SGM05HU1AW:5V單向ESD和浪涌保護(hù)器件解析
在電子設(shè)備的設(shè)計(jì)中,靜電放電(ESD)和浪涌等瞬態(tài)事件可能會(huì)對(duì)電壓敏感組件造成嚴(yán)重?fù)p害。為了有效保護(hù)這些組件,SGMICRO推出了SGM05HU1AW 5V單向ESD和浪涌保護(hù)器件。下面我們就來(lái)詳細(xì)了解一下這款器件。
文件下載:SGM05HU1AW.pdf
產(chǎn)品概述
SGM05HU1AW專為保護(hù)電壓敏感組件免受ESD影響而設(shè)計(jì)。它具有出色的鉗位能力、低泄漏電流、高脈沖峰值電流處理能力和快速響應(yīng)時(shí)間,能為暴露于ESD的設(shè)計(jì)提供一流的保護(hù)。該器件采用UTDFN - 1.6×1 - 2L封裝,工作電壓為5V,特別適用于電源線保護(hù)。
產(chǎn)品關(guān)鍵參數(shù)
| 參數(shù) | 典型值/最大值 |
|---|---|
| 工作峰值反向電壓(VRWM) | 4.85V |
| 最大脈沖峰值電流(IPPM) | 200A |
| 通道輸入電容(CIN) | 550pF |
特性亮點(diǎn)
性能優(yōu)勢(shì)
- 低鉗位電壓和低泄漏電流:能有效降低對(duì)被保護(hù)電路的影響,減少功耗。
- 小封裝:UTDFN - 1.6×1 - 2L封裝,節(jié)省電路板空間,適合對(duì)空間要求較高的設(shè)計(jì)。
標(biāo)準(zhǔn)保護(hù)
該器件符合多項(xiàng)國(guó)際標(biāo)準(zhǔn),能為電路提供可靠保護(hù):
- IEC 61000 - 4 - 2 Level 4:可承受±30kV的接觸放電。
- IEC 61000 - 4 - 5(閃電):能處理200A(8/20μs)的浪涌電流。
環(huán)保特性
該器件符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)且無(wú)鹵,滿足環(huán)保要求。
應(yīng)用領(lǐng)域
SGM05HU1AW的應(yīng)用范圍廣泛,包括但不限于以下幾個(gè)方面:
- 電源管理:保護(hù)電源線路免受ESD和浪涌的影響。
- 電源供應(yīng)保護(hù):確保電源的穩(wěn)定輸出。
- 電池線路保護(hù):延長(zhǎng)電池使用壽命。
- 音頻線路保護(hù):保證音頻信號(hào)的質(zhì)量。
- GPIO保護(hù):防止GPIO引腳受到靜電和浪涌的損害。
絕對(duì)最大額定值
| 參數(shù) | 符號(hào) | 數(shù)值 | 單位 |
|---|---|---|---|
| 脈沖峰值電流(tp: 8/20μs) | IPPM | 200 | A |
| ESD IEC 61000 - 4 - 2(空氣) | VESD | ±30 | kV |
| ESD IEC 61000 - 4 - 2(接觸) | ±30 | kV | |
| 工作溫度范圍 | Top | -40 to +125 | °C |
| 儲(chǔ)存溫度范圍 | TSTG | -55 to +150 | °C |
| 引腳溫度(焊接,10s) | +260 | °C |
需要注意的是,超過(guò)絕對(duì)最大額定值的應(yīng)力可能會(huì)對(duì)器件造成永久性損壞,長(zhǎng)時(shí)間暴露在絕對(duì)最大額定值條件下可能會(huì)影響器件的可靠性。
電氣特性
| 在常溫(TA = +25°C)下,SGM05HU1AW的主要電氣特性如下: | 參數(shù) | 符號(hào) | 條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 反向工作電壓 | VRWM | I/O到GND | 4.85 | 5 | V | ||
| 擊穿電壓 | VBR | IT = 1mA,I/O到GND | 5.5 | 6 | 7.7 | V | |
| 反向泄漏電流 | IR | VRWM = 5V,I/O到GND | 1 | μA | |||
| 通道輸入電容 | CIN | VR = 0V,f = 1MHz,I/O到GND | 550 | 650 | pF | ||
| 浪涌鉗位電壓(100A) | VC_SURGE | IPPM = 100A | 7.85 | V | |||
| 浪涌鉗位電壓(200A) | VC_SURGE | IPPM = 200A | 10.3 | V | |||
| ESD鉗位電壓(8A) | VC | IPP = 8A,IEC 61000 - 4 - 2 level 2等效(±4kV接觸,±8kV空氣) | 8.2 | V | |||
