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高效同步降壓DC-DC轉(zhuǎn)換器MAX17543:設(shè)計(jì)與應(yīng)用詳解

h1654155282.3538 ? 2026-03-09 15:00 ? 次閱讀
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高效同步降壓DC-DC轉(zhuǎn)換器MAX17543:設(shè)計(jì)與應(yīng)用詳解

在電子設(shè)備的電源設(shè)計(jì)中,高效、穩(wěn)定的DC-DC轉(zhuǎn)換器是至關(guān)重要的組件。今天,我們就來深入探討一款高性能的同步降壓DC-DC轉(zhuǎn)換器——MAX17543。

文件下載:MAX17543.pdf

產(chǎn)品概述

MAX17543是一款高效、高壓的同步降壓DC-DC轉(zhuǎn)換器,集成了MOSFET,能夠在4.5V至42V的寬輸入電壓范圍內(nèi)工作。它可以提供高達(dá)2.5A的輸出電流,輸出電壓范圍為0.9V至0.9 x VIN。在-40°C至+125°C的溫度范圍內(nèi),反饋(FB)電壓的精度可達(dá)±1.1%。該器件采用峰值電流模式控制,可在脈沖寬度調(diào)制(PWM)、脈沖頻率調(diào)制(PFM)或不連續(xù)導(dǎo)通模式(DCM)控制方案下工作,采用20引腳(4mm x 4mm)TQFN封裝,并且提供仿真模型。

產(chǎn)品優(yōu)勢與特性

減少外部組件和總成本

  • 肖特基同步操作:無需額外的肖特基二極管,簡化了電路設(shè)計(jì)。
  • 內(nèi)部補(bǔ)償:針對任何輸出電壓都能實(shí)現(xiàn)內(nèi)部補(bǔ)償,減少了外部補(bǔ)償組件的使用。
  • 內(nèi)置軟啟動(dòng):避免了啟動(dòng)時(shí)的浪涌電流,保護(hù)電路元件。
  • 全陶瓷電容和緊湊布局:使用全陶瓷電容,減小了電路板面積,提高了布局的緊湊性。

減少DC-DC穩(wěn)壓器庫存

  • 寬輸入電壓范圍:4.5V至42V的寬輸入范圍,適用于多種電源場景。
  • 可調(diào)輸出電壓:輸出電壓可在0.9V至0.9 x VIN之間調(diào)節(jié),滿足不同的應(yīng)用需求。
  • 可調(diào)開關(guān)頻率:開關(guān)頻率可在100kHz至2.2MHz之間調(diào)節(jié),并支持外部同步。

降低功耗

  • 高峰值效率:峰值效率超過90%,提高了能源利用率。
  • PFM/DCM模式:在輕載時(shí)采用PFM/DCM模式,提高了輕載效率。
  • 低關(guān)機(jī)電流:關(guān)機(jī)電流僅為2.8μA,降低了待機(jī)功耗。

適應(yīng)惡劣工業(yè)環(huán)境

  • 峰值電流限制保護(hù):保護(hù)器件免受過載和短路的影響。
  • 內(nèi)置輸出電壓監(jiān)控和復(fù)位:實(shí)時(shí)監(jiān)控輸出電壓,確保系統(tǒng)的穩(wěn)定性。
  • 編程EN/UVLO閾值:可根據(jù)需要設(shè)置使能和欠壓鎖定閾值。
  • 單調(diào)啟動(dòng)到預(yù)偏置負(fù)載:在預(yù)偏置負(fù)載下能夠平穩(wěn)啟動(dòng)。
  • 過溫保護(hù):當(dāng)器件溫度過高時(shí),自動(dòng)關(guān)閉,保護(hù)器件安全。
  • 寬工作溫度范圍:可在-40°C至+125°C的環(huán)境溫度下工作,結(jié)溫范圍為-40°C至+150°C。

電氣特性

輸入電源

  • 輸入電壓范圍:4.5V至42V。
  • 輸入關(guān)機(jī)電流:在關(guān)機(jī)模式下,輸入電流僅為2.8μA(典型值)。
  • 輸入靜態(tài)電流:在不同模式下,輸入靜態(tài)電流有所不同,如PFM模式下為118μA(典型值)。

使能/欠壓鎖定

  • EN/UVLO閾值:上升閾值為1.215V(典型值),下降閾值為1.09V(典型值)。
  • EN/UVLO輸入泄漏電流:在+25oC時(shí),輸入泄漏電流為0nA(典型值)。

LDO

  • VCC輸出電壓范圍:在6V < VIN < 42V,IVCC = 1mA時(shí),VCC輸出電壓為5V(典型值)。
  • VCC電流限制:最大電流限制為54mA(典型值)。
  • VCC壓降:在VIN = 4.5V,IVCC = 20mA時(shí),VCC壓降為4.2V(典型值)。
  • VCC欠壓鎖定:上升閾值為4.2V(典型值),下降閾值為3.8V(典型值)。

