深入解析ADP2311:雙路1A、18V同步降壓調(diào)節(jié)器的卓越性能與應(yīng)用
在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域,電源管理芯片的性能直接影響著整個(gè)系統(tǒng)的穩(wěn)定性和效率。今天,我們就來(lái)詳細(xì)探討一款高性能的雙路同步降壓調(diào)節(jié)器——ADP2311。
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一、ADP2311概述
ADP2311是一款完全集成的雙路輸出同步降壓DC - DC調(diào)節(jié)器。其輸入電壓范圍為4.5V至18V,輸出電壓可低至0.6V,每個(gè)通道能夠提供高達(dá)1A的連續(xù)輸出電流。該調(diào)節(jié)器具有諸多出色的特性,使其在工業(yè)、醫(yī)療等眾多領(lǐng)域的DC - DC負(fù)載點(diǎn)應(yīng)用中表現(xiàn)出色。
(一)關(guān)鍵特性
- 高精度輸出:輸出精度達(dá)到±1.0%,確保了穩(wěn)定的電壓輸出。
- 集成MOSFET:集成了典型值為110mΩ/60mΩ的高低側(cè)MOSFET,實(shí)現(xiàn)了高效、緊湊的解決方案。
- 電源故障監(jiān)測(cè):具備電源故障比較器,可生成警告信號(hào);還有可編程延遲定時(shí)器的上電復(fù)位功能,以及用于通道2掉電的可調(diào)電壓監(jiān)測(cè)器。
- 雙相操作:兩個(gè)通道以180°異相運(yùn)行,有效降低了輸入紋波電流和輸入電容的尺寸,從而降低了系統(tǒng)的電磁干擾(EMI)。
- 固定開關(guān)頻率:開關(guān)頻率固定為300kHz,并集成了內(nèi)部補(bǔ)償和軟啟動(dòng)電路,簡(jiǎn)化了設(shè)計(jì)過程。
- 多重保護(hù)功能:擁有欠壓鎖定(UVLO)、過壓保護(hù)(OVP)、過流保護(hù)(OCP)和熱關(guān)斷(TSD)等保護(hù)功能,增強(qiáng)了系統(tǒng)的可靠性。
(二)典型應(yīng)用領(lǐng)域
ADP2311適用于工業(yè)和儀器儀表、醫(yī)療保健和醫(yī)療設(shè)備等領(lǐng)域的DC - DC負(fù)載點(diǎn)應(yīng)用。這些領(lǐng)域?qū)﹄娫吹姆€(wěn)定性和可靠性要求極高,ADP2311正好能夠滿足這些需求。
二、性能參數(shù)與規(guī)格
(一)電氣參數(shù)
| ADP2311的各項(xiàng)電氣參數(shù)在不同的測(cè)試條件下都有明確的規(guī)定。例如,電源輸入電壓范圍為4.5V至18V,靜態(tài)電流在不同條件下有相應(yīng)的數(shù)值,反饋電壓調(diào)節(jié)精度高,內(nèi)部調(diào)節(jié)器輸出電壓穩(wěn)定等。具體參數(shù)如下表所示: | 參數(shù) | 符號(hào) | 測(cè)試條件/注釋 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 電源輸入 | PVIN1, PVIN2引腳 | ||||||
| 電源輸入電壓范圍 | V_PVIN | 無(wú)開關(guān),F(xiàn)B1 = FB2 = 0.65V,EN = GND | 4.5 | 18 | V | ||
| 靜態(tài)電流(PVIN1 + PVIN2) | I_Q | 3.5 | 1.2 | 1.5 | mA | ||
| 關(guān)斷電流(PVIN1 + PVIN2) | I_SHDN | 10 | 20 | μA | |||
| PVINx欠壓鎖定閾值(上升) | 4.2 | 4.5 | V | ||||
| PVINx欠壓鎖定閾值(下降) | 3.7 | V | |||||
| 反饋 | FB1, FB2引腳 | ||||||
| FBx調(diào)節(jié)電壓 | V_FB | TJ = 0°C至+85°C | 0.594 | 0.6 | 0.606 | V | |
| FBx調(diào)節(jié)電壓 | V_FB | TJ = -40°C至+125°C | 0.591 | 0.6 | 0.609 | V | |
| FBx偏置電流 | I_FB | 0.01 | 0.1 | μA | |||