| ESD鉗位電壓(16A) | VC | IPP = 16A,IEC 61000 - 4 - 2 level 4等效(±8kV接觸,±15kV空氣) | 6.6 | V | |||
| 動(dòng)態(tài)電阻 | RDYN | tP = 100ns | 0.19 | Ω |
注:
- 非重復(fù)電流脈沖8/20μs指數(shù)衰減波形,根據(jù)IEC 61000 - 4 - 5,2Ω源阻抗。
- 非重復(fù)電流脈沖,傳輸線脈沖(TLP)tp = 100ns;方波脈沖。
典型性能特性
脈沖波形
器件的ESD脈沖波形符合IEC61000 - 4 - 2標(biāo)準(zhǔn),8/20μs波形符合IEC61000 - 4 - 5標(biāo)準(zhǔn)。通過(guò)典型的脈沖波形圖,我們可以直觀地了解器件在不同脈沖條件下的電流變化情況。
鉗位電壓與脈沖峰值電流關(guān)系
正、負(fù)鉗位電壓與脈沖峰值電流的關(guān)系曲線展示了器件在不同電流下的鉗位能力,幫助工程師更好地評(píng)估器件在實(shí)際應(yīng)用中的性能。
IV曲線和電容與反向電壓關(guān)系
IV曲線和電容與反向電壓的關(guān)系圖,為工程師提供了器件在不同電壓下的電流和電容特性,有助于優(yōu)化電路設(shè)計(jì)。
應(yīng)用信息
在使用SGM05HU1AW進(jìn)行電路設(shè)計(jì)時(shí),需要遵循以下推薦準(zhǔn)則:
TVS放置
將TVS盡可能靠近輸入連接器放置,以減少ESD和浪涌對(duì)電路的影響。
TVS走線布局
- 避免受保護(hù)走線與未受保護(hù)走線平行。
- 盡量縮短TVS與受保護(hù)線路之間的路徑長(zhǎng)度。
- 減少平行信號(hào)路徑長(zhǎng)度。
- 使受保護(hù)走線盡可能直。
接地布局
- 避免使用與TVS瞬態(tài)返回路徑共用的公共接地點(diǎn)。
- 盡量縮短TVS瞬態(tài)返回路徑到地的長(zhǎng)度。
- 盡可能靠近TVS瞬態(tài)返回地使用接地過(guò)孔。
封裝信息
封裝尺寸
| 器件采用UTDFN - 1.6×1 - 2L封裝,詳細(xì)的封裝尺寸如下: | 符號(hào) | 最小尺寸(mm) | 標(biāo)稱尺寸(mm) | 最大尺寸(mm) |
|---|---|---|---|---|
| A | 0.450 | 0.550 | ||
| A1 | 0.000 | 0.050 | ||
| A2 | 0.152 REF | |||
| b | 0.300 | 0.500 | ||
| D | 1.500 | 1.700 | ||
| E | 0.900 | 1.100 | ||
| e | 1.100 BSC | |||
| L | 0.750 | 0.850 | ||
| L1 | 0.050 REF | |||
| L2 | 0.100 REF | |||
| eee | 0.080 |
編帶和卷軸信息
| 器件采用編帶和卷軸包裝,卷軸直徑為7",卷軸寬度為9.5mm,詳細(xì)的編帶和卷軸參數(shù)如下: | 封裝類型 | 卷軸直徑 | 卷軸寬度W1(mm) | A0(mm) | B0(mm) | K0(mm) | P0(mm) | P1(mm) | P2(mm) | W(mm) | 引腳1象限 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| UTDFN - 1.6×1 - 2L | 7" | 9.5 | 1.12 | 1.72 | 0.70 | 4.0 | 4.0 | 2.0 | 8.0 | Q1 |
紙箱尺寸
| 不同類型的卷軸對(duì)應(yīng)的紙箱尺寸也有所不同,具體參數(shù)如下: | 卷軸類型 | 長(zhǎng)度(mm) | 寬度(mm) | 高度(mm) | 每箱數(shù)量 |
|---|---|---|---|---|---|
| 7″(Option) | 368 | 227 | 224 | 8 | |
| 7″ | 442 | 410 | 224 | 18 |
SGM05HU1AW是一款性能出色的5V單向ESD和浪涌保護(hù)器件,在電子設(shè)備的設(shè)計(jì)中具有廣泛的應(yīng)用前景。通過(guò)合理的布局和設(shè)計(jì),能為電路提供可靠的保護(hù),提高設(shè)備的穩(wěn)定性和可靠性。各位工程師在實(shí)際應(yīng)用中,不妨考慮一下這款器件,看看它是否能滿足你的設(shè)計(jì)需求。
-
浪涌保護(hù)
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