在半導(dǎo)體、先進(jìn)材料及生物電子等前沿領(lǐng)域，微弱電流的精確測(cè)量一直是評(píng)估器件性能與可靠性的關(guān)鍵。面對(duì)日益精細(xì)的科研與測(cè)試需求，聯(lián)訊儀器正式發(fā)布S2017C高精度源測(cè)量單元（SMU），以0.1fA分辨率與50fA精度的卓越性能，重新定義低電流測(cè)量標(biāo)準(zhǔn)，助力科研與工業(yè)檢測(cè)邁向更高精度時(shí)代。

S2017C：低漏電流測(cè)試的首選

寬域輸出，精準(zhǔn)覆蓋

S2017C 支持 ±200 V / ±1 A 寬動(dòng)態(tài)范圍輸出，兼具直流與脈沖兩種模式，滿足多樣化測(cè)試場(chǎng)景。其在電壓與電流測(cè)量上分別實(shí)現(xiàn)±(0.03 %+50 μV)和±(0.9 %+50 fA)的最佳精度，為高靈敏度測(cè)試提供可靠保障。

核心參數(shù)

全鏈路抑制漏電及干擾，專注微弱信號(hào)

· 內(nèi)置自動(dòng) Guard 技術(shù)：動(dòng)態(tài)匹配高阻節(jié)點(diǎn)電壓，有效減少測(cè)試線路中的泄漏電流。

· 三同軸屏蔽保護(hù)與智能濾波：采用三同軸結(jié)構(gòu)結(jié)合先進(jìn)濾波算法，顯著降低熱噪聲與電磁干擾。

· 前置放大器保障：確保 0.1 fA 級(jí)別信號(hào)的穩(wěn)定捕捉與還原。

APFC動(dòng)態(tài)調(diào)優(yōu)

支持自適應(yīng)精密快速控制（APFC）技術(shù)，可根據(jù)負(fù)載智能調(diào)節(jié)輸出特性，實(shí)現(xiàn)亞毫秒級(jí)波形穩(wěn)定，瞬態(tài)響應(yīng)幾乎無(wú)延遲。

模塊化集成，擴(kuò)展靈活

基于PXIe架構(gòu)，支持多卡級(jí)聯(lián)與硬件同步觸發(fā)，單機(jī)箱最高可擴(kuò)展17張SMU卡，適用于自動(dòng)化、多通道測(cè)試系統(tǒng)搭建，提供SCPI指令控制及C#、Python、C/C++、LabVIEW等多種編程接口，顯著降低系統(tǒng)集成復(fù)雜度。

典型應(yīng)用場(chǎng)景

S2017C 適用于一切需要對(duì) pA 級(jí)以下電流進(jìn)行精確測(cè)量的領(lǐng)域，包括但不限于：

半導(dǎo)體器件研發(fā)

先進(jìn)邏輯與存儲(chǔ)芯片的柵極漏電與關(guān)態(tài)電流測(cè)量。

SiC、GaN 等寬禁帶功率器件在高壓條件下的微小漏電評(píng)估。

新材料與器件表征

二維材料（如石墨烯）、有機(jī)半導(dǎo)體、鈣鈦礦薄膜晶體管的載流子輸運(yùn)行為分析。

光電探測(cè)器、MEMS傳感器等的暗電流與噪聲基底測(cè)量。

超低功耗與量子技術(shù)

· 物聯(lián)網(wǎng)芯片、生物植入設(shè)備的待機(jī)功耗驗(yàn)證。

· 量子點(diǎn)、單電子器件等前沿方向的電學(xué)特性研究。

使用 S2017C 配合相應(yīng)附件，可快速、準(zhǔn)確地獲取各類器件的 IV 特性曲線，為科研與工程提供可靠數(shù)據(jù)支撐。

聯(lián)訊儀器，不止儀器

我們深知，高精度儀器的使用離不開專業(yè)的支持。因此，聯(lián)訊儀器為您配套提供：

· 即裝即用的測(cè)量軟件：內(nèi)置常見半導(dǎo)體測(cè)試算法，大幅縮短準(zhǔn)備時(shí)間。

· 詳細(xì)應(yīng)用指南：針對(duì)典型測(cè)量難點(diǎn)（如晶體管關(guān)態(tài)電流測(cè)量），提供步驟清晰的實(shí)操方法與數(shù)據(jù)分析建議。

· 專業(yè)技術(shù)支持團(tuán)隊(duì)：經(jīng)驗(yàn)豐富的應(yīng)用工程師全程協(xié)助，解答測(cè)量搭建與結(jié)果分析中的各類問題。

結(jié)語(yǔ)

聯(lián)訊儀器S2017C不僅是一款高精度SMU，更是面向未來(lái)的微弱電流測(cè)量解決方案。無(wú)論是前沿科研，還是嚴(yán)苛的工業(yè)測(cè)試，它都將以出色的性能與可靠的穩(wěn)定性，成為您實(shí)驗(yàn)中值得信賴的伙伴。

捕捉微弱信號(hào)，洞察細(xì)微變化——S2017C，為精密測(cè)量而生。