深入解析MAX1875/MAX1876:雙路180°反相PWM降壓控制器
在電源管理領域,高效且穩(wěn)定的降壓控制器一直是電子工程師們追求的關鍵組件。今天,我們就來深入探討一下Maxim公司的MAX1875/MAX1876雙路180°反相PWM降壓控制器,它擁有諸多出色特性,能滿足多種應用場景的需求。
文件下載:MAX1876.pdf
一、產品概述
MAX1875/MAX1876可以從4.75V至23V的輸入電源生成兩個獨立的輸出,每個輸出電壓可在亞1V到18V之間調節(jié),并且能夠支持10A或更高的負載。其采用同步180°反相工作模式,有效降低了輸入電壓紋波和總RMS輸入紋波電流。同時,該控制器的開關頻率可通過外部電阻在100kHz至600kHz之間調節(jié),還能與外部時鐘同步。它還具備軟啟動和軟停止功能,并且利用低端MOSFET的導通電阻作為電流感應元件,無需使用電流感應電阻。
二、主要特性
2.1 雙獨立輸出電壓
能夠提供兩個獨立可調的輸出電壓,滿足不同負載的供電需求,適用于復雜的電源系統(tǒng)設計。
2.2 反相工作模式
- 180°反相工作:降低了輸入濾波要求、電磁干擾(EMI),提高了效率,減少了組件成本和電路板空間。
- 90°反相工作(使用兩個MAX1875/MAX1876):可以實現交錯的兩相或四相系統(tǒng),進一步優(yōu)化電源性能。
2.3 折返電流限制
在短路情況下,可調的折返電流限制能夠降低功耗,保護電路組件。
2.4 寬輸入輸出范圍
- 輸入電源范圍為4.75V至23V,輸出電壓范圍為0至18V(最高10A),適應多種電源環(huán)境。
- 效率超過90%,能有效降低功耗,提高能源利用率。
2.5 可調節(jié)的開關頻率
開關頻率可在100kHz至600kHz之間調節(jié),可根據具體應用場景進行優(yōu)化。同時,支持外部同步輸入和時鐘輸出,方便實現主從同步。
2.6 其他特性
具有軟啟動和軟停止功能,可減少啟動時的電流沖擊;MAX1876還帶有復位輸出(RST),可在兩個輸出達到穩(wěn)定狀態(tài)時向系統(tǒng)發(fā)出信號。
三、工作原理
3.1 DC - DC PWM控制
MAX1875/MAX1876采用PWM電壓模式控制方案,通過對內部振蕩器或外部時鐘信號進行分頻來生成時鐘信號,每個控制器的開關頻率等于振蕩器頻率的一半。內部跨導誤差放大器在COMP引腳產生積分誤差電壓,通過PWM比較器和斜坡發(fā)生器設置占空比。當電感電流超過所選的谷底電流限制時,高端MOSFET不會在時鐘邊沿導通,低端MOSFET保持導通,使電感電流下降。
3.2 同步反相工作
兩個獨立的調節(jié)器以180°反相工作,降低了輸入濾波要求和EMI,提高了效率。相比同相工作的雙開關調節(jié)器,反相工作模式使兩個調節(jié)器的瞬時輸入電流峰值不再重疊,減少了RMS紋波電流和輸入電壓紋波,降低了對輸入電容的紋波電流額定要求。
3.3 內部5V線性穩(wěn)壓器(VL)
所有功能由片上低壓差5V穩(wěn)壓器內部供電,最大輸入電壓為23V。VL輸出需用4.7μF陶瓷電容旁路至PGND,當V +大于5.5V時,VL典型值為5V。同時,該穩(wěn)壓器還具有欠壓鎖定電路,當VL低于4.5V時,兩個調節(jié)器將被禁用。
3.4 高端柵極驅動電源(BST_)
高端N溝道開關的柵極驅動電壓由飛電容升壓電路產生。啟動時,同步整流器(低端MOSFET)將LX_接地,將升壓電容充電至5V;在第二個半周期,低端MOSFET關閉后,高端MOSFET通過閉合BST_和DH_之間的內部開關導通,提供必要的柵源電壓。
3.5 MOSFET柵極驅動器(DH, DL)
DH和DL驅動器針對驅動中等大小的N溝道高端和較大的低端功率MOSFET進行了優(yōu)化。DL_低端驅動波形始終是DH_高端驅動波形的互補(具有受控的死區(qū)時間,防止交叉導通)。自適應死區(qū)時間電路可監(jiān)測DL_輸出,確保高端FET在DL_完全關閉后才導通。
3.6 電流限制電路(ILIM_)
采用“谷底”電流傳感算法,利用低端MOSFET的導通電阻作為電流傳感元件。當電流傳感信號高于電流限制閾值時,控制器不會啟動新的周期。電流限制閾值可通過外部電阻在ILIM_引腳進行調節(jié),范圍為50mV至300mV。
3.7 欠壓鎖定和啟動
當VL低于4.5V時,控制器激活欠壓鎖定(UVLO)電路,使DL和DH低電平,禁止開關操作;VL高于4.5V時,控制器啟動輸出。