功率MOSFET和BST驅(qū)動(dòng)器

  • 高端nMOS導(dǎo)通電阻:在ILX = 0.3A時(shí),導(dǎo)通電阻為165mΩ(典型值)。
  • 低端nMOS導(dǎo)通電阻:在ILX = 0.3A時(shí),導(dǎo)通電阻為80mΩ(典型值)。
  • LX泄漏電流:在+25oC時(shí),泄漏電流為0μA(典型值)。

軟啟動(dòng)

在VSS = 0.5V時(shí),充電電流為5μA(典型值)。

反饋

  • FB調(diào)節(jié)電壓:在不同模式下,F(xiàn)B調(diào)節(jié)電壓有所不同,如在MODE = SGND或MODE = VCC時(shí),為0.9V(典型值)。
  • FB輸入偏置電流:在+25oC時(shí),輸入偏置電流為0nA(典型值)。

模式

  • MODE閾值:在不同模式下,MODE閾值不同,如在DCM模式下,為VCC - 1.6V。

電流限制

  • 峰值電流限制閾值:為3.7A(典型值)。
  • 失控電流限制閾值:為4.3A(典型值)。
  • 谷值電流限制閾值:在不同模式下有所不同,如在MODE = open/VCC時(shí),為0A(典型值)。
  • PFM電流限制閾值:為0.75A(典型值)。

RT和SYNC

  • 開關(guān)頻率:可通過連接不同的電阻到RT引腳來設(shè)置開關(guān)頻率,如RRT = 40.2kΩ時(shí),開關(guān)頻率為500kHz(典型值)。
  • SYNC頻率捕獲范圍:為1.1 x fSW至1.4 x fSW。
  • SYNC脈沖寬度:最小為50ns。
  • SYNC閾值:高電平閾值為2.1V,低電平閾值為0.8V。

打嗝時(shí)間

打嗝超時(shí)時(shí)間為32,768個(gè)周期。

最小導(dǎo)通時(shí)間和關(guān)斷時(shí)間

  • 最小導(dǎo)通時(shí)間:為135ns。
  • 最小關(guān)斷時(shí)間:為140ns(典型值)。

LX死區(qū)時(shí)間

為5ns。

復(fù)位

  • 復(fù)位輸出低電平:在RESET = 10mA時(shí),輸出低電平為0.4V(典型值)。
  • 復(fù)位輸出泄漏電流:在+25°C,VRESET = 5.5V時(shí),泄漏電流為0A(典型值)。
  • FB復(fù)位閾值:下降閾值為92%VFB-REG(典型值),上升閾值為95%VFB-REG(典型值)。
  • 復(fù)位解除延遲:在FB達(dá)到95%調(diào)節(jié)后,延遲1024個(gè)周期。

熱關(guān)斷

  • 熱關(guān)斷閾值:溫度上升時(shí),為165°C。
  • 熱關(guān)斷遲滯:為10°C。

典型應(yīng)用電路

文檔中給出了不同輸出電壓和開關(guān)頻率的典型應(yīng)用電路,如5V輸出、500kHz開關(guān)頻率的電路和3.3V輸出、500kHz開關(guān)頻率的電路等。這些電路為工程師提供了實(shí)際應(yīng)用的參考。

引腳配置與功能

引腳配置

MAX17543采用20引腳TQFN封裝,引腳配置如下: PIN NAME FUNCTION
1–3 VIN 電源輸入,4.5V至42V輸入電源范圍。
4 EN/UVLO 使能/欠壓鎖定,驅(qū)動(dòng)高電平以啟用輸出電壓。
5 RESET 開漏復(fù)位輸出,監(jiān)控輸出電壓。
6 SYNC 可用于與外部時(shí)鐘同步。
7 SS 軟啟動(dòng)輸入,連接電容設(shè)置軟啟動(dòng)時(shí)間。
8 CF 在開關(guān)頻率低于500kHz時(shí),連接電容到FB引腳。
9 FB 反饋輸入,連接到外部電阻分壓器設(shè)置輸出電壓。
10 RT 連接電阻設(shè)置調(diào)節(jié)器的開關(guān)頻率。
11 MODE 配置器件工作在PWM、PFM或DCM模式。
12 VCC 5V LDO輸出,旁路電容到SGND。
13 SGND 模擬地。
14–16 PGND 功率地,連接到功率接地平面。
17–19 LX 開關(guān)節(jié)點(diǎn),連接到電感的開關(guān)側(cè)。
20 BST 升壓飛電容,連接0.1μF陶瓷電容到LX。
- EP 暴露焊盤,連接到SGND,提高散熱能力。

