CSD25485F5 -20V P-Channel FemtoFET? MOSFET：小身材大能量
CSD25485F5 -20V P-Channel FemtoFET? MOSFET：小身材大能量
在電子設(shè)計領(lǐng)域，我們常常面臨著在有限空間內(nèi)實現(xiàn)高性能的挑戰(zhàn)。今天要給大家介紹的 CSD25485F5 -20V P-Channel FemtoFET? MOSFET，就是一款在小尺寸下展現(xiàn)出卓越性能的器件，特別適合工業(yè)負載開關(guān)和通用開關(guān)等應(yīng)用。
文件下載：csd25485f5.pdf
產(chǎn)品概述
CSD25485F5 是一款采用 P-Channel FemtoFET? MOSFET 技術(shù)的器件，其設(shè)計目標是在眾多手持和移動應(yīng)用中最小化占用空間。它能夠替代標準小信號 MOSFET，同時顯著減小封裝尺寸。
產(chǎn)品特性
- 低導(dǎo)通電阻：不同柵源電壓下，導(dǎo)通電阻表現(xiàn)出色。例如，當 (V{GS} = –8 V) 時，典型導(dǎo)通電阻 (R{DS(on)}) 僅為 29.7 mΩ，這意味著在導(dǎo)通狀態(tài)下，器件的功率損耗較小，能夠提高電路效率。
- 低柵極電荷：總柵極電荷 (Q{g})（–4.5 V）典型值為 2.7 nC，柵極 - 漏極電荷 (Q{gd}) 為 0.56 nC。低柵極電荷有助于降低開關(guān)損耗，提高開關(guān)速度，使器件在高頻應(yīng)用中表現(xiàn)更優(yōu)。
- 超小封裝尺寸：封裝尺寸為 1.53 mm × 0.77 mm，焊盤間距為 0.50 -mm，高度僅 0.36 -mm。如此小巧的尺寸，非常適合對空間要求苛刻的應(yīng)用場景。
- 集成 ESD 保護二極管：能夠有效保護器件免受靜電放電的損害，提高了器件的可靠性和穩(wěn)定性。
產(chǎn)品參數(shù)
| 參數(shù) | 測試條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|---|
| (B_{V DSS})（漏 - 源電壓） | (V{GS} = 0 V)，(I{DS} = –250 μA) | -20 | - | - | V |
| (I_{DSS})（漏 - 源泄漏電流） | (V{GS} = 0 V)，(V{DS} = –16 V) | - | - | -100 | nA |
| (I_{GSS})（柵 - 源泄漏電流） | (V{DS} = 0 V)，(V{GS} = –12 V) | - | - | -25 | nA |
| (V_{GS(th)})（柵 - 源閾值電壓） | (V{DS} = V{GS})，(I_{DS} = –250 μA) | -0.7 | -0.95 | -1.3 | V |
| (R_{DS(on)})（漏 - 源導(dǎo)通電阻） | (V{GS} = –1.8 V)，(I{DS} = –0.1 A) | 89 | - | 250 | mΩ |
| (V{GS} = –2.5 V)，(I{DS} = –0.9 A) | 51 | - | 70 | mΩ | |
| (V{GS} = –4.5 V)，(I{DS} = –0.9 A) | 35 | - | 42 | mΩ | |
| (V{GS} = –8 V)，(I{DS} = –0.9 A) | 29.7 | - | 35 | mΩ | |
| (g_{fs})（跨導(dǎo)） | (V{DS} = –2 V)，(I{DS} = –0.9 A) | - | 7 | - | S |
應(yīng)用場景
該器件主要適用于工業(yè)負載開關(guān)應(yīng)用和通用開關(guān)應(yīng)用。在工業(yè)負載開關(guān)中，其低導(dǎo)通電阻和低柵極電荷特性能夠有效降低功耗，提高系統(tǒng)效率；在通用開關(guān)應(yīng)用中，超小的封裝尺寸可以節(jié)省電路板空間，使設(shè)計更加緊湊。