| 內(nèi)部調(diào)節(jié)器 | VREG引腳,I_VREG = 5mA | ||||||
| VREG電壓 | 4.7 | 5 | 5.3 | V | |||
| 壓差電壓 | 30 | 70 | mV | ||||
| 調(diào)節(jié)器電流限制 | 300 | 50 | mA | ||||
| MOSFET導(dǎo)通電阻 | 引腳到引腳測(cè)量,V_BST到V_SW = 5V,VREG = 5V | ||||||
| 高端導(dǎo)通電阻 | R_DSON | 110 | 158 | mΩ | |||
| 低端導(dǎo)通電阻 | R_DSON | 60 | 90 | mΩ | |||
| 開關(guān)節(jié)點(diǎn) | SW1, SW2引腳,I_SW = 0.5A | ||||||
| SWx最小導(dǎo)通時(shí)間 | t_MIN_ON | 250 | 350 | ns | |||
| SWx最小關(guān)斷時(shí)間 | t_MIN_OFF | 100 | ns | ||||
| PWM開關(guān)頻率 | f_SW | 165 | 300 | kHz | |||
| 軟啟動(dòng)時(shí)間 | t_SS | EN引腳,EN電壓低于下降閾值 | 1.02 | 512 | 1.28 | 周期 | |
| 使能 | |||||||
| EN上升閾值 | EN電壓高于上升閾值 | 1.2 | V | ||||
| EN下降閾值 | 1.1 | V | |||||
| EN源電流 | 1 | 5 | μA | ||||
| 上電復(fù)位 | POR引腳,下降閾值(V_FB1和V_FB2),V_POR = 5V,I_POR = 1mA | ||||||
| 上電復(fù)位閾值 | 93.5 | 96.5 | % | ||||
| 上電復(fù)位遲滯 | 1 | % | |||||
| 上電復(fù)位默認(rèn)消抖時(shí)間 | 90 | ms | |||||
| POR泄漏電流 | 0.1 | μA | |||||
| POR輸出低電壓 | 65 | mV | |||||
| 電源故障輸入和輸出 | PFI和PFO引腳 | ||||||
| 電源故障輸入閾值 | V_PFI | 上升閾值,V_PFI = 1.2V | 0.591 | 0.6 | 0.609 | V | |
| 電源故障輸入遲滯 | V_PFI_HYST | 25 | 33 | mV | |||
| 電源故障消抖時(shí)間 | 8 | 50 | 周期 | ||||
| PFI泄漏電流 | 10 | 1 | nA | ||||
| PFO泄漏電流 | 10 | 90 | μA | ||||
| PFO輸出低電壓 | V_PFO = 5V,I_PFO = 1mA | 0.1 | 65 | mV | |||
| 電壓監(jiān)測(cè)比較器 | VM2引腳 | ||||||
| VM2輸入閾值(下降) | 0.585 | 0.6 | 0.615 | V | |||
| VM2輸入遲滯 | 50 | 65 | mV | ||||
| VM2泄漏電流 | 10 | 50 | nA | ||||
| POR定時(shí)器 | TIMER引腳 | ||||||
| TIMER引腳拉電流 | 3 | μA | |||||
| 看門狗 | WDI和RSTO引腳 | ||||||
| 復(fù)位閾值電壓 | 監(jiān)測(cè)VFB2 | 93.5 | 95 | 96.5 | % | ||
| 復(fù)位閾值遲滯 | 1.5 | % | |||||
| 復(fù)位超時(shí)時(shí)間 | tRP | 0.883 | 1 | 1.17 | ms | ||
| 看門狗超時(shí)時(shí)間 | tWD | 見訂購(gòu)指南 | |||||
| 選項(xiàng)1 | 83 | 100 | 117 | ms | |||
| 選項(xiàng)2 | 41 | 50 | 58 | ms | |||
| 選項(xiàng)3 | 125 | 150 | 175 | ms | |||
| 選項(xiàng)4 | 167 | 200 | 233 | ms | |||
| WDI脈沖寬度 | 80 | ns | |||||
| WDI輸入高電壓 | 1.2 | V | |||||
| WDI輸入低電壓 | 0.4 | V | |||||
| RSTO輸出低電壓 | IRSTO = 1mA | 65 | 90 | mV | |||