引腳功能詳解

  • VIN:提供電源輸入,需要使用2.2μF電容進(jìn)行去耦,放置在靠近VIN和PGND引腳處。
  • EN/UVLO:通過連接到VIN和SGND之間的電阻分壓器中心節(jié)點(diǎn),設(shè)置器件開啟的輸入電壓。
  • RESET:當(dāng)FB電壓低于設(shè)定值的92%時(shí),RESET輸出低電平;當(dāng)FB電壓高于設(shè)定值的95%時(shí),經(jīng)過1024個(gè)時(shí)鐘周期后,RESET輸出高電平。
  • SYNC:可將內(nèi)部振蕩器與外部時(shí)鐘信號同步,外部時(shí)鐘頻率需在1.1 x fSW至1.4 x fSW之間。
  • SS:連接電容到SGND,設(shè)置軟啟動(dòng)時(shí)間。
  • CF:在開關(guān)頻率低于500kHz時(shí),連接電容到FB引腳,用于環(huán)路補(bǔ)償。
  • FB:連接到外部電阻分壓器的中心節(jié)點(diǎn),設(shè)置輸出電壓。
  • RT:連接電阻到SGND,設(shè)置開關(guān)頻率。
  • MODE:配置器件的工作模式,如PWM、PFM或DCM模式。
  • VCC:提供5V LDO輸出,需要使用2.2μF陶瓷電容進(jìn)行旁路。
  • SGND:模擬地,與PGND在VCC旁路電容的接地返回路徑處連接。
  • PGND:功率地,連接到功率接地平面。
  • LX:開關(guān)節(jié)點(diǎn),連接到電感的開關(guān)側(cè)。
  • BST:連接0.1μF陶瓷電容到LX,用于升壓。
  • EP:暴露焊盤,連接到SGND,連接到IC下方的大銅平面,提高散熱能力。

工作模式

PWM模式

在PWM模式下,電感電流允許為負(fù),提供恒定頻率的操作,適用于對開關(guān)頻率敏感的應(yīng)用。但在輕載時(shí),效率低于PFM和DCM模式。

PFM模式

PFM模式禁用負(fù)電感電流,并在輕載時(shí)跳過脈沖以提高效率。在PFM模式下,電感電流在每個(gè)時(shí)鐘周期被強(qiáng)制為750mA的固定峰值,直到輸出電壓達(dá)到標(biāo)稱電壓的102.3%。此時(shí),高低端FET均關(guān)閉,器件進(jìn)入休眠模式,直到輸出電壓下降到標(biāo)稱電壓的101.1%。在休眠模式下,大部分內(nèi)部模塊關(guān)閉以節(jié)省靜態(tài)電流。PFM模式的優(yōu)點(diǎn)是輕載時(shí)效率高,但輸出電壓紋波比PWM或DCM模式高,且輕載時(shí)開關(guān)頻率不恒定。

DCM模式

DCM模式通過在輕載時(shí)禁用負(fù)電感電流而不是跳過脈沖,實(shí)現(xiàn)比PFM模式更低負(fù)載下的恒定頻率操作。DCM模式的效率介于PWM和PFM模式之間。

關(guān)鍵參數(shù)設(shè)置

開關(guān)頻率設(shè)置

開關(guān)頻率可通過連接電阻從RT引腳到SGND進(jìn)行編程,范圍為100kHz至2.2MHz。開關(guān)頻率(fSW)與連接在RT引腳的電阻(RRT)的關(guān)系為: [R{RT} cong frac{21 × 10^{3}}{f{SW}} - 1.7] 其中,(R{RT})的單位為kΩ,(f{SW})的單位為kHz。如果RT引腳開路,則器件以默認(rèn)的500kHz開關(guān)頻率工作。

輸入欠壓鎖定設(shè)置

通過連接從VIN到SGND的電阻分壓器,將分壓器的中心節(jié)點(diǎn)連接到EN/UVLO引腳,可設(shè)置器件開啟的電壓。選擇R1為3.3MΩ,然后根據(jù)以下公式計(jì)算R2: [R2 = frac{R1 × 1.215}{(V{INU} - 1.215)}] 其中,(V{INU})是器件需要開啟的電壓,且(V_{INU})應(yīng)高于0.8 x VOUT。

輸出電壓調(diào)整

通過連接從輸出電容正端(VOUT)到SGND的電阻分壓器,將分壓器的中心節(jié)點(diǎn)連接到FB引腳,可設(shè)置輸出電壓。計(jì)算電阻R3和R4的公式如下: [R3 = frac{216 × 10^{3}}{(f{C} × C{OUT})}] [R4 = frac{R3 × 0.9}{(V{OUT} - 0.9)}] 其中,R3的單位為kΩ,交叉頻率(f{C})的單位為kHz,輸出電容(COUT)的單位為μF。如果開關(guān)頻率小于或等于500kHz,選擇(f{C})為開關(guān)頻率的1/9;如果開關(guān)頻率大于500kHz,選擇(f{C})為55kHz。

