91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

SU-8光刻膠的光學(xué)特性研究:190-1680nm波段的光譜橢偏分析

Flexfilm ? 2026-03-13 18:02 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

SU-8是一種在微納加工領(lǐng)域應(yīng)用廣泛的環(huán)氧基負(fù)性光刻膠,因其能夠制備高深寬比微結(jié)構(gòu)而備受關(guān)注,在微機(jī)電系統(tǒng)、光波導(dǎo)和生物醫(yī)學(xué)器件等領(lǐng)域具有重要價(jià)值。準(zhǔn)確掌握其光學(xué)常數(shù)(折射率n和消光系數(shù)k)對(duì)于器件設(shè)計(jì)與工藝優(yōu)化至關(guān)重要。然而,現(xiàn)有研究多集中于有限波段(300-800 nm),且缺乏系統(tǒng)的測(cè)量與建模,難以滿足寬光譜應(yīng)用的需求。Flexfilm費(fèi)曼儀器全光譜橢偏儀可以非接觸對(duì)薄膜的厚度折射率的高精度表征,廣泛應(yīng)用于薄膜材料、半導(dǎo)體和表面科學(xué)等領(lǐng)域。

本研究采用光譜橢偏技術(shù),結(jié)合反射與透射測(cè)量模式,在190-1680 nm寬波段范圍內(nèi)對(duì)SU-8的光學(xué)函數(shù)進(jìn)行了系統(tǒng)表征。通過B樣條、四高斯振蕩器Cody-Lorentz三種模型對(duì)實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)進(jìn)行擬合與比較,并結(jié)合含時(shí)密度泛函理論計(jì)算從分子層面驗(yàn)證吸收機(jī)制,最終建立了SU-8完整的光學(xué)函數(shù)模型,為其在光電器件和微細(xì)加工領(lǐng)域的應(yīng)用提供了可靠的數(shù)據(jù)支撐。

1

橢偏術(shù)原理

flexfilm

光譜橢偏是一種利用偏振光反射來表征薄膜的光學(xué)技術(shù)。通過適當(dāng)?shù)慕?,橢偏數(shù)據(jù)可以提供薄膜厚度、粗糙度、組分濃度比以及薄膜的光學(xué)函數(shù)(即折射率n和消光系數(shù)k)。橢偏是一種理想的 analytical 技術(shù),因?yàn)樗ǔ?焖?、非破壞性,可在環(huán)境條件下進(jìn)行,并且能夠?qū)崿F(xiàn)對(duì)樣品的實(shí)時(shí)原位監(jiān)測(cè)。

2

SU-8光刻膠

flexfilm

c1ef92aa-1ec3-11f1-96ea-92fbcf53809c.jpg

四聚體SU-8單體/低聚物及其在光酸發(fā)生劑和紫外光存在下發(fā)生的聚合反應(yīng)

c201594a-1ec3-11f1-96ea-92fbcf53809c.jpg

標(biāo)準(zhǔn)SU-8薄膜加工工藝流程

SU-8是一種基于環(huán)氧樹脂的高分辨率負(fù)性光刻膠,能夠形成具有垂直側(cè)壁的高深寬比結(jié)構(gòu),厚度可達(dá)500至750微米。其名稱源于“SU”(代表紫外結(jié)構(gòu)化)“8”(代表其單體/低聚物中平均擁有的八個(gè)環(huán)氧基團(tuán))。SU-8通常以單體/低聚物和光酸發(fā)生器(如三芳基锍鹽)溶解于有機(jī)溶劑(如γ-丁內(nèi)酯或環(huán)戊酮)中的溶液形式存在。在紫外光曝光下,光酸發(fā)生器誘導(dǎo)陽離子光聚合,使環(huán)氧基團(tuán)交聯(lián)。隨后的曝光后烘焙加熱過程會(huì)增強(qiáng)交聯(lián)并再生酸催化劑,從而顯著提高光刻膠的靈敏度,并使其具備高機(jī)械強(qiáng)度和熱穩(wěn)定性。

交聯(lián)后的SU-8薄膜對(duì)酸、堿和溶劑具有良好的耐受性,因此在眾多領(lǐng)域中得到應(yīng)用,包括單模和多模聚合物光波導(dǎo)、微透鏡、干涉儀、衍射光柵以及光遺傳學(xué)探針等。由于其良好的透光性、相對(duì)較高的折射率以及聚合后約7.5%的低收縮率,SU-8在光電子學(xué)領(lǐng)域具有重要價(jià)值。此外,與硅基材料相比,SU-8具有更高的柔韌性(比模量約4.02 GPa),因此特別適用于微機(jī)械表面應(yīng)力傳感器、慣性傳感器、諧振器以及懸臂梁式傳感器等。