| RSTO泄漏電流 | VRSTO = 5V | 0.1 | 1 | μA | |||
| 熱性能 | |||||||
| 熱關(guān)斷閾值 | 150 | °C | |||||
| 熱關(guān)斷遲滯 | 15 | °C |
(二)絕對(duì)最大額定值
為了確保芯片的安全使用,需要了解其絕對(duì)最大額定值。例如,PVIN1、PVIN2、EN引腳的電壓范圍為 - 1V至 + 20V,SW1、SW2引腳的電壓為VSW + 6V等。在實(shí)際設(shè)計(jì)中,必須嚴(yán)格遵守這些額定值,避免芯片損壞。
(三)熱阻
熱阻是衡量芯片散熱性能的重要指標(biāo)。ADP2311采用24引腳LFCSP封裝,其熱阻θJA為36.8°C/W,θJC為1.64°C/W。在設(shè)計(jì)散熱方案時(shí),需要考慮這些參數(shù),以保證芯片在正常工作溫度范圍內(nèi)。
(四)ESD注意事項(xiàng)
ADP2311是靜電放電(ESD)敏感設(shè)備。盡管該產(chǎn)品具有專利或?qū)S?a href="http://m.makelele.cn/tags/保護(hù)電路/" target="_blank">保護(hù)電路,但高能量ESD仍可能對(duì)設(shè)備造成損壞。因此,在處理和使用該芯片時(shí),必須采取適當(dāng)?shù)腅SD預(yù)防措施,以避免性能下降或功能喪失。
三、引腳配置與功能說明
ADP2311的引腳配置決定了其與外部電路的連接方式和功能實(shí)現(xiàn)。以下是部分關(guān)鍵引腳的功能說明:
- GND:模擬地,連接到接地平面。
- VREG:內(nèi)部5V調(diào)節(jié)器輸出,為IC控制電路供電,建議在VREG和GND之間放置一個(gè)1μF的陶瓷電容。
- TIMER:用于設(shè)置POR序列和延遲時(shí)間。
- PFI:電源故障比較器輸入,通過外部電阻分壓器連接到PVIN2,用于監(jiān)測(cè)輸入電壓。當(dāng)PFI電壓低于閾值時(shí),PFO引腳被拉低。
- PFO:電源故障輸出(開漏)。
- FB1、FB2:分別為通道1和通道2的反饋電壓檢測(cè)輸入,通過外部電阻分壓器連接到相應(yīng)通道的輸出電壓。
- SW1、SW2:分別為通道1和通道2的開關(guān)節(jié)點(diǎn)。
- BST1、BST2:分別為通道1和通道2的柵極驅(qū)動(dòng)電源軌,建議在SWx和BSTx之間放置一個(gè)0.1μF的電容。
正確理解和使用這些引腳,對(duì)于實(shí)現(xiàn)ADP2311的功能至關(guān)重要。在設(shè)計(jì)電路板時(shí),需要根據(jù)引腳功能進(jìn)行合理的布局和連接。
四、工作原理分析
(一)控制方案
ADP2311采用固定頻率、電流模式脈沖寬度調(diào)制(PWM)控制架構(gòu)。在每個(gè)振蕩周期開始時(shí),高端MOSFET導(dǎo)通,電感上施加正電壓,電感電流增加。當(dāng)電流檢測(cè)信號(hào)超過峰值電感電流閾值時(shí),高端MOSFET關(guān)斷,低端MOSFET導(dǎo)通,電感上施加負(fù)電壓,電感電流減小。低端MOSFET在周期的剩余時(shí)間內(nèi)保持導(dǎo)通。
(二)使能/關(guān)斷功能
ADP2311的兩個(gè)通道都有一個(gè)精密使能引腳EN。EN引腳有一個(gè)5μA的內(nèi)部下拉電流源,當(dāng)EN引腳懸空時(shí),默認(rèn)關(guān)閉。當(dāng)EN引腳電壓超過1.2V(典型值)時(shí),通道1和通道2啟用,EN引腳的內(nèi)部下拉電流源減小到1μA,允許用戶編程輸入電壓UVLO。當(dāng)EN引腳電壓低于1.1V(典型值)時(shí),通道1、通道2和所有內(nèi)部電路關(guān)閉,設(shè)備進(jìn)入關(guān)斷模式。
(三)內(nèi)部調(diào)節(jié)器(VREG)
內(nèi)部調(diào)節(jié)器為內(nèi)部控制電路提供穩(wěn)定的電壓供應(yīng),并為低端柵極驅(qū)動(dòng)器提供偏置電壓。建議在VREG和GND之間放置一個(gè)1μF的陶瓷電容。內(nèi)部調(diào)節(jié)器還包括一個(gè)限流電路,用于保護(hù)芯片。
(四)自舉電路