保護(hù)功能

過流保護(hù)/打嗝模式

MAX17543具有強(qiáng)大的過流保護(hù)方案,在過載和輸出短路條件下保護(hù)器件。當(dāng)高端開關(guān)電流超過內(nèi)部限制3.7A(典型值)時(shí),逐周期峰值電流限制會(huì)關(guān)閉高端MOSFET。高端開關(guān)電流的失控電流限制為4.3A(典型值),可在高輸入電壓、短路條件下保護(hù)器件。一旦觸發(fā)失控電流限制,將進(jìn)入打嗝模式。此外,如果在軟啟動(dòng)完成后,由于故障條件,反饋電壓降至0.58V(典型值),也會(huì)觸發(fā)打嗝模式。在打嗝模式下,轉(zhuǎn)換器會(huì)暫停開關(guān)操作32,768個(gè)時(shí)鐘周期,然后再次嘗試軟啟動(dòng)。

復(fù)位輸出

器件包含一個(gè)復(fù)位比較器,用于監(jiān)控輸出電壓。開漏復(fù)位輸出需要一個(gè)外部上拉電阻。當(dāng)調(diào)節(jié)器輸出電壓高于設(shè)計(jì)標(biāo)稱調(diào)節(jié)電壓的95%時(shí),經(jīng)過1024個(gè)開關(guān)周期后,RESET輸出高電平(高阻抗);當(dāng)調(diào)節(jié)器輸出電壓降至標(biāo)稱調(diào)節(jié)電壓的92%以下時(shí),RESET輸出低電平。在熱關(guān)斷時(shí),RESET也會(huì)輸出低電平。

預(yù)偏置輸出

當(dāng)器件啟動(dòng)到預(yù)偏置輸出時(shí),高低端開關(guān)均關(guān)閉,以防止轉(zhuǎn)換器從輸出吸收電流。直到PWM比較器發(fā)出第一個(gè)PWM脈沖,開關(guān)才開始工作,輸出電壓隨后平穩(wěn)上升到目標(biāo)值。

熱關(guān)斷保護(hù)

熱關(guān)斷保護(hù)限制了器件的總功耗。當(dāng)器件的結(jié)溫超過+165oC時(shí),片上熱傳感器會(huì)關(guān)閉器件,使其冷卻。當(dāng)結(jié)溫下降10oC后,熱傳感器會(huì)再次開啟器件。熱關(guān)斷時(shí),軟啟動(dòng)會(huì)復(fù)位。在正常操作中,需要仔細(xì)評估總功耗,以避免不必要的熱關(guān)斷觸發(fā)。

元件選擇

輸入電容選擇

輸入濾波電容可減少從電源汲取的峰值電流,降低電路開關(guān)引起的輸入噪聲和電壓紋波。輸入電容的RMS電流要求(IRMS)可通過以下公式計(jì)算: [IRMS = I{OUT(MAX)} × frac{sqrt{V{OUT} × (V{IN} - V{OUT})}}{V{IN}}] 其中,(I{OUT(MAX)})是最大負(fù)載電流。當(dāng)輸入電壓等于輸出電壓的兩倍((V{IN} = 2 × VOUT))時(shí),(IRMS)達(dá)到最大值,即(I{RMS(MAX)} = I{OUT(MAX)} / 2)。為了獲得最佳的長期可靠性,應(yīng)選擇在RMS輸入電流下溫度上升小于+10oC的輸入電容。建議在輸入使用低ESR陶瓷電容,具有高紋波電流能力。在工業(yè)應(yīng)用中,推薦使用X7R電容,因?yàn)樗鼈兙哂袦囟确€(wěn)定性。輸入電容的計(jì)算公式為: [C{IN} = frac{I{OUT(MAX)} × D × (1 - D)}{eta × f{SW} × Delta V{IN}}] 其中,(D = V{OUT} / V{IN})是控制器的占空比,(f{SW})是開關(guān)頻率,(Delta V_{IN})是允許的輸入電壓紋波,(eta)是效率。

電感選擇

與器件配合使用時(shí),需要指定三個(gè)關(guān)鍵電感參數(shù):電感值(L)、電感飽和電流((I{SAT}))和直流電阻((R{DCR}))。開關(guān)頻率和輸出電壓決定了電感值,計(jì)算公式為: [L = frac{V{OUT}}{f{SW}}] 其中,(V{OUT})和(f{SW})是標(biāo)稱值。應(yīng)選擇最接近計(jì)算值、尺寸合適且直流電阻盡可能低的低損耗電感。電感的飽和

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