例如,固化后的SU-8懸臂梁提高了原子力顯微鏡的成像速度。在微技術(shù)領(lǐng)域,SU-8也被用于制造具有超順磁性的微型機(jī)器人。未固化的SU-8則可作為有效的犧牲層用于表面微加工。基于SU-8的微機(jī)電系統(tǒng)因其生物相容性和電學(xué)性能而被廣泛應(yīng)用于生物醫(yī)學(xué)領(lǐng)域,例如藥物輸送容器、神經(jīng)探針、涂層電極以及適用于微流控和納流控的嵌入式微通道。因此,理解和模擬SU-8的光學(xué)函數(shù)對(duì)于其微加工工藝和應(yīng)用都至關(guān)重要。

3

實(shí)驗(yàn)方法

flexfilm

樣品制備

為消除基底背反射對(duì)橢偏信號(hào)的干擾,本研究采用硅片粗糙面及粗糙化玻璃作為沉積基底?;捉?jīng)食人魚溶液清洗、去離子水漂洗后進(jìn)行脫水烘焙(200°C, 10 min)。隨后旋涂增粘劑OmniCoat(3000 rpm, 30 s)并軟烘焙(200°C, 1 min)。SU-8 2025光刻膠以約4 mL的用量旋涂于基底表面,通過階梯轉(zhuǎn)速控制(500 rpm, 6 s → 4000 rpm, 30 s → 6000 rpm, 2 s)獲得約25 μm厚的均勻薄膜。涂膠后依次進(jìn)行軟烘焙(65°C, 1 min → 95°C, 5 min)以去除溶劑。

紫外曝光采用365 nm波長(zhǎng)光源,曝光劑量為8.8 mW/cm2,均勻照射整個(gè)樣品表面(無掩模圖案)。曝光后進(jìn)行后烘(65°C, 1 min → 95°C, 5 min → 65°C, 1 min)以促進(jìn)交聯(lián)反應(yīng),最后經(jīng)硬烘焙(150°C, 5 min)完成固化。

橢偏測(cè)量與數(shù)據(jù)分析

采用Flexfilm全光譜橢偏儀進(jìn)行數(shù)據(jù)采集。反射模式測(cè)量在52°、57°62°三個(gè)入射角下進(jìn)行,透射模式測(cè)量則將樣品置于光源與檢測(cè)器之間(光路垂直于樣品表面)。所有數(shù)據(jù)均使用CompleteEASE軟件進(jìn)行建模分析。

為監(jiān)測(cè)SU-8在固化過程中的光學(xué)變化,進(jìn)行了4小時(shí)的原位反射測(cè)量(入射角75°,采樣間隔2.6 s)。數(shù)據(jù)按時(shí)間均分為20段,每段數(shù)據(jù)平均后采用四高斯振蕩器模型進(jìn)行擬合。

量子化學(xué)計(jì)算

c20f9956-1ec3-11f1-96ea-92fbcf53809c.jpg

使用CREST和xTB方法定位的SU-8單體模型三維結(jié)構(gòu)

采用CAM-B3LYP/6-31G**方法進(jìn)行含時(shí)密度泛函理論計(jì)算,模擬SU-8單體的紫外-可見吸收光譜。通過PM6半經(jīng)驗(yàn)方法和CREST/xTB緊束縛方法進(jìn)行構(gòu)象搜索,獲得兩個(gè)穩(wěn)定的單體結(jié)構(gòu)用于激發(fā)態(tài)計(jì)算。

4

實(shí)驗(yàn)結(jié)果與討論

flexfilm

光學(xué)模型的建立與比較

本研究采用三種不同策略對(duì)SU-8的光學(xué)函數(shù)進(jìn)行建模:

c229493c-1ec3-11f1-96ea-92fbcf53809c.png

B樣條模型擬合:(A)反射橢偏Ψ和Δ光譜(B)透射光譜(C) SU-8光學(xué)函數(shù)

