什么是DRAM動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器？
DRAM動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，全稱為Dynamic Random Access Memory，是一種典型的易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器。DRAM動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器可以隨機(jī)地對(duì)存儲(chǔ)單元進(jìn)行讀寫操作，而不需要像順序存儲(chǔ)器那樣按照特定的順序進(jìn)行訪問。DRAM動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的“動(dòng)態(tài)”二字源于它的工作特性：必須通過周期性刷新來維持?jǐn)?shù)據(jù)。這與利用電荷陷阱存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的NAND閃存有著本質(zhì)區(qū)別，DRAM主要用于系統(tǒng)運(yùn)行時(shí)的臨時(shí)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)與高速緩存，直接決定了電子設(shè)備的運(yùn)行速度和多任務(wù)處理能力。

DRAM動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)原理是什么？
DRAM動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器簡單來說就是一個(gè)由“晶體管+電容”組成的基本存儲(chǔ)單元（1T1C）。動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（DRAM）是利用存儲(chǔ)元電路中的柵極電容上的電荷來存儲(chǔ)信息的，常見的DRAM的基本存儲(chǔ)電路通常分為三管式和單管式。當(dāng)電容處于充電狀態(tài)時(shí)，代表二進(jìn)制“1”；當(dāng)電容放電時(shí)，則代表二進(jìn)制“0”。DRAM采用了地址復(fù)用技術(shù)。它將地址線數(shù)量減半，通過分時(shí)傳送行地址和列地址來定位存儲(chǔ)單元，有效減少了芯片的引腳數(shù)量。

DRAM動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的刷新機(jī)制：
DRAM存儲(chǔ)信息的電容存在物理特性上的漏電現(xiàn)象，其上的電荷通常只能維持極短的時(shí)間（約1-2ms）。為了防止數(shù)據(jù)丟失，必須在電荷泄漏殆盡前對(duì)其進(jìn)行補(bǔ)充或重寫，這個(gè)過程就是“刷新”。這也解釋了為什么DRAM斷電后數(shù)據(jù)會(huì)立即丟失。由于電容的電荷保持特性，刷新操作是DRAM工作的核心環(huán)節(jié)。

常見的刷新策略有三種：
1.集中刷新：DRAM動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器會(huì)在特定的刷新周期內(nèi)，集中所有時(shí)間對(duì)所有行逐一刷新。此期間無法進(jìn)行正常讀寫，會(huì)產(chǎn)生一段“死時(shí)間”。
2.分散刷新：將刷新操作分散到每個(gè)存取周期中。這消除了“死時(shí)間”，但延長了存取周期，一定程度上降低了系統(tǒng)性能。
3.異步刷新：結(jié)合了前兩者的優(yōu)點(diǎn)，將刷新操作分散在整個(gè)刷新周期內(nèi)進(jìn)行，既保證了數(shù)據(jù)的有效保持，又最大限度地減少了對(duì)正常訪問的影響。

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審核編輯 黃宇