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深入剖析Microchip MTCH650/2:可編程電壓升壓芯片的卓越之選

璟琰乀 ? 2026-03-12 15:25 ? 次閱讀
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深入剖析Microchip MTCH650/2:可編程電壓升壓芯片的卓越之選

電子工程師的日常工作里,為各類應用挑選合適的芯片一直都是至關重要的任務。今天咱們就來詳細探討一下Microchip公司的MTCH650和MTCH652這兩款可編程電壓升壓芯片,看看它們究竟有哪些獨特之處。

文件下載:MTCH650T-I MV.pdf

芯片特性總覽

MTCH650和MTCH652都具備1.8V至5.5V較寬的輸入電壓范圍,且靜態(tài)電流小于200μA,關機電流低至1.5μA,這使得它們在低功耗應用場景中表現(xiàn)出色。不過,二者也存在一些差異。MTCH650擁有21路高壓I/O線,每路輸出可提供5mA電流,最大輸出電流能達到100mA,還支持3.6至18V的外部VPPIN電壓范圍;而MTCH652則有19路高壓I/O線,內置升壓電路、內部開關和放電電路,在VIN = 3.6V和VOUT = 12V的條件下,最大輸出電流可達50mA。它的升壓電路由外部PWM驅動,輸出電壓可選6V、8V、10V、12V、14V、16V和18V,還具備可選擇的限流和軟啟動功能。

引腳功能解析

兩款芯片的引腳配置較為相似,都采用28引腳封裝,包括SOIC、SSOP和UQFN(4x4)三種類型。關鍵引腳功能如下:

  • VDD:輸入電壓引腳,需要用最小1μF的電容進行去耦接地。它是芯片的能量入口,穩(wěn)定的輸入電壓對芯片正常工作起著關鍵作用,工程師在設計時要特別注意去耦電容的選擇和布局。
  • VPP/VPPIN:MTCH650的VPPIN為升壓電壓輸入,MTCH652的VPP為升壓電壓輸出,同樣需要用1μF電容去耦接地。這兩個引腳與芯片的升壓功能緊密相關,電容的參數(shù)選取直接影響到升壓的穩(wěn)定性和效率。
  • OE:輸出使能輸入,邏輯為‘0’時所有輸出鎖存器接地,為‘1’時設置為驅動‘1’的輸出鎖存器輸出升壓電壓,在關機或軟啟動瞬態(tài)時,OE狀態(tài)被忽略,所有輸出為高阻態(tài)。它就像是一個開關,控制著輸出的通斷,在實際應用中合理使用OE引腳可以有效管理功耗。
  • LE:鎖存使能輸入,低電平有效,用于鎖存串行數(shù)據(jù)。當它從低電平變?yōu)楦唠娖綍r,數(shù)據(jù)會被內部鎖存。這一機制確保了數(shù)據(jù)的準確傳輸和存儲,對于可靠的系統(tǒng)運行至關重要。
  • DIN和CLK:分別為串行數(shù)據(jù)輸入和時鐘輸入,用于配置芯片。就像兩條信息傳輸?shù)耐ǖ溃ㄟ^它們可以將用戶的配置信息準確無誤地傳遞給芯片。
  • OUTxx:高壓輸出引腳,為外部設備提供高壓驅動。輸出的穩(wěn)定性和驅動能力直接影響到外部設備的性能,所以在設計時要充分考慮負載的需求。

工作原理與配置

上電復位(POR)

芯片內部的POR電路會使芯片處于復位狀態(tài),直到VDD達到VPOR。POR不可配置,當POR激活時,所有鎖存器清零;當VDD低于VPOR時,內部移位寄存器復位為全‘0’。這一機制保證了芯片在啟動時處于可預測的初始狀態(tài),為后續(xù)的正常工作奠定基礎。

串行接口

通過串行接口可在芯片工作時進行配置,時鐘和串行數(shù)據(jù)流用于配置一個3字節(jié)寬的移位寄存器,之后使用LE輸入鎖存所需數(shù)據(jù)。