B樣條模型:采用自適應(yīng)節(jié)點(diǎn)分布(高能區(qū)節(jié)點(diǎn)間距0.1 eV,低能區(qū)0.3 eV),強(qiáng)制滿足Kramers-Kronig關(guān)系。該模型擬合效果最佳,MSE值僅為1.52。由此獲得的光學(xué)函數(shù)顯示SU-8在λ > 400 nm波段完全透明(k ≈ 0),折射率呈現(xiàn)正常色散;短波區(qū)域出現(xiàn)明顯的吸收峰和折射率異常色散。

c2465bc6-1ec3-11f1-96ea-92fbcf53809c.png

高斯振蕩器模型擬合:(A)反射橢偏Ψ和Δ光譜(B)透射光譜(C) SU-8光學(xué)函數(shù)

高斯振蕩器模型:包含四個(gè)高斯振蕩器描述主要吸收特征(位于約6.1、5.3、4.4和3.8 eV處),并引入紫外極點(diǎn)(11.7 eV)和紅外極點(diǎn)(振幅設(shè)為零)以考慮測(cè)量范圍外的吸收貢獻(xiàn),MSE值為2.146。

c265a260-1ec3-11f1-96ea-92fbcf53809c.png

Cody-Lorentz模型擬合:(A)反射橢偏Ψ和Δ光譜(B)透射光譜(C) SU-8光學(xué)函數(shù)

Cody-Lorentz模型:結(jié)合Cody-Lorentz帶隙振蕩器和三個(gè)高斯振蕩器,描述從帶邊到高能區(qū)域的完整吸收譜。帶隙參數(shù)擬合為3.378 eV,與文獻(xiàn)報(bào)道的SU-8吸收邊位置(350-360 nm)高度一致,MSE值為2.232。

所有模型均引入基于Bruggeman有效介質(zhì)近似的表面粗糙層(50% SU-8 + 50%空隙),使擬合優(yōu)度提升25%以上,表明表面形貌對(duì)橢偏測(cè)量具有不可忽視的影響。

原位固化過程監(jiān)測(cè)

c285605a-1ec3-11f1-96ea-92fbcf53809c.jpg

4小時(shí)內(nèi)采集的原位數(shù)據(jù)均勻分為20個(gè)部分,經(jīng)平均后擬合:(A)全部20個(gè)部分的Ψ和Δ光譜疊加圖;(B)全部20個(gè)部分的光學(xué)常數(shù)疊加圖

對(duì)未顯影SU-8在環(huán)境光下的固化過程進(jìn)行4小時(shí)連續(xù)監(jiān)測(cè)。20個(gè)時(shí)間段平均數(shù)據(jù)的擬合結(jié)果表明,無論是橢偏參數(shù)(Ψ, Δ)還是提取的光學(xué)函數(shù)(n, k),在整個(gè)過程中均未發(fā)生可檢測(cè)的變化。這一結(jié)果證實(shí)聚合反應(yīng)主要涉及環(huán)氧基團(tuán)的開環(huán)交聯(lián),而作為主要生色團(tuán)的芳環(huán)結(jié)構(gòu)未受影響,因此光學(xué)性質(zhì)保持穩(wěn)定。

理論計(jì)算與實(shí)驗(yàn)結(jié)果的對(duì)比

c2989b3e-1ec3-11f1-96ea-92fbcf53809c.jpg

兩種SU-8單體模型的CAM-B3LYP/6-31G** TD-DFT激發(fā)結(jié)果

TD-DFT計(jì)算預(yù)測(cè)SU-8單體的主要電子躍遷為π→π*躍遷(具有電荷轉(zhuǎn)移特性),激發(fā)能位于5.9-6.1 eV區(qū)間,振蕩強(qiáng)度分別為0.48和0.66。這一結(jié)果與實(shí)驗(yàn)測(cè)得的6.1 eV附近強(qiáng)吸收峰高度吻合。然而,計(jì)算未能復(fù)現(xiàn)4.5 eV處的實(shí)驗(yàn)吸收峰,該特征可能來源于SU-8配方中的光酸發(fā)生劑或其他添加劑成分。

c2a6d028-1ec3-11f1-96ea-92fbcf53809c.png

本研究中使用的兩種基于振蕩器的模型參數(shù):(a)帶有三個(gè)高斯振蕩器的Cody-Lorentz模型和(b)四高斯振蕩器模型

本研究利用三種不同模型對(duì)SU-8光刻膠進(jìn)行了詳細(xì)的光譜橢偏分析,并由此確定了材料的光學(xué)函數(shù)。其中,B樣條模型獲得了最低的MSE值。然而,四高斯模型在時(shí)間研究的原位數(shù)據(jù)分析中表現(xiàn)更佳。該原位分析未顯示光刻膠在顯影過程中的光學(xué)性質(zhì)有任何變化。TD-DFT計(jì)算預(yù)測(cè)的吸收峰(主要來自光刻膠中的芳基)與橢偏實(shí)驗(yàn)結(jié)果一致。

