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SGM05HU1AW:5V單向ESD和浪涌保護(hù)器件解析

lhl545545 ? 2026-03-16 17:20 ? 次閱讀
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SGM05HU1AW:5V單向ESD和浪涌保護(hù)器件解析

在電子設(shè)備的設(shè)計(jì)中,靜電放電(ESD)和浪涌等瞬態(tài)事件可能會(huì)對(duì)電壓敏感組件造成嚴(yán)重?fù)p害。為了有效保護(hù)這些組件,SGMICRO推出了SGM05HU1AW 5V單向ESD和浪涌保護(hù)器件。下面我們就來(lái)詳細(xì)了解一下這款器件。

文件下載:SGM05HU1AW.pdf

產(chǎn)品概述

SGM05HU1AW專為保護(hù)電壓敏感組件免受ESD影響而設(shè)計(jì)。它具有出色的鉗位能力、低泄漏電流、高脈沖峰值電流處理能力和快速響應(yīng)時(shí)間,能為暴露于ESD的設(shè)計(jì)提供一流的保護(hù)。該器件采用UTDFN - 1.6×1 - 2L封裝,工作電壓為5V,特別適用于電源線保護(hù)。

產(chǎn)品關(guān)鍵參數(shù)

參數(shù) 典型值/最大值
工作峰值反向電壓(VRWM) 4.85V
最大脈沖峰值電流(IPPM) 200A
通道輸入電容(CIN) 550pF

特性亮點(diǎn)

性能優(yōu)勢(shì)

  • 低鉗位電壓和低泄漏電流:能有效降低對(duì)被保護(hù)電路的影響,減少功耗。
  • 小封裝:UTDFN - 1.6×1 - 2L封裝,節(jié)省電路板空間,適合對(duì)空間要求較高的設(shè)計(jì)。

標(biāo)準(zhǔn)保護(hù)

該器件符合多項(xiàng)國(guó)際標(biāo)準(zhǔn),能為電路提供可靠保護(hù):

  • IEC 61000 - 4 - 2 Level 4:可承受±30kV的接觸放電。
  • IEC 61000 - 4 - 5(閃電):能處理200A(8/20μs)的浪涌電流。

環(huán)保特性

該器件符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)且無(wú)鹵,滿足環(huán)保要求。

應(yīng)用領(lǐng)域

SGM05HU1AW的應(yīng)用范圍廣泛,包括但不限于以下幾個(gè)方面:

  • 電源管理:保護(hù)電源線路免受ESD和浪涌的影響。
  • 電源供應(yīng)保護(hù):確保電源的穩(wěn)定輸出。
  • 電池線路保護(hù):延長(zhǎng)電池使用壽命。
  • 音頻線路保護(hù):保證音頻信號(hào)的質(zhì)量。
  • GPIO保護(hù):防止GPIO引腳受到靜電和浪涌的損害。

絕對(duì)最大額定值

參數(shù) 符號(hào) 數(shù)值 單位
脈沖峰值電流(tp: 8/20μs) IPPM 200 A
ESD IEC 61000 - 4 - 2(空氣) VESD ±30 kV
ESD IEC 61000 - 4 - 2(接觸) ±30 kV
工作溫度范圍 Top -40 to +125 °C
儲(chǔ)存溫度范圍 TSTG -55 to +150 °C
引腳溫度(焊接,10s) +260 °C

需要注意的是,超過(guò)絕對(duì)最大額定值的應(yīng)力可能會(huì)對(duì)器件造成永久性損壞,長(zhǎng)時(shí)間暴露在絕對(duì)最大額定值條件下可能會(huì)影響器件的可靠性。

電氣特性

在常溫(TA = +25°C)下,SGM05HU1AW的主要電氣特性如下: 參數(shù) 符號(hào) 條件 最小值 典型值 最大值 單位
反向工作電壓 VRWM I/O到GND 4.85 5 V
擊穿電壓 VBR IT = 1mA,I/O到GND 5.5 6 7.7 V
反向泄漏電流 IR VRWM = 5V,I/O到GND 1 μA
通道輸入電容 CIN VR = 0V,f = 1MHz,I/O到GND 550 650 pF
浪涌鉗位電壓(100A) VC_SURGE IPPM = 100A 7.85 V
浪涌鉗位電壓(200A) VC_SURGE IPPM = 200A 10.3 V
ESD鉗位電壓(8A) VC IPP = 8A,IEC 61000 - 4 - 2 level 2等效(±4kV接觸,±8kV空氣) 8.2 V
ESD鉗位電壓(16A) VC IPP = 16A,IEC 61000 - 4 - 2 level 4等效(±8kV接觸,±15kV空氣) 6.6 V
動(dòng)態(tài)電阻 RDYN tP = 100ns 0.19 Ω