ADP2311集成了自舉調(diào)節(jié)器,為高端MOSFET提供柵極驅(qū)動(dòng)電壓。調(diào)節(jié)器在BSTx引腳和SWx引腳之間產(chǎn)生5V的自舉電壓。建議在BSTx和SWx引腳之間放置一個(gè)X7R或X5R、0.1μF的陶瓷電容。
(五)軟啟動(dòng)
ADP2311集成了軟啟動(dòng)電路,用于限制輸出電壓的上升時(shí)間,減少啟動(dòng)時(shí)的浪涌電流。軟啟動(dòng)時(shí)間固定為512個(gè)時(shí)鐘周期(1.7ms)。
(六)過流保護(hù)
ADP2311具有峰值電流限制保護(hù)電路,以防止電流失控。高端MOSFET的峰值電流限制在2A(典型值)。當(dāng)峰值電感電流達(dá)到電流限制閾值時(shí),高端MOSFET關(guān)斷,低端MOSFET導(dǎo)通,過流計(jì)數(shù)器遞增。如果過流計(jì)數(shù)器達(dá)到10,設(shè)備進(jìn)入打嗝模式,在4096個(gè)時(shí)鐘周期后嘗試軟啟動(dòng)。
(七)上電復(fù)位(POR)
POR引腳是一個(gè)高電平有效、開漏輸出的引腳,需要一個(gè)電阻將其拉高到一個(gè)電壓。POR閾值參考FBx引腳電壓(V_FB),并以V_FB的百分比表示。POR功能在下降和上升閾值之間有1.5%的遲滯。
(八)看門狗定時(shí)器
看門狗定時(shí)器電路用于監(jiān)測(cè)處理器的活動(dòng)。在啟動(dòng)過程中,看門狗定時(shí)器電路在FB2電壓高于復(fù)位閾值且復(fù)位超時(shí)時(shí)間(tRP)過去之前,不響應(yīng)WDI引腳的脈沖。如果WDI引腳保持高電平或低電平的時(shí)間超過看門狗超時(shí)時(shí)間(tWD),則RSTO引腳被拉低,處理器將被復(fù)位。
五、應(yīng)用設(shè)計(jì)要點(diǎn)
(一)輸入電容選擇
輸入電容的作用是減少PVINx引腳上開關(guān)電流引起的輸入電壓紋波。建議選擇10μF至47μF的陶瓷電容,并將其盡可能靠近PVINx引腳放置。同時(shí),要確保輸入電容的電壓額定值大于最大輸入電壓,rms電流額定值大于根據(jù)公式 (I{CIN_RMS}=I{OUT}×sqrt{D×(1 - D)}) 計(jì)算的值,其中D為占空比(D = V_OUT / V_IN)。
(二)輸出電壓設(shè)置
ADP2311的輸出電壓可以通過外部電阻分壓器設(shè)置,公式為 (V{OUT}=0.6×(1+frac{R{TOP}}{R{BOT}}))。為了將由于FB偏置電流(最大0.1μA)導(dǎo)致的輸出電壓精度下降限制在小于0.5%(最大),需要確保 (R{BOT}<30kΩ)。
(三)電感選擇
電感值由工作頻率、輸入電壓、輸出電壓和電感紋波電流決定。一般來(lái)說,電感紋波電流ΔIL通常設(shè)置為最大負(fù)載電流的三分之一。電感值可以通過公式 (L=frac{(V{IN}-V{OUT})×D}{Delta I{L}×f_{SW}}) 計(jì)算,其中VIN為輸入電壓,Vout為輸出電壓,D為占空比,f_sw為開關(guān)頻率。同時(shí),要確保電感的飽和電流大于峰值電感電流。
(四)輸出電容選擇
輸出電容的選擇會(huì)影響輸出電壓紋波和調(diào)節(jié)器的環(huán)路動(dòng)態(tài)。ADP2311設(shè)計(jì)用于與具有低等效串聯(lián)電阻(ESR)和低等效串聯(lián)電感(ESL)的小陶瓷電容配合使用。為了保證低輸出電壓紋波,應(yīng)選擇ESR較低的電容,ESR應(yīng)滿足 (ESR{C{OUT}}≤frac{Delta V{RIPPLE}}{Delta I{L}})。建議選擇X5R或X7R介質(zhì)的陶瓷電容。
六、總結(jié)
ADP2311是一款功能強(qiáng)大、性能卓越的雙路同步降壓調(diào)節(jié)器。其集成的MOSFET、多種保護(hù)功能、精確的電壓監(jiān)測(cè)和控制電路,使其在工業(yè)、醫(yī)療等領(lǐng)域的DC - DC負(fù)載點(diǎn)應(yīng)用中具有很大的優(yōu)勢(shì)。在設(shè)計(jì)過程中,我們需要根據(jù)其性能
-
電源管理
+關(guān)注
關(guān)注
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