電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 3 月 11 日，IBM 與美國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備制造商泛林（Lam Research）共同宣布一項(xiàng)為期五年的戰(zhàn)略合作協(xié)議，雙方將聚焦亞 1nm 尖端邏輯制程的開(kāi)發(fā)。這一合作標(biāo)志著半導(dǎo)體行業(yè)向“埃米時(shí)代”（Angstrom Era，1 納米 = 10 埃米）邁出實(shí)質(zhì)性一步，也揭示出在 AI 算力需求爆發(fā)式增長(zhǎng)的背景下，產(chǎn)業(yè)界如何應(yīng)對(duì)逼近物理極限的制造挑戰(zhàn)。

當(dāng)前，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正處于關(guān)鍵轉(zhuǎn)型期。一方面，生成式 AI、高性能計(jì)算、邊緣計(jì)算等新興領(lǐng)域快速發(fā)展，催生了對(duì)更高算力、更低功耗芯片的爆發(fā)式需求，傳統(tǒng)制程在性能與功耗的平衡上已逐漸逼近極限；另一方面，半導(dǎo)體制程向 2nm 及以下節(jié)點(diǎn)演進(jìn)時(shí)，硅基材料的物理特性帶來(lái)難以逾越的瓶頸，量子隧穿效應(yīng)、短溝道效應(yīng)愈發(fā)顯著，傳統(tǒng)平面微縮路徑已難以為繼，行業(yè)亟需在材料、工藝、設(shè)備協(xié)同創(chuàng)新中尋找新突破。

在此背景下，亞 1nm 制程已成為全球半導(dǎo)體企業(yè)競(jìng)爭(zhēng)的核心賽道。目前，臺(tái)積電、三星、英特爾等國(guó)際巨頭均已布局相關(guān)技術(shù)研發(fā)：臺(tái)積電計(jì)劃在 2030 年實(shí)現(xiàn) 1nm 制程量產(chǎn)，三星則通過(guò)引進(jìn) High NA EUV 設(shè)備加速下一代制程布局。
單一企業(yè)的技術(shù)積累已難以滿足尖端制程研發(fā)的復(fù)雜需求，“研發(fā) + 設(shè)備” 強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)合成為破解技術(shù)瓶頸的必然選擇，這也為 IBM 與泛林的深度合作奠定了行業(yè)基礎(chǔ)。

根據(jù)協(xié)議，雙方將重點(diǎn)聚焦三大核心領(lǐng)域：
·新材料研發(fā)：探索適用于亞 1nm 節(jié)點(diǎn)的晶體管溝道、柵極及互連材料。
·先進(jìn)蝕刻 / 沉積工藝：開(kāi)發(fā)原子級(jí)別的蝕刻（ALE）和原子層沉積（ALD）技術(shù)，以構(gòu)建復(fù)雜的 3D 器件結(jié)構(gòu)。
·High-NA EUV 光刻聯(lián)合開(kāi)發(fā)：攻克高數(shù)值孔徑極紫外光刻技術(shù)從圖案化到器件轉(zhuǎn)移的完整工藝鏈，保障高良率。

雙方將結(jié)合 IBM 位于紐約州奧爾巴尼園區(qū)的先進(jìn)研究能力與泛林的端到端工藝工具和創(chuàng)新技術(shù)，共同構(gòu)建并驗(yàn)證納米片、納米堆疊器件以及背面供電的完整工藝流程。這些能力旨在將 High NA EUV 圖案可靠地轉(zhuǎn)移到實(shí)際器件層中，實(shí)現(xiàn)高良率，并支持持續(xù)微縮化、性能提升以及未來(lái)邏輯器件的可行量產(chǎn)路徑。

IBM 半導(dǎo)體總經(jīng)理 Mukesh Khare 表示：“十多年來(lái)，泛林一直是 IBM 的重要合作伙伴，為邏輯微縮和器件架構(gòu)方面的關(guān)鍵突破做出了貢獻(xiàn)，例如納米片技術(shù)，以及 IBM 于 2021 年發(fā)布的全球首款 2nm 節(jié)點(diǎn)芯片。我們很高興能夠擴(kuò)大合作，共同應(yīng)對(duì)下一階段的挑戰(zhàn)，推動(dòng)高數(shù)值孔徑極紫外光刻技術(shù)與 1nm 以下節(jié)點(diǎn)工藝落地?！?br />
泛林首席技術(shù)與可持續(xù)發(fā)展官 Vahid Vahedi 則指出：“隨著行業(yè)進(jìn)入 3D 微縮的新時(shí)代，技術(shù)進(jìn)步取決于重新思考如何將材料、工藝和光刻技術(shù)整合為單一的高密度系統(tǒng)。我們很榮幸能在與 IBM 成功合作的基礎(chǔ)上，進(jìn)一步推動(dòng) High NA EUV 干式光刻膠與工藝突破，加速開(kāi)發(fā)低功耗、高性能晶體管，這對(duì) AI 時(shí)代至關(guān)重要?！?br />