3.8 使能(EN)、軟啟動和軟停止
EN引腳為高電平時使能兩個調節(jié)器,為低電平時關閉。關閉時,電源電流降至最大1mA,LX進入高阻抗狀態(tài),COMP通過17Ω電阻放電至GND,VL和REF保持激活。軟啟動過程中,輸出逐漸上升至參考電壓,以控制輸出上升速率,減少啟動時的輸入浪涌電流;軟停止過程則相反。
3.9 復位輸出(MAX1876僅)
RST為開漏輸出,當任一輸出低于其標稱調節(jié)電壓的90%時,RST拉低;兩個輸出均超過90%且軟啟動完成后,RST變?yōu)楦咦钁B(tài)。
3.10 時鐘同步(SYNC, CKO)
SYNC有兩個功能:選擇用于同步從控制器的時鐘輸出(CKO)類型,或作為時鐘輸入使控制器與外部時鐘信號同步。CKO可提供與開關頻率同步的時鐘信號,支持同相或90°反相同步。
3.11 熱過載保護
當器件的管芯結溫超過+160°C時,片上熱傳感器將關閉器件,使DL_和DH_低電平,器件冷卻后再重新開啟。
四、設計步驟
4.1 有效輸入電壓范圍
實際輸入電壓范圍受控制器占空比限制。最大輸入電壓受最小導通時間限制,最小輸入電壓受開關頻率和最小關斷時間限制。
4.2 設置輸出電壓
對于1V或更高的輸出電壓,可通過連接從輸出到FB_到GND的分壓器來設置;對于低于1V的輸出電壓,可連接從輸出到FB_到REF的分壓器。
4.3 設置開關頻率
開關頻率等于振蕩器頻率的一半,內部振蕩器頻率由連接在OSC到GND的電阻(ROSC)設置。當使用外部同步信號時,ROSC應設置為SYNC速率的一半。
4.4 電感選擇
電感值由開關頻率、輸入電壓、輸出電壓和所選的電感峰 - 峰交流電流與直流平均電流之比(LIR)決定。一般選擇LIR為30%,以在尺寸和損耗之間取得較好的平衡。
4.5 電流限制設置
將ILIM連接到VL可獲得默認的100mV(典型)電流限制閾值;若要調節(jié)閾值,可連接一個電阻(RILIM)從ILIM_到GND,調節(jié)范圍為50mV至300mV。
4.6 輸入電容選擇
輸入電容應選擇在RMS輸入電流下溫度上升小于+10°C的電容,以確保長期可靠性。對于大多數應用,非鉭電容(陶瓷、鋁、聚合物或OS - CON)是首選。
4.7 輸出電容選擇
輸出電容的關鍵參數是電容值、ESR和電壓額定值,這些參數會影響整體穩(wěn)定性、輸出紋波電壓和瞬態(tài)響應。
4.8 補償
每個電壓模式控制器部分采用跨導誤差放大器,其輸出是控制環(huán)路的補償點。通過選擇合適的補償電阻和電容來優(yōu)化控制環(huán)路的穩(wěn)定性。
4.9 MOSFET選擇
選擇邏輯電平N溝道MOSFET,關鍵參數包括導通電阻、最大漏源電壓、最小閾值電壓、總柵極電荷、反向傳輸電容和功耗。要確保MAX1875/MAX1876的DL_柵極驅動器能夠驅動MOSFET,并且MOSFET的總柵極電荷不會導致IC過熱。
五、應用信息
5.1 壓差性能
在低輸入電壓下,連續(xù)導通操作的輸出電壓可調范圍受最小關斷時間限制。為了獲得最佳壓差性能,建議使用最低的開關頻率(100kHz)。同時,要注意計算最小輸入電壓和負載瞬態(tài)電壓降(VSAG),以確保系統(tǒng)有足夠的瞬態(tài)響應能力。
5.2 提高抗噪能力
在嘈雜環(huán)境中工作時,可以通過調整控制器的補償來提高系統(tǒng)的抗噪能力,例如降低交叉頻率。
5.3 PCB布局指南
精心設計的PCB布局對于實現低開關損耗和穩(wěn)定的操作至關重要。要注意隔離電源組件和模擬組件,使用星型接地連接,保持高電流路徑短,避免引入交流電流到接地平面,以及合理布線高速開關節(jié)點和敏感模擬區(qū)域。
六、總結
MAX1875/MAX1876雙路180°反相PWM降壓控制器憑借其出色的性能和豐富的特性,為電子工程師在電源設計領域提供了一個強大而靈活的解決方案。無論是在網絡電源、電信電源,還是在DSP、ASIC和FPGA等電源應用中,它都能發(fā)揮出重要作用。但在實際應用中,我們需要根據具體的設計要求,仔細進行參數設置和布局設計,以確保系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性。大家在使用過程中遇到過哪些問題呢?歡迎在評論區(qū)分享交流。
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