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深入解析TPS25927x:高性能eFuse的設(shè)計(jì)與應(yīng)用

lhl545545 ? 2026-02-28 09:55 ? 次閱讀
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深入解析TPS25927x:高性能eFuse的設(shè)計(jì)與應(yīng)用

在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域,電路保護(hù)和電源管理至關(guān)重要。TPS25927x系列eFuse作為一款高度集成的解決方案,為工程師們提供了可靠的電路保護(hù)和電源管理功能。今天,我們就來(lái)深入探討一下TPS25927x的特點(diǎn)、應(yīng)用以及設(shè)計(jì)要點(diǎn)。

文件下載:tps25927.pdf

產(chǎn)品概述

TPS25927x是德州儀器(TI)推出的一款eFuse,具有4.5V至18V的保護(hù)范圍,集成了28mΩ的Pass MOSFET,絕對(duì)最大電壓可達(dá)20V。它支持1A至5A的可調(diào)電流限制((I{LIMIT})),在3.7A時(shí)的(I{LIMIT})精度為±8%,還具備反向電流阻斷功能。此外,該器件還支持可編程的輸出擺率(OUT Slew Rate)和欠壓鎖定(UVLO),內(nèi)置熱關(guān)斷功能,并且通過(guò)了UL 2367認(rèn)證。

產(chǎn)品特性

寬電壓保護(hù)范圍

TPS25927x能夠在4.5V至18V的電壓范圍內(nèi)提供可靠的保護(hù),絕對(duì)最大電壓可達(dá)20V,適用于多種電源應(yīng)用。

可調(diào)電流限制

通過(guò)一個(gè)外部電阻,用戶可以輕松設(shè)置過(guò)載和短路電流限制,范圍為1A至5A,并且在3.7A時(shí)的精度為±8%,確保了精確的電流控制。

反向電流阻斷

支持反向電流阻斷功能,能夠防止電流從負(fù)載流向電源,保護(hù)電路免受反向電流的影響。

可編程輸出擺率和UVLO

用戶可以通過(guò)連接一個(gè)電容到dV/dT引腳來(lái)控制輸出電壓的上升速率,同時(shí)還可以通過(guò)EN/UVLO引腳設(shè)置欠壓鎖定閾值,提高電路的穩(wěn)定性和可靠性。

熱關(guān)斷保護(hù)

內(nèi)置熱關(guān)斷功能,當(dāng)器件溫度超過(guò)150°C時(shí),會(huì)自動(dòng)關(guān)閉內(nèi)部MOSFET,防止器件過(guò)熱損壞。

小封裝設(shè)計(jì)

采用10引腳(3mm x 3mm)的VSON封裝,占用空間小,適合高密度電路板設(shè)計(jì)。

應(yīng)用領(lǐng)域

TPS25927x廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中,包括:

  • 硬盤(pán)(HDD)和固態(tài)硬盤(pán)(SSD驅(qū)動(dòng)器:保護(hù)電源電路,防止過(guò)流和短路損壞。
  • 機(jī)頂盒:提供可靠的電源管理和電路保護(hù)。
  • 服務(wù)器和輔助電源:確保電源的穩(wěn)定性和可靠性。
  • 風(fēng)扇控制:控制風(fēng)扇的電流和電壓,提高風(fēng)扇的效率和壽命。
  • PCI/PCIe卡:保護(hù)PCI/PCIe接口電源電路。
  • 適配器供電設(shè)備:為適配器供電的設(shè)備提供保護(hù)和電源管理。

引腳配置與功能

TPS25927x采用10引腳的VSON封裝,各引腳功能如下: 引腳名稱(chēng) 引腳編號(hào) I/O 描述
BFET 9 O 連接到外部NFET的柵極,用于在VIN電源故障時(shí)斷開(kāi)輸入電源
dV/dT 1 O 連接一個(gè)電容到GND,控制設(shè)備開(kāi)啟時(shí)OUT的上升速率
EN/UVLO 2 I 雙功能控制引腳,用于控制內(nèi)部MOSFET的開(kāi)關(guān)狀態(tài)和設(shè)置欠壓鎖定閾值
GND 熱焊盤(pán) - 接地
ILIM 10 O 通過(guò)一個(gè)電阻連接到GND,設(shè)置過(guò)載和短路電流限制
OUT 6 - 8 O 設(shè)備的輸出
VIN 3 - 5 I 輸入電源電壓

設(shè)計(jì)要點(diǎn)

電流限制設(shè)置

通過(guò)在ILIM引腳連接一個(gè)電阻到GND,可以設(shè)置過(guò)載和短路電流限制。計(jì)算公式為: [I{OL} = (0.7 + 3 × 10^{-5} × R{ILIM})] 其中,(I{OL})為過(guò)載電流限制,(R{ILIM})為ILIM引腳連接的電阻值。