絕對最大額定值
| 參數(shù) | 數(shù)值 | 單位 |
|---|---|---|
| (V_{DS})（漏 - 源電壓） | -20 | V |
| (V_{GS})（柵 - 源電壓） | -12 | V |
| (I_{D})（連續(xù)漏極電流） | -3.2（條件 1） -5.3（條件 2） |
A |
| (I_{DM})（脈沖漏極電流） | -31 | A |
| (P_{D})（功率耗散） | 0.5（條件 1） 1.4（條件 2） |
W |
| (V_{(ESD)})（人體模型） | 4000 | V |
| （充電器件模型） | 2000 | V |
| (T{J})，(T{stg})（工作結(jié)溫、存儲溫度） | -55 至 150 | °C |
這里需要注意不同條件下的參數(shù)差異，例如連續(xù)漏極電流和功率耗散在不同的銅面積條件下有不同的值，這與散熱情況密切相關(guān)。
熱信息
熱阻是衡量器件散熱性能的重要指標。該器件在不同的安裝條件下有不同的熱阻：
- 當器件安裝在具有 1 -in2（6.45 -cm2）、2 -oz（0.071 -mm）厚銅的 FR4 材料上時，典型結(jié) - 環(huán)境熱阻 (R_{theta JA}) 為 90 °C/W。
- 當器件安裝在最小銅安裝面積的 FR4 材料上時，典型結(jié) - 環(huán)境熱阻 (R_{theta JA}) 為 245 °C/W。
在設(shè)計電路時，我們需要根據(jù)實際的散熱需求和安裝條件來考慮熱阻對器件性能的影響。
典型 MOSFET 特性
文檔中給出了多個典型特性曲線，包括瞬態(tài)熱阻抗、飽和特性、轉(zhuǎn)移特性、柵極電荷、電容特性、閾值電壓與溫度關(guān)系、導(dǎo)通電阻與溫度關(guān)系、最大安全工作區(qū)、二極管正向電壓以及最大漏極電流與溫度關(guān)系等。這些曲線能夠幫助我們更深入地了解器件在不同條件下的性能表現(xiàn)。例如，從導(dǎo)通電阻與溫度關(guān)系曲線中，我們可以看到隨著溫度的升高，導(dǎo)通電阻會發(fā)生變化，這在設(shè)計時需要考慮對電路性能的影響。
機械、封裝和訂購信息
機械尺寸
器件的封裝尺寸為 1.53 mm × 0.77 mm，高度為 0.36 mm，引腳配置為：Pin 1 為柵極，Pin 2 為源極，Pin 3 為漏極。
推薦 PCB 布局和模板圖案
文檔中給出了推薦的最小 PCB 布局和模板圖案，這些設(shè)計能夠幫助我們更好地進行電路板設(shè)計，確保器件的性能和可靠性。例如，在 PCB 布局中，要注意焊盤尺寸和間距的設(shè)計，以保證良好的焊接質(zhì)量。
訂購信息
提供了不同的訂購型號，如 CSD25485F5、CSD25485F5.B、CSD25485F5T、CSD25485F5T.B，它們在包裝數(shù)量、載體等方面有所不同。同時，還給出了詳細的包裝信息，包括卷盤尺寸、載帶尺寸、盒子尺寸等。
總結(jié)
CSD25485F5 -20V P-Channel FemtoFET? MOSFET 以其低導(dǎo)通電阻、低柵極電荷、超小封裝尺寸和集成 ESD 保護等特性，為工業(yè)負載開關(guān)和通用開關(guān)應(yīng)用提供了一個優(yōu)秀的解決方案。在設(shè)計過程中，我們需要充分考慮器件的各項參數(shù)和特性，結(jié)合實際應(yīng)用需求進行合理設(shè)計。大家在使用這款器件時，有沒有遇到過什么特別的問題或者有什么獨特的設(shè)計思路呢？歡迎在評論區(qū)分享交流。
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CSD25485F5 20V P 溝道 FemtoFET MOSFET
–20V P溝道FemtoFET? MOSFET CSD25501F3數(shù)據(jù)表
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