SGM61006同步降壓轉(zhuǎn)換器:高效低功耗的理想之選
在電子設(shè)備的電源管理領(lǐng)域,高效、緊湊且性能卓越的降壓轉(zhuǎn)換器一直是工程師們追求的目標(biāo)。SGMICRO推出的SGM61006同步降壓轉(zhuǎn)換器,憑借其出色的性能和豐富的特性,成為了眾多低輸入電壓應(yīng)用的理想解決方案。
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一、產(chǎn)品概述
SGM61006是一款專為低輸入電壓應(yīng)用設(shè)計(jì)的高效、小型同步降壓轉(zhuǎn)換器。它采用了先進(jìn)的自適應(yīng)滯回和偽恒定導(dǎo)通時(shí)間控制(AHP - COT)架構(gòu),無(wú)需外部補(bǔ)償,非常適合緊湊設(shè)計(jì)。其輸入電壓范圍為1.8V至5.5V,啟動(dòng)后最低輸入電壓可低至1.6V,適用于各種電池供電應(yīng)用。在重載時(shí),它工作在PWM模式;輕載時(shí),自動(dòng)進(jìn)入省電模式(PSM),以保持高效率。
二、產(chǎn)品特性
2.1 寬輸入電壓范圍
1.8V至5.5V的輸入電壓范圍,使得SGM61006能夠適應(yīng)多種電源,如單節(jié)或多節(jié)電池供電系統(tǒng)。
2.2 可調(diào)輸出電壓
輸出電壓可在0.5V至輸入電壓之間調(diào)節(jié),滿足不同負(fù)載的需求。通過(guò)連接到FB引腳的外部電阻分壓器,可以方便地設(shè)置輸出電壓。
2.3 高頻開(kāi)關(guān)
3.5MHz的開(kāi)關(guān)頻率,有助于減小外部電感和電容的尺寸,從而實(shí)現(xiàn)更緊湊的設(shè)計(jì)。
2.4 高效率
最高可達(dá)90%的效率,有效降低了功耗,延長(zhǎng)了電池續(xù)航時(shí)間。
2.5 低導(dǎo)通電阻MOSFET開(kāi)關(guān)
低 (R_{DSON}) 的MOSFET開(kāi)關(guān)(100mΩ/95mΩ),減少了開(kāi)關(guān)損耗,進(jìn)一步提高了效率。
2.6 低靜態(tài)電流
典型工作靜態(tài)電流僅為26μA,在輕載和待機(jī)狀態(tài)下能有效降低功耗。
2.7 省電模式
輕載時(shí)自動(dòng)進(jìn)入PSM模式,降低開(kāi)關(guān)頻率和靜態(tài)電流,提高輕載效率。
2.8 100%占空比
支持100%占空比,可實(shí)現(xiàn)最低的壓降,延長(zhǎng)電池供電設(shè)備的工作時(shí)間。
2.9 輸出放電功能
當(dāng)設(shè)備禁用時(shí),輸出通過(guò)SW引腳的典型放電電阻 (R_{DIS}) 進(jìn)行放電。
2.10 電源良好輸出
PG引腳提供電源良好信號(hào),方便系統(tǒng)進(jìn)行電源狀態(tài)監(jiān)測(cè)和管理。
2.11 保護(hù)功能
具備熱關(guān)斷保護(hù)和ESD保護(hù),確保設(shè)備在異常情況下的安全運(yùn)行。
三、應(yīng)用領(lǐng)域
SGM61006廣泛應(yīng)用于各種電池供電設(shè)備、負(fù)載點(diǎn)電源、處理器供電以及OLED/LCD模塊電源等領(lǐng)域。
四、引腳配置與功能
4.1 引腳配置
| SGM61006采用WLCSP - 0.9×1.3 - 6B - A封裝,引腳分布如下: | PIN | NAME | I/O | FUNCTION |
|---|---|---|---|---|
| A1 | EN | I | 高電平有效使能引腳,默認(rèn)通過(guò)內(nèi)部450kΩ下拉電阻禁用設(shè)備 | |
| A2 | VIN | P | 輸入電壓引腳 | |
| B1 | PG | O | 開(kāi)漏電源良好輸出引腳 | |