輸出電壓上升速率控制

通過(guò)在dV/dT引腳連接一個(gè)電容到GND,可以控制輸出電壓的上升速率。計(jì)算公式為: [frac{dV{OUT}}{dt} = frac{dV{dT} × GAIN{dVdT}}{C{dVdT} + C{INT}}] 其中,(frac{dV{OUT}}{dt})為輸出電壓的上升速率,(dV{dT})為dV/dT引腳的電壓,(GAIN{dVdT})為dV/dT到OUT的增益,(C{dVdT})為連接到dV/dT引腳的電容值,(C{INT})為內(nèi)部電容值。

欠壓鎖定設(shè)置

通過(guò)在EN/UVLO引腳連接一個(gè)電阻分壓器,可以設(shè)置欠壓鎖定閾值。計(jì)算公式為: [V{(UV)} = frac{R{1} + R{2}}{R{2}} × V{ENR}] 其中,(V{(UV)})為欠壓鎖定閾值,(R{1})和(R{2})為電阻分壓器的電阻值,(V_{ENR})為使能電壓上升閾值。

熱關(guān)斷保護(hù)

當(dāng)器件溫度超過(guò)150°C時(shí),熱關(guān)斷電路會(huì)自動(dòng)關(guān)閉內(nèi)部MOSFET,防止器件過(guò)熱損壞。在TPS259270中,輸出將保持?jǐn)嚅_(kāi)狀態(tài),直到電源重啟或EN/UVLO引腳被切換;而在TPS259271中,器件會(huì)在溫度下降到(T_{SHDN} - 10°C)后嘗試重新啟動(dòng)。

應(yīng)用示例

簡(jiǎn)單2.1A eFuse保護(hù)電路

以下是一個(gè)簡(jiǎn)單的2.1A eFuse保護(hù)電路示例,適用于機(jī)頂盒: 設(shè)計(jì)參數(shù) 示例值
輸入電壓范圍,(V_{IN}) 12V
欠壓鎖定設(shè)置點(diǎn),(V_{(UV)}) 默認(rèn):(V_{UVR} = 4.3V)
啟動(dòng)時(shí)的負(fù)載,(R_{L(SU)})
電流限制,(I{OL} = I{ILIM}) 2.1A
負(fù)載電容,(C_{OUT}) 1μF
最大環(huán)境溫度,(T_{A}) 85°C

設(shè)計(jì)步驟

  1. 編程電流限制閾值:根據(jù)公式(R{ILIM} = frac{I{OL} - 0.7}{3 × 10^{-5}}),計(jì)算得到(R_{ILIM} = 45.3kΩ),選擇最接近的標(biāo)準(zhǔn)值電阻,公差為1%。
  2. 設(shè)置欠壓鎖定設(shè)置點(diǎn):使用外部電阻分壓器(R{1})和(R{2})來(lái)調(diào)整欠壓鎖定(UVLO)跳閘點(diǎn)。計(jì)算公式為(V{(UV)} = frac{R{1} + R{2}}{R{2}} × V{ENR}),其中(V{ENR} = 1.4V)為使能電壓上升閾值。對(duì)于默認(rèn)的UVLO(V{UVR} = 4.3V),選擇(R{2} = OPEN),(R_{1} = 1MΩ)。
  3. 設(shè)置輸出電壓上升時(shí)間:根據(jù)負(fù)載情況,計(jì)算啟動(dòng)時(shí)的功率損耗,并選擇合適的(C_{dVdT})電容來(lái)控制輸出電壓的上升速率,避免熱關(guān)斷。
  4. 選擇支持組件:選擇合適的(C_{VIN})旁路電容來(lái)控制瞬態(tài)電壓、單位發(fā)射和局部電源噪聲。

總結(jié)

TPS25927x系列eFuse是一款高性能的電路保護(hù)和電源管理解決方案,具有寬電壓保護(hù)范圍、可調(diào)電流限制、反向電流阻斷、可編程輸出擺率和UVLO等特性,適用于多種電子設(shè)備。在設(shè)計(jì)時(shí),需要根據(jù)具體應(yīng)用需求合理設(shè)置電流限制、輸出電壓上升速率、欠壓鎖定閾值等參數(shù),以確保電路的穩(wěn)定性和可靠性。希望本文能夠?qū)?a target="_blank">電子工程師們?cè)谑褂肨PS25927x進(jìn)行電路設(shè)計(jì)時(shí)有所幫助。

你在使用TPS25927x進(jìn)行設(shè)計(jì)時(shí)遇到過(guò)哪些問(wèn)題?你是如何解決的呢?歡迎在評(píng)論區(qū)分享你的經(jīng)驗(yàn)和見(jiàn)解。

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