Flexfilm費(fèi)曼儀器全光譜橢偏儀

flexfilm

c2c069b6-1ec3-11f1-96ea-92fbcf53809c.jpg

Flexfilm費(fèi)曼儀器全光譜橢偏儀擁有高靈敏度探測(cè)單元光譜橢偏儀分析軟件,專門用于測(cè)量和分析光伏領(lǐng)域中單層或多層納米薄膜的層構(gòu)參數(shù)(如厚度)和物理參數(shù)(如折射率n、消光系數(shù)k)

  • 先進(jìn)的旋轉(zhuǎn)補(bǔ)償器測(cè)量技術(shù):無測(cè)量死角問題。
  • 粗糙絨面納米薄膜的高靈敏測(cè)量:先進(jìn)的光能量增強(qiáng)技術(shù),高信噪比的探測(cè)技術(shù)。
  • 秒級(jí)的全光譜測(cè)量速度:全光譜測(cè)量典型5-10秒。
  • 原子層量級(jí)的檢測(cè)靈敏度:測(cè)量精度可達(dá)0.05nm。

Flexfilm費(fèi)曼儀器全光譜橢偏儀能非破壞、非接觸地原位精確測(cè)量超薄圖案化薄膜的厚度、折射率,結(jié)合費(fèi)曼儀器全流程薄膜測(cè)量技術(shù),助力半導(dǎo)體薄膜材料領(lǐng)域的高質(zhì)量發(fā)展。

#光刻膠#負(fù)性光刻膠#環(huán)氧基光刻膠#光譜橢偏法表征薄膜#費(fèi)曼儀器

原文參考:《Spectroscopic ellipsometry of SU-8 photoresist from 190 to 1680 nm (0.740–6.50 eV)》

*特別聲明:本公眾號(hào)所發(fā)布的原創(chuàng)及轉(zhuǎn)載文章,僅用于學(xué)術(shù)分享和傳遞行業(yè)相關(guān)信息。未經(jīng)授權(quán),不得抄襲、篡改、引用、轉(zhuǎn)載等侵犯本公眾號(hào)相關(guān)權(quán)益的行為。內(nèi)容僅供參考,如涉及版權(quán)問題,敬請(qǐng)聯(lián)系,我們將在第一時(shí)間核實(shí)并處理。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 材料
    +關(guān)注

    關(guān)注

    3

    文章

    1536

    瀏覽量

    28671
  • 光譜
    +關(guān)注

    關(guān)注

    4

    文章

    1042

    瀏覽量

    37227
  • 光刻膠
    +關(guān)注

    關(guān)注

    10

    文章

    355

    瀏覽量

    31808
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    光刻膠的類型及特性

    光刻膠類型及特性光刻膠(Photoresist),又稱光致抗蝕劑,是芯片制造中光刻工藝的核心材料。其性能直接影響芯片制造的精度、效率和可靠性。本文介紹了
    的頭像 發(fā)表于 04-29 13:59 ?9723次閱讀
    <b class='flag-5'>光刻膠</b>的類型及<b class='flag-5'>特性</b>

    Futurrex高端光刻膠

    于正負(fù)型光刻膠且顯影速度快。 RR41 & 5系列 化學(xué)品,具有獨(dú)特性能的光刻膠去膠液,并能安全的去除多種臨時(shí)涂層,且與Si、III/V基襯底、II/VI襯底、氧化銦錫(ITO)及銅
    發(fā)表于 04-21 10:57

    Microchem SU-8光刻膠 2000系列

    、SU-8光刻膠在近紫外光(365nm- 400nm)范圍內(nèi)光吸收度很低,且整個(gè)光刻膠層所獲得的曝光量均勻一致,可得到具有垂直側(cè)壁和高深寬比
    發(fā)表于 07-04 14:42

    光刻膠

    SU-8光刻膠 SU-8光刻膠克服了普通光刻膠采用UV光刻深寬比不足的問題,在近紫外光(365
    發(fā)表于 07-12 11:57

    光刻膠在集成電路制造中的應(yīng)用

    。光刻機(jī)的曝光波長(zhǎng)也在由紫外譜g線 (436nm)→i線(365nm)→248nm→193nm→極紫外光(EUV)→X射線,甚至采用非
    發(fā)表于 08-23 11:56

    光刻膠有什么分類?生產(chǎn)流程是什么?