  • 加載數(shù)據(jù):移位寄存器從右向左移位,數(shù)據(jù)需按MSB優(yōu)先、LSB最后的順序輸入。數(shù)據(jù)字用于選擇要通過OE循環(huán)的HV輸出,配置字用于設置關機狀態(tài)、升壓電壓、電流限制等選項。在實際操作中,要確保數(shù)據(jù)的輸入順序正確,否則可能導致芯片配置錯誤。
  • 配置字:將數(shù)據(jù)流的LSB設置為‘0’可選擇配置字,在用戶模式下,使用MTCH652時可選擇升壓電路的輸出電壓和電流限制。這一功能為用戶提供了靈活調整芯片性能的手段,以適應不同的應用需求。
  • 數(shù)據(jù)字:由三個字節(jié)的數(shù)據(jù)組成,用于設置MTCH650的21個輸出引腳或MTCH652的19個輸出引腳的高低電平。數(shù)據(jù)字的設置直接決定了輸出引腳的狀態(tài),從而影響到與芯片相連的外部設備的工作情況。

電壓升壓接口(MTCH652)

MTCH652內置電壓升壓電路,通過調制輸入信號結合外部電感和電容從VDD生成可選的高壓。

  • 輸入:OSCIN為調制輸入信號,通常來自PWM,占空比范圍一般為60%至90%;VOUT<2:0>為3位輸出電壓選擇設置;ILIM<1:0>為2位電流限制設置;VPPIN為MTCH650的HV輸入。這些輸入?yún)?shù)的合理設置對于升壓電路的性能至關重要,工程師需要根據(jù)具體的應用場景進行精確調整。
  • 輸出:VPP為升壓電路的HV輸出,LC為升壓電路的外部電感和電容連接。輸出的穩(wěn)定性和電壓值直接影響到外部設備的正常工作,所以要確保輸出參數(shù)符合設計要求。
  • 軟啟動:升壓電路具備自動軟啟動功能,可防止高初始浪涌電流拉低電源,導致系統(tǒng)欠壓。在啟用升壓電路后的最初16384個OSCIN周期(1MHz OSCIN頻率下約16ms)內,電流限制在約200mA,軟啟動超時后,電流限制恢復到ILIM<1:0>設置的值。軟啟動功能可以有效保護電源和其他電路元件,提高系統(tǒng)的可靠性。
  • VPP放電:當VOUT<2:0>的值更改為較低電壓且電路處于活動狀態(tài)時,VPP放電晶體管啟用,直到達到新的較低VOUT值。這一功能可以快速調整輸出電壓,提高系統(tǒng)的響應速度。

應用設計要點

元件選擇

  • 輸入電容:使用輸入旁路電容可減少從輸入電源汲取的峰值電流瞬變和升壓產(chǎn)生的開關噪聲,通常選用1μF至10μF的陶瓷低ESR X5R或X7R電容。在對高頻噪聲極為敏感的應用中,可將較小、帶寬較高的電容與標準推薦值并聯(lián);在使用遠低于1MHz開關頻率或峰值電感電流大于1A的情況下,也可將更大容量的電容與標準值并聯(lián)。合適的輸入電容可以提高電源的穩(wěn)定性,減少噪聲干擾。
  • 輸出電容:輸出電容有助于在突然的負載瞬變期間提供穩(wěn)定的輸出電壓并減少輸出電壓紋波,同樣推薦使用X5R和X7R陶瓷電容,典型值為1μF至10μF。不過要注意,增加電容值會增加升壓電壓切換時的上升和下降時間。
  • 電感:MTCH652可搭配小型表面貼裝電感,典型電感值為1μH至10μH,初始評估推薦使用2.2μH的電感。選擇電感時需要考慮最大額定電流、飽和電流和銅電阻(ESR)等參數(shù),較低的ESR值可提高轉換器的效率,但這通常需要在元件尺寸和效率之間進行權衡。合理的電感選擇可以提高升壓電路的效率和穩(wěn)定性。