注:

  1. 非重復(fù)電流脈沖8/20μs指數(shù)衰減波形,根據(jù)IEC 61000 - 4 - 5,2Ω源阻抗。
  2. 非重復(fù)電流脈沖,傳輸線脈沖(TLP)tp = 100ns;方波脈沖。

典型性能特性

脈沖波形

器件的ESD脈沖波形符合IEC61000 - 4 - 2標(biāo)準(zhǔn),8/20μs波形符合IEC61000 - 4 - 5標(biāo)準(zhǔn)。通過(guò)典型的脈沖波形圖,我們可以直觀地了解器件在不同脈沖條件下的電流變化情況。

鉗位電壓與脈沖峰值電流關(guān)系

正、負(fù)鉗位電壓與脈沖峰值電流的關(guān)系曲線展示了器件在不同電流下的鉗位能力,幫助工程師更好地評(píng)估器件在實(shí)際應(yīng)用中的性能。

IV曲線和電容與反向電壓關(guān)系

IV曲線和電容與反向電壓的關(guān)系圖,為工程師提供了器件在不同電壓下的電流和電容特性,有助于優(yōu)化電路設(shè)計(jì)

應(yīng)用信息

在使用SGM05HU1AW進(jìn)行電路設(shè)計(jì)時(shí),需要遵循以下推薦準(zhǔn)則:

TVS放置

將TVS盡可能靠近輸入連接器放置,以減少ESD和浪涌對(duì)電路的影響。

TVS走線布局

  • 避免受保護(hù)走線與未受保護(hù)走線平行。
  • 盡量縮短TVS與受保護(hù)線路之間的路徑長(zhǎng)度。
  • 減少平行信號(hào)路徑長(zhǎng)度。
  • 使受保護(hù)走線盡可能直。

接地布局

  • 避免使用與TVS瞬態(tài)返回路徑共用的公共接地點(diǎn)。
  • 盡量縮短TVS瞬態(tài)返回路徑到地的長(zhǎng)度。
  • 盡可能靠近TVS瞬態(tài)返回地使用接地過(guò)孔。

封裝信息

封裝尺寸

器件采用UTDFN - 1.6×1 - 2L封裝,詳細(xì)的封裝尺寸如下: 符號(hào) 最小尺寸(mm) 標(biāo)稱尺寸(mm) 最大尺寸(mm)
A 0.450 0.550
A1 0.000 0.050
A2 0.152 REF
b 0.300 0.500
D 1.500 1.700
E 0.900 1.100
e 1.100 BSC
L 0.750 0.850
L1 0.050 REF
L2 0.100 REF
eee 0.080

編帶和卷軸信息

器件采用編帶和卷軸包裝,卷軸直徑為7",卷軸寬度為9.5mm,詳細(xì)的編帶和卷軸參數(shù)如下: 封裝類型 卷軸直徑 卷軸寬度W1(mm) A0(mm) B0(mm) K0(mm) P0(mm) P1(mm) P2(mm) W(mm) 引腳1象限
UTDFN - 1.6×1 - 2L 7" 9.5 1.12 1.72 0.70 4.0 4.0 2.0 8.0 Q1

紙箱尺寸

不同類型的卷軸對(duì)應(yīng)的紙箱尺寸也有所不同,具體參數(shù)如下: 卷軸類型 長(zhǎng)度(mm) 寬度(mm) 高度(mm) 每箱數(shù)量
7″(Option) 368 227 224 8
7″ 442 410 224 18

SGM05HU1AW是一款性能出色的5V單向ESD和浪涌保護(hù)器件,在電子設(shè)備的設(shè)計(jì)中具有廣泛的應(yīng)用前景。通過(guò)合理的布局和設(shè)計(jì),能為電路提供可靠的保護(hù),提高設(shè)備的穩(wěn)定性和可靠性。各位工程師在實(shí)際應(yīng)用中,不妨考慮一下這款器件,看看它是否能滿足你的設(shè)計(jì)需求。

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