    光刻膠也稱為光致抗蝕劑,是一種光敏材料,它受到光照后特性會(huì)發(fā)生改變。光刻膠主要用來將光刻掩膜版上的圖形轉(zhuǎn)移到晶圓片上。光刻膠有正
    發(fā)表于 11-07 09:00

    負(fù)光刻膠顯影殘留原因

    151n光刻膠曝光顯影后開口底部都會(huì)有一撮殘留,找不到原因。各位幫分析
    發(fā)表于 04-20 13:13

    光刻膠的原理和正負(fù)光刻膠的主要組分是什么

    ),保持光刻膠的液體狀態(tài),使之具有良好的流動(dòng)性;添加劑(Additive),用以改變光刻膠的某些特性,如改善光刻膠發(fā)生反射而添加染色劑等。
    的頭像 發(fā)表于 10-21 16:40 ?2.4w次閱讀

    光刻膠黏度如何測(cè)量?光刻膠需要稀釋嗎?

    光刻膠在未曝光之前是一種黏性流體,不同種類的光刻膠具有不同的黏度。黏度是光刻膠的一項(xiàng)重要指標(biāo)。那么光刻膠的黏度為什么重要?黏度用什么表征?哪些光刻膠
    發(fā)表于 11-13 18:14 ?3143次閱讀
    <b class='flag-5'>光刻膠</b>黏度如何測(cè)量?<b class='flag-5'>光刻膠</b>需要稀釋嗎?

    SU-8光刻膠起源、曝光、特性

    在紫外光照射下,三芳基碘鹽光敏劑被激活,釋放活性碘離子。這些活性碘離子與SU-8光刻膠中的丙烯酸酯單體反應(yīng),引發(fā)單體之間的交聯(lián)反應(yīng),導(dǎo)致SU-8光刻膠在曝光區(qū)域形成凝膠化的圖案。
    的頭像 發(fā)表于 03-31 16:25 ?9464次閱讀
    <b class='flag-5'>SU-8</b><b class='flag-5'>光刻膠</b>起源、曝光、<b class='flag-5'>特性</b>

    光刻膠的一般特性介紹

    評(píng)價(jià)一款光刻膠是否適合某種應(yīng)用需要綜合看這款光刻膠的特定性能,這里給出光刻膠一般特性的介紹。 1. 靈敏度 靈敏度(sensitivity)是衡量曝光速度的指標(biāo)。
    的頭像 發(fā)表于 07-10 13:43 ?2714次閱讀

    如何成功進(jìn)行微流控SU-8光刻膠的紫外曝光?

    為了成功紫外曝光并且根據(jù)所需要的分辨率,光刻膠掩模必須盡可能的靠近SU-8光刻膠放置,不要有任何干擾。如要這樣做,可檢查如下幾件事。 首先,光掩模和晶圓之間的灰塵或任何其他元素的存在都會(huì)導(dǎo)致不完
    的頭像 發(fā)表于 08-23 14:39 ?2535次閱讀

    如何成功的旋涂微流控SU-8光刻膠?

    在微流控PDMS芯片或SU-8模具制作的過程中,需要把PDMSSU-8光刻膠根據(jù)所需要的厚度來選擇合適的旋涂轉(zhuǎn)速并且使PDMS
    的頭像 發(fā)表于 08-26 14:16 ?1426次閱讀

    如何成功的烘烤微流控SU-8光刻膠?

    在微流控PDMS芯片加工的過程中,需要使用烘臺(tái)或者烤設(shè)備對(duì)SU-8光刻膠或PDMS聚合物進(jìn)行烘烤。SU-8
    的頭像 發(fā)表于 08-27 15:54 ?1413次閱讀

    光刻膠涂層如何實(shí)現(xiàn)納米級(jí)均勻性?儀的工藝控制與缺陷分析

    要求日益嚴(yán)格,F(xiàn)lexfilm費(fèi)曼儀器全光譜儀作為一種非接觸、高精度的光學(xué)薄膜表征工具,在光刻膠工藝段中發(fā)揮著關(guān)鍵的監(jiān)控與優(yōu)化作用,尤其
    的頭像 發(fā)表于 02-09 18:01 ?396次閱讀
    <b class='flag-5'>光刻膠</b>涂層如何實(shí)現(xiàn)納米級(jí)均勻性?<b class='flag-5'>橢</b><b class='flag-5'>偏</b>儀的工藝控制與缺陷<b class='flag-5'>分析</b>