| B2 | SW | P | 功率轉(zhuǎn)換器的開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn) | |
| C1 | FB | I | 反饋引腳,用于設(shè)置輸出電壓 | |
| C2 | GND | G | 接地引腳 |
4.2 引腳功能詳解
- EN引腳:通過(guò)將EN引腳拉至高電平來(lái)啟用設(shè)備,拉至低電平則禁用設(shè)備。內(nèi)部下拉電阻在設(shè)備禁用時(shí)起作用,啟用時(shí)被移除。
- VIN引腳:輸入電壓引腳,為轉(zhuǎn)換器提供電源。
- PG引腳:開(kāi)漏輸出,當(dāng)輸出電壓在規(guī)定范圍內(nèi)時(shí),PG引腳釋放為高電平;否則,被拉至低電平??捎糜谙到y(tǒng)的電源狀態(tài)監(jiān)測(cè)和多軌電源的順序控制。
- SW引腳:連接到輸出電感,是功率轉(zhuǎn)換的關(guān)鍵節(jié)點(diǎn)。
- FB引腳:通過(guò)連接電阻分壓器來(lái)設(shè)置輸出電壓,其反饋電壓為0.45V(典型值)。
- GND引腳:接地引腳,為電路提供參考電位。
五、電氣特性
5.1 電源相關(guān)特性
- 靜態(tài)電流:在輸入電壓為1.8V至5.5V且不開(kāi)關(guān)時(shí),典型靜態(tài)電流為26μA,最大為40μA。
- 關(guān)斷電流:輸入電壓為1.8V至5.5V且EN引腳為低電平時(shí),關(guān)斷電流最大為3μA。
- 欠壓鎖定閾值:輸入電壓上升時(shí),欠壓鎖定閾值為1.47V至1.65V,滯回為70mV。
5.2 邏輯接口特性
- EN引腳高電平閾值:輸入電壓為1.8V至5.5V時(shí),高電平閾值為1V。
- EN引腳低電平閾值:輸入電壓為1.8V至5.5V時(shí),低電平閾值為0.4V。
- EN引腳下拉電阻:EN引腳為低電平時(shí),下拉電阻為250kΩ至620kΩ。
5.3 電源良好特性
- 電源良好閾值:輸出電壓在96%至105%的調(diào)節(jié)電壓范圍內(nèi)時(shí),PG引腳處于高阻態(tài);低于91%或高于110%時(shí),PG引腳被拉至低電平。
- 電源良好低電平輸出電壓:灌電流為1mA時(shí),PG引腳的低電平輸出電壓最大為0.15V。
5.4 輸出特性
- 反饋調(diào)節(jié)電壓:PWM模式下,反饋調(diào)節(jié)電壓為0.443V至0.457V。
- 反饋輸入泄漏電流:反饋電壓為0.45V時(shí),反饋輸入泄漏電流最大為0.01μA。
- 輸出放電電阻:EN引腳為低電平且輸出電壓為1.8V時(shí),輸出放電電阻為750Ω至1450Ω。
5.5 功率開(kāi)關(guān)特性
- 高端FET導(dǎo)通電阻:輸入電壓為1.8V且開(kāi)關(guān)電流為500mA時(shí),導(dǎo)通電阻最大為180mΩ;輸入電壓為3.3V時(shí),導(dǎo)通電阻最大為100mΩ。
- 低端FET導(dǎo)通電阻:輸入電壓為1.8V且開(kāi)關(guān)電流為500mA時(shí),導(dǎo)通電阻最大為170mΩ;輸入電壓為3.3V時(shí),導(dǎo)通電阻最大為95mΩ。
- 高端FET電流限制:電感電流上升時(shí),電流限制為1.0A至1.5A。
5.6 開(kāi)關(guān)頻率
輸出電壓為1.2V時(shí),開(kāi)關(guān)頻率為3.5MHz。
六、典型性能特性
6.1 導(dǎo)通電阻與輸入電壓關(guān)系
高端和低端FET的導(dǎo)通電阻隨輸入電壓的變化而變化,不同溫度下的特性曲線為工程師提供了更準(zhǔn)確的設(shè)計(jì)參考。
6.2 電流與輸入電壓關(guān)系
關(guān)斷電流和靜態(tài)電流隨輸入電壓的變化曲線,有助于評(píng)估設(shè)備在不同輸入電壓下的功耗情況。
6.3 效率與負(fù)載電流關(guān)系
效率隨負(fù)載電流的變化曲線表明,SGM61006在不同負(fù)載下都能保持較高的效率,特別是在輕載時(shí),通過(guò)PSM模式進(jìn)一步提高了效率。
6.4 負(fù)載調(diào)節(jié)與負(fù)載電流關(guān)系
負(fù)載調(diào)節(jié)特性反映了輸出電壓隨負(fù)載電流變化的情況,確保在不同負(fù)載下輸出電壓的穩(wěn)定性。
6.5 線路調(diào)節(jié)與輸入電壓關(guān)系
線路調(diào)節(jié)特性展示了輸出電壓隨輸入電壓變化的情況,保證了在輸入電壓波動(dòng)時(shí)輸出電壓的穩(wěn)定。
6.6 頻率特性
開(kāi)關(guān)頻率隨輸入電壓和負(fù)載電流的變化曲線,為工程師在設(shè)計(jì)時(shí)選擇合適的工作條件提供了依據(jù)。
七、詳細(xì)工作原理
7.1 工作模式
- PWM模式:在中到重載時(shí),設(shè)備工作在PWM模式,以3.5MHz的標(biāo)稱開(kāi)關(guān)頻率工作,確保輸出電壓的穩(wěn)定。
- PSM模式:輕載時(shí),自動(dòng)切換到PSM模式,降低開(kāi)關(guān)頻率和靜態(tài)電流,提高效率。
7.2 欠壓鎖定(UVLO)
當(dāng)輸入電壓低于欠壓鎖定閾值時(shí),設(shè)備自動(dòng)關(guān)閉,以保護(hù)設(shè)備免受低電壓影響。滯回特性確保了設(shè)備在電壓波動(dòng)時(shí)的穩(wěn)定運(yùn)行。
7.3 使能與禁用
通過(guò)EN引腳的高低電平控制設(shè)備的啟用和禁用,內(nèi)部下拉電阻確保設(shè)備在默認(rèn)情況下處于禁用狀態(tài)。
7.4 軟啟動(dòng)
當(dāng)EN引腳設(shè)置為高電平后,經(jīng)過(guò)約260μs的延遲,設(shè)備開(kāi)始開(kāi)關(guān),輸出電壓通過(guò)內(nèi)部軟啟動(dòng)電路在600μs內(nèi)(從第一個(gè)脈沖到95%調(diào)節(jié)電壓)逐漸上升,避免了啟動(dòng)時(shí)的電流沖擊。
7.5 電源良好(PG)
PG引腳根據(jù)輸出電壓的狀態(tài)提供電源良好信號(hào),可用于系統(tǒng)的電源狀態(tài)監(jiān)測(cè)和多軌電源的順序控制。
7.6 100%占空比
在100%占空比模式下,高端MOSFET持續(xù)導(dǎo)通,低端MOSFET關(guān)閉,實(shí)現(xiàn)最低的輸入 - 輸出電壓降,延長(zhǎng)電池供電設(shè)備的工作時(shí)間。
7.7 輸出放電
當(dāng)設(shè)備因使能、熱關(guān)斷或欠壓鎖定而禁用時(shí),輸出通過(guò)SW引腳的放電電阻進(jìn)行放電。
7.8 電感電流限制
當(dāng)出現(xiàn)過(guò)流或短路時(shí),設(shè)備通過(guò)限制高端和低端MOSFET的電流來(lái)保護(hù)自身。當(dāng)高端開(kāi)關(guān)電流達(dá)到限制值時(shí),高端MOSFET關(guān)閉,低端MOSFET打開(kāi);當(dāng)電感電流下降到低端開(kāi)關(guān)電流限制值時(shí),低端MOSFET關(guān)閉,高端開(kāi)關(guān)再次打開(kāi),直到電感電流低于高端開(kāi)關(guān)電流限制值。
7.9 熱關(guān)斷
當(dāng)結(jié)溫超過(guò)典型值150℃時(shí),開(kāi)關(guān)停止工作;當(dāng)溫度下降到閾值減去滯回值時(shí),開(kāi)關(guān)自動(dòng)恢復(fù)。
八、應(yīng)用設(shè)計(jì)
8.1 設(shè)計(jì)要求
| 以一個(gè)典型應(yīng)用為例,設(shè)計(jì)參數(shù)如下: | Design Parameter | Example Value |
|---|---|---|
| Input Voltage | 1.8V to 5.5V | |
| Output Voltage | 0.9V | |
| Output Ripple Voltage | <20mV | |
| Output Current (MAX) | 600mA |
8.2 設(shè)計(jì)細(xì)節(jié)
8.2.1 可調(diào)輸出電壓
通過(guò)連接到FB引腳的外部電阻分壓器來(lái)設(shè)置輸出電壓,計(jì)算公式為 (V{OUT }=V{FB} timesleft(1+frac{R{1}}{R{2}}right)=0.45 V timesleft(1+frac{R{1}}{R{2}}right))。選擇合適的 (R{1}) 和 (R{2}) 值,可以實(shí)現(xiàn)所需的輸出電壓。同時(shí),建議添加一個(gè)5pF至10pF的前饋電容,以改善平滑過(guò)渡到PSM模式的性能,并減少負(fù)載瞬變時(shí)的下沖。
8.2.2 電感設(shè)計(jì)
電感的選擇應(yīng)考慮其值和飽和電流。通常,選擇電感的飽和電流應(yīng)高于 (I_{LMAX}),并預(yù)留足夠的余量。一般選擇20%至40%的紋波電流來(lái)計(jì)算電感值,較大的電感可以減少紋波電流,但會(huì)增加響應(yīng)時(shí)間。計(jì)算公式為 (I{L{-} MAX }=I{OUTMAX }+frac{Delta l{L}}{2})。
8.2.3 電容設(shè)計(jì)
- 輸入電容:應(yīng)選擇X5R/X7R介質(zhì)的陶瓷電容,以獲得低ESR和高頻性能。大多數(shù)應(yīng)用中,10μF的電容即可滿足需求。輸入電容的電壓額定值必須考慮其顯著的偏置效應(yīng),輸入紋波電壓可通過(guò)公式 (Delta V{IN}=frac{ I{OUT} × D times(1-D)}{C{IN} × f{sw}}) 計(jì)算。輸入電容的紋波電流額定值應(yīng)大于 (I_{CIN_RMS}),最大值出現(xiàn)在50%占空比時(shí)。如果輸入線較長(zhǎng),建議添加一個(gè)大容量電容。
- 輸出電容:設(shè)計(jì)輸出電容時(shí),應(yīng)考慮輸出紋波、瞬態(tài)響應(yīng)和環(huán)路穩(wěn)定性。輸出紋波標(biāo)準(zhǔn)的最小電容可通過(guò)公式 (C{OUT }>frac{Delta I{L}}{8 × f{SW} × V{OUT_RIPPLE }}) 計(jì)算。輸入和輸出電容應(yīng)盡可能靠近VIN和GND引腳,以減少PCB寄生參數(shù)引起的噪聲。
8.3 布局考慮
良好的PCB布局是確保設(shè)備高性能運(yùn)行的關(guān)鍵因素。以下是一些設(shè)計(jì)SGM61006 PCB布局的指南:
- 將功率組件緊密放置在一起,并使用短而寬的走線連接,確保電容的低端正確接地,以避免電位偏移。
- FB引腳對(duì)噪聲敏感,應(yīng)遠(yuǎn)離SW引腳。使用短走線連接電感,以最小化噪聲。
九、總結(jié)
SGM61006同步降壓轉(zhuǎn)換器以其高效、緊湊、多功能的特點(diǎn),為低輸入電壓應(yīng)用提供了一個(gè)優(yōu)秀的解決方案。其豐富的特性和良好的性能,使得它在電池供電設(shè)備、負(fù)載點(diǎn)電源等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。工程師們?cè)谠O(shè)計(jì)過(guò)程中,應(yīng)根據(jù)具體的應(yīng)用需求,合理選擇外部組件,并注意PCB布局,以充分發(fā)揮SGM61006的優(yōu)勢(shì)。你在使用SGM61006或其他類似降壓轉(zhuǎn)換器時(shí),遇到過(guò)哪些問(wèn)題呢?歡迎在評(píng)論區(qū)分享你的經(jīng)驗(yàn)和見(jiàn)解。
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