導(dǎo)體SiC碳化硅MOSFET單管,SiC碳化硅MOSFET功率模塊,SiC模塊驅(qū)動板等功率半導(dǎo)體器件以及新能源汽車連接器。?

傾佳電子楊茜致力于推動國產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代進(jìn)口IGBT模塊,助力電力電子行業(yè)自主可控和產(chǎn)業(yè)升級!

傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET功率器件三個必然,勇立功率半導(dǎo)體器件變革潮頭:

傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET模塊全面取代IGBT模塊和IPM模塊的必然趨勢!

傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET單管全面取代IGBT單管和大于650V的高壓硅MOSFET的必然趨勢!

傾佳電子楊茜咬住650V SiC碳化硅MOSFET單管全面取代SJ超結(jié)MOSFET和高壓GaN 器件的必然趨勢!

基本半導(dǎo)體 BMF540R12KHA3(1200V/540A 62mm SiC半橋模塊)和青銅劍 2CP0220T12-ZC01(適配雙通道SiC驅(qū)動板)的數(shù)據(jù)手冊,這兩個核心器件性能優(yōu)異,非常適合用于構(gòu)建大功率、高頻化、高功率密度的固態(tài)變壓器(SST)功率單元(PEBB)。

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在典型的中高壓接入SST架構(gòu)(如級聯(lián)H橋架構(gòu))中,一個標(biāo)準(zhǔn)的單一功率單元通常包含**單相AC-DC(有源前端整流)隔離型DC-DC(雙有源橋)**兩個部分。

以下為您量身定制的 100kW 級 SST 功率單元的完整設(shè)計開發(fā)方案:


一、 功率單元系統(tǒng)級規(guī)格定義

額定傳輸功率100 kW(預(yù)留20%裕量,最大可達(dá)120kW)。

直流母線電壓 (VDC?)800 V(1200V SiC器件的最佳安全工作電壓,適配驅(qū)動板內(nèi)置的1060V有源鉗位)。

交流側(cè)電壓400V RMS(單相,作為低壓側(cè)或高壓側(cè)級聯(lián)單元均分電壓)。

開關(guān)頻率設(shè)計

  • AC-DC 側(cè)20 kHz(平衡網(wǎng)側(cè)濾波電感體積與開關(guān)損耗)。
  • DC-DC 側(cè)50 kHz(發(fā)揮SiC高頻優(yōu)勢,極致壓縮隔離變壓器體積)。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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