PCB布局

在進行PCB布局時,要注意采用合理的布線技術。高電流路徑應使用短而寬的走線,輸入和輸出電容要盡可能靠近MTCH652以減小環(huán)路面積。HV輸出應遠離開關節(jié)點和開關電流環(huán)路,必要時使用接地平面和走線來屏蔽反饋信號,減少噪聲和磁干擾。當MTCH650/2與敏感信號線一起使用時,HV輸出應進行屏蔽或遠離這些信號線。良好的PCB布局可以提高系統(tǒng)的抗干擾能力和穩(wěn)定性。

應用實例

MTCH650/2使用起來非常簡便,只需配置配置字和數(shù)據(jù)字即可。以PIC?微控制器和MTCH652的典型應用為例:

  • 連接:需要從主機側連接PWM(僅MTCH652)、OE、LE、SDO(串行數(shù)據(jù)輸出)和SCLK(串行數(shù)據(jù)時鐘輸出)引腳,這些引腳可以來自標準MSSP模塊或通過位操作實現(xiàn)。正確的連接方式是確保芯片正常工作的前提,工程師在連接時要仔細核對引腳定義。
  • 初始化:首先將主機用于OE和LE功能的I/O端口配置為輸出,將OE設置為低電平,LE設置為高電平;然后將主機SPI端口配置為1MHz或等效的位操作功能;主機發(fā)送命令將MTCH650/2的配置字設置為默認值;對于MTCH652,還需要配置主機PWM以在正確的I/O引腳輸出,建議PWM初始頻率為500kHz,占空比為70%,后續(xù)可根據(jù)需要調整參數(shù)以優(yōu)化效率和紋波。
  • SPI操作:遵循PIC MCU MSSP SPI默認設置,先使LE無效,主機在CLK為低電平時改變DIN狀態(tài),MTCH650/2在CLK的低到高轉換時鎖存數(shù)據(jù),時鐘同步所有串行數(shù)據(jù)后使LE有效,將新數(shù)據(jù)鎖存到MTCH650/2內部寄存器。
  • 升壓電壓設置:通過配置字中的VOUT<2:0>設置升壓電壓,升壓電壓變化的上升和下降時間取決于ILIM、電容和VPP,用戶在更改升壓電壓時要確保新的VPP電壓穩(wěn)定到正確值。
  • 低功耗模式:要實現(xiàn)低功耗或關機模式,可將VOUT<2:0>設置為000,并關閉PWM。
  • HV電平轉換器和OE控制:通過數(shù)據(jù)字中的OUTSEL<20:0>位控制HV電平轉換器,只有在OUTSEL中設置的位在OE有效時才會在HV電平轉換器上設置升壓電壓,其他位保持在VSS的非激活狀態(tài);OE無效時,所有HV電平轉換器保持在VSS。需要注意的是,MTCH652的電流驅動能力有限,同時驅動所有HV電平轉換器可能會導致升壓電壓意外下降,此時可降低升壓電壓或使用帶有外部高壓電源的MTCH650。

電氣特性與包裝信息

電氣特性

芯片的電氣特性涵蓋絕對最大額定值、標準工作條件、DC特性、模擬AC特性以及熱特性等方面。在實際應用中,必須確保芯片的工作條件在這些特性規(guī)定的范圍內,以保證芯片的性能和可靠性。例如,要注意環(huán)境溫度、電壓范圍、電流限制等參數(shù),避免超出芯片的承受能力。

包裝信息

芯片提供28引腳的SOIC、SSOP和UQFN(4x4)封裝,每種封裝都有相應的標記信息和詳細的尺寸規(guī)格。在進行產(chǎn)品設計時,要根據(jù)實際需求選擇合適的封裝形式,并參考相關的封裝圖紙進行PCB設計

總的來說,Microchip的MTCH650和MTCH652芯片憑借其豐富的功能、低功耗特性和靈活的配置選項,在高壓驅動應用中具有很大的優(yōu)勢。電子工程師在設計相關電路時,可以充分利用它們的特點,但也要注意在元件選擇、PCB布局和芯片配置等方面遵循相應的規(guī)則和建議,以確保系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性。大家在使用這兩款芯片的過程中,有沒有遇到什么特別的問題或者獨特的應用經(jīng)驗呢?歡迎在評論區(qū)分